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離散半導体製品（6133）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在-hold（ihmax）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	トライアックタイプ	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	ノイズ図	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	電圧 -テスト	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
PLVA659A/LF1R	-	RFQ	1489	NXP USA Inc.	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ						PLVA659					ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	934069468215	ear99	8541.10.0050	3,000
PHK13N03LT 、518	-	RFQ	4335	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ						PHK13					ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500
BC847C 、235	1.0000	RFQ	2887	NXP USA Inc.	aec-q101	バルク	アクティブ			150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				250 MW	SOT-23	-					ear99	8541.21.0075	1																																			45 v	100 Ma				15NA			npn	400MV @ 5MA 、100mA	420 @ 2MA 、5V	100MHz
BUK764R0-75C 、118	-	RFQ	3523	NXP USA Inc.	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	バルク	アクティブ			-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	-	適用できない	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	0000.00.0000	1			nチャネル						75 v	100a（tc）	10V	4mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA	142 NC @ 10 V	±20V	11659 PF @ 25 V	-	333W （TC）
BZX585-B75,115	-	RFQ	7137	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ	±2％		-65°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523				300 MW	SOD-523	ダウンロード						0000.00.0000	1																													1.1 V @ 100 MA		50 Na @ 52.5 v										75 v	255オーム
PRFX1K80HR5	-	RFQ	6513	NXP USA Inc.	-	ストリップ	廃止		182 v		シャーシマウント	SOT-979A	PRFX1	1.8MHz〜470MHz	ldmos		NI-1230-4H	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1	デュアル			100mA			1800w	24dB																	-
BUK7528-100A、127	0.4700	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	チューブ	アクティブ						buk75					-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000
PDTA113ZS、126	-	RFQ	3139	NXP USA Inc.	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止				穴を通して	to-226-3	PDTA113			500 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	2,000																																			50 v	100 Ma				1µA			pnp-前バイアス	150mv @ 500µa 、10ma	35 @ 5MA 、5V		1 KOHMS	10 Kohms
BB181,135	-	RFQ	8312	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			-55°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	BB181				SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	934055438135	ear99	8541.10.0070	10,000																																		1.055pf @ 28V、1MHz				シングル	30 V											16	C0.5/C28	-
BC327-25,116	-	RFQ	7568	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3	BC32			625 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	2,000																																			45 v	500 Ma				100na（icbo）			PNP	700mv @ 50ma 、500ma	160 @ 100MA、1V	80MHz
buk794r1-40bt、127	-	RFQ	5785	NXP USA Inc.	トレンチプラス	チューブ	廃止			-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-5	buk79		モスフェット（金属酸化物）		TO-220-5	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						40 v	75a（tc）	10V	4.1mohm @ 50a 、10V	4V @ 1MA	83 NC @ 10 V	±20V	6808 PF @ 25 V	温度センシングダイオード	272W
BT136-600E/02,127	-	RFQ	7512	NXP USA Inc.	-	チューブ	廃止			125°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3	BT136				TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	934019080127	ear99	8541.30.0080	5,000	シングル				15 Ma														ロジック -敏感なゲート	600 V	4 a	1.5 v	25a 、27a	10 Ma
BAW56,215	1.0000	RFQ	3215	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ				表面マウント	TO-236-3	BAW56		標準		SOT-23	ダウンロード						0000.00.0000	1		高速回復= <500ns																								1ペア共通アノード	90 v	215ma dc）	1.25 V @ 150 MA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）
on5262,127	-	RFQ	8289	NXP USA Inc.	-	チューブ	アクティブ				穴を通して	TO-220-3	on5262	-	-		TO-220AB	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	934058089127	ear99	8541.29.0095	50	-			-			-	-																	-
BUK7506-75B 、127	-	RFQ	2565	NXP USA Inc.	trenchmos™	チューブ	廃止			-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	buk75		モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						75 v	75a（tc）	10V	5.6mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA	91 NC @ 10 V	±20V	7446 PF @ 25 V	-	300W （TC）
