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離散半導体製品（6133）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 現在の評価（ amp） | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） | ノイズ図 | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 現在 - @ vr | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） | 現在 -コレクター（IC ）（最大） | 電圧 -テスト | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース（最大） | 現在 -コレクターカットオフ（最大） | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） | トランジスタタイプ | vce 飽和（max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース（r1） | 抵抗 -エミッターベース（r2） | ノイズフィギュア（DBタイプ @ f） | 静電容量比 | 静電容量比条件 | Q @ vr、f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BB174X | 0.5300 |  | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜125°C（TJ） | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BB174 | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.59.0080 | 3,000 | 2.22pf @ 28V、1MHz | シングル | 30 V | 10.9 | C1/C28 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMBT3904,215 | - | | 2896 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMBT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMBT3946ypn 、115 | - | | 3914 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMBT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC114ym315 | - | | 4864 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | PDTC114 | 250 MW | DFN1006-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 Ma | 1µA | npn-バイアス化 | 100MV @ 250µA、5MA | 100 @ 5MA 、5V | 230 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | buk9y59-60e、115 | - | | 7203 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | SC-100 、SOT-669 | モスフェット（金属酸化物） | LFPAK56 、POWER-SO8 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | nチャネル | 60 V | 16.7a | 5V | 52mohm @ 5a、10V | 2.1V @ 1MA | 6.1 NC @ 5 V | ±10V | 715 PF @ 25 V | - | 37W （TC） | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BB208-02,115 | 0.6500 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜125°C（TJ） | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BB208 | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 5.4pf @ 7.5V、1MHz | シングル | 10 v | 5.2 | C1/C7.5 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF820,235 | 1.0000 | | 3703 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 300 V | 50 Ma | 10na （icbo） | npn | 600mv @ 5ma 、30ma | 50 @ 25ma 、20V | 60MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC115TS、126 | - | | 6049 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆ボックス（ TB） | 廃止 | 穴を通して | to-226-3 | PDTC115 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 v | 100 Ma | 1µA | npn-バイアス化 | 150MV @ 250µA 、5MA | 100 @ 1MA 、5V | 100 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC860C 、215 | - | | 5687 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BC86 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG6002ELD315 | 0.0400 | | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMEG6002 | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 7,755 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52H-B43,115 | 1.0000 | | 4293 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜150°C（Ta） | 表面マウント | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 30.1 v | 43 v | 80オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFQ19,115 | - | | 5940 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 175°C （TJ） | 表面マウント | TO-243AA | BFQ19 | 1W | SOT-89-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | - | 15V | 100mA | npn | 25 @ 70ma 、10V | 5.5GHz | 3.3db @ 500MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PIMD2,115 | - | | 4348 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PIMD2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM5.6NB2,115 | - | | 1765 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM5.6 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 9,000 | 1.1 V @ 100 MA | 2 µA @ 2.5 v | 5.6 v | 40オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8P9210NR3 | - | | 1418 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 70 v | NI-780-4 | MRF8P9210 | 960MHz | モスフェット | NI-780-4 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 935321673528 | ear99 | 8541.29.0095 | 250 | nチャネル | - | 750 Ma | 63W | 16.8db | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFE6S9130HR3 | - | | 7270 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 66 v | シャーシマウント | SOT-957A | Mrfe6 | 880MHz | ldmos | NI-780H-2L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 950 Ma | 27W | 19.2db | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA124TM 、315 | 0.0300 | | 190 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PDTA124 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHX45NQ11T 、127 | - | | 9593 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | PHX45 | モスフェット（金属酸化物） | TO-220F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 110 v | 30.4a | 10V | 25mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 61 NC @ 10 V | ±20V | 2600 PF @ 25 V | - | 62.5W | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAS35,215 | 0.0400 | | 78 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BAS35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PLVA659A/LF1R | - | | 1489 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | PLVA659 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 934069468215 | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYV25G-600,127 | 0.3700 | | 7 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | byv25 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF7S35015HSR3 | - | | 5286 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 65 v | 表面マウント | NI-400S-2S | MRF7 | 3.1GHz3.5GHz | ldmos | NI-400S-2S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 50 Ma | 15W | 16dB | - | 32 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BB156 | 0.0400 | | 33 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | 廃止 | -55°C〜125°C（TJ） | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | SOD-323 | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 2832-BB156 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 5.4pf @ 7.5V、1MHz | シングル | 10 v | 3.9 | C1/C7.5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| buk7y15-100ex | - | | 5637 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | SC-100 、SOT-669 | モスフェット（金属酸化物） | LFPAK56 、POWER-SO8 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | nチャネル | 100 V | 68a（tc） | 10V | 15mohm @ 20a 、10V | 4V @ 1MA | 54.5 NC @ 10 V | ±20V | 3958 PF @ 25 V | - | 195W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMEG3010AESB314 | 0.0400 | | 35 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 9,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF7S16150HSR5 | - | | 2434 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 65 v | シャーシマウント | NI-780S | MRF7 | 1.6GHz1.66GHz | ldmos | NI-780S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.5 a | 32W | 19.7db | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG591,115 | - | | 9602 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 150°C （TJ） | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | BFG59 | 2W | SC-73 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | - | 15V | 200mA | npn | 60 @ 70MA 、8V | 7GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AFT26H160-4S4R3 | - | | 2716 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 65 v | シャーシマウント | NI-880X-4L4S-8 | AFT26 | 2.5GHz | ldmos | NI-880X-4L4S-8 | - | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 935317925128 | ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 500 Ma | 32W | 14.9db | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7540-100A、127 | - | | 9116 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | buk75 | モスフェット（金属酸化物） | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 100 V | 37a（tc） | 10V | 40mohm @ 40a 、10V | 4V @ 1MA | ±20V | 2293 PF @ 25 V | - | 138W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | A2I08H040NR1 | - | | 5353 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 65 v | 表面マウント | TO-270-15 バリアント、フラットリード | A2I08 | 920MHz | ldmos | TO-270WB-15 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.33.0001 | 500 | デュアル | - | 25 Ma | 9W | 30.7dB | - | 28 v |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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