PMEG2002AESF 315	-	RFQ	8362	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ				表面マウント	0201 （0603 メトリック）	PMEG2002		ショットキー		DSN0603-2	ダウンロード						0000.00.0000	1		高速回復= <500ns																									20 v		420 mV @ 200 mA	1.9 ns	45 µA @ 20 V	125°C （最大）	200mA	25pf @ 1V、1MHz
PBRN113ES、126	-	RFQ	3291	NXP USA Inc.	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止				穴を通して	to-226-3	PBRN113			700 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	2,000																																			40 v	800 Ma				500na			npn-バイアス化	1.15V @ 8MA 、800MA	180 @ 300MA 、5V		1 KOHMS	1 KOHMS
BZX84-A3V0,215	0.1100	RFQ	7	NXP USA Inc.	aec-q101	バルク	アクティブ	±1％		-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3				250 MW	SOT-23	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	2,681																													900 mV @ 10 Ma		10 µA @ 1 V										3 v	95オーム
BB181,335	-	RFQ	5673	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			-55°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	BB181				SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	20,000																																		1.055pf @ 28V、1MHz				シングル	30 V											16	C0.5/C28	-
MRF6V2300NBR5	-	RFQ	3717	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		110 v		シャーシマウント	TO-272bb	MRF6	220MHz	ldmos		TO-272 WB-4	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	50				-		900 Ma	300W	25.5dB																	-												50 v
MRF8P20140WHSR3	-	RFQ	1400	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		65 v		表面マウント	NI-780S-4L	MRF8P20140	1.88GHz1.91GHz	ldmos		NI-780S-4L	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	935323134128	5A991G	8541.29.0075	250	デュアル			-		500 Ma	24W	16dB																	-												28 v
BUK7628-55A 、118	-	RFQ	3586	NXP USA Inc.	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	テープ＆リール（ tr）	廃止			-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	Buk76		モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						55 v	42a	10V	28mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA		±20V	1165 PF @ 25 V	-	99W
BFG540W、115	-	RFQ	5677	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			175°C （TJ）	表面マウント	SOT-343逆ピン留め	BFG54			500MW	4-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000								-																											15V	120ma							npn		100 @ 40ma 、8v	9GHz			1.3db〜1.8db @ 900MHz
PZU20B1,115	0.0400	RFQ	83	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ						PZU20					ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000
MRF7S27130HSR3	-	RFQ	3649	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		65 v		シャーシマウント	NI-780S	MRF7	2.7GHz	ldmos		NI-780S	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	935316811128	ear99	8541.29.0075	250				-		1.5 a	23W	16.5dB																	-												28 v
PDZ12B 、115	-	RFQ	7050	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ						PDZ12					ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000
PZM13NB2A 、115	-	RFQ	3632	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％		-	表面マウント	TO-236-3	PZM13			220 MW	SMT3; mpak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																													1.1 V @ 100 MA		100 Na @ 10 V										13 v	10オーム
PSMN2R6-60PSQ127	-	RFQ	8011	NXP USA Inc.	trenchmos™	バルク	アクティブ			-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1			nチャネル						60 V	150a（ta）		2.6mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA	140 NC @ 10 V	±20V	7629 PF @ 25 V	-	326W
psmn010-25ylc 、115	-	RFQ	4953	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			-55°C〜175°C	表面マウント	SC-100 、SOT-669	psmn0		モスフェット（金属酸化物）		LFPAK56 、POWER-SO8	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル						25 v	39a	4.5V 、10V	10.6mohm @ 10a 、10v	1.95V @ 1MA	11 NC @ 10 V	±20V	678 PF @ 12 v	-	30W （TC）
BC858W 、115	1.0000	RFQ	2509	NXP USA Inc.	aec-q101	バルク	アクティブ			150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323				200 MW	SOT-323	ダウンロード					ear99	8541.21.0075	1																																			30 V	100 Ma				15NA			PNP	600MV @ 5MA 、100mA	125 @ 2MA 、5V	100MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²