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離散半導体製品（1062）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
BZB984-C2V4,115	1.0000	RFQ	2756	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-	表面マウント	SOT-663	BZB984-C2V4		265 MW	SOT-663	ダウンロード		0000.00.0000	1	1ペア共通アノード													900 mV @ 10 Ma		50 µA @ 1 V						2.4 v	70オーム
BZX79-C5V6,143	-	RFQ	5295	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX79-C5V6		400 MW	ALF2	ダウンロード		0000.00.0000	1														900 mV @ 10 Ma		1 µA @ 2 V						5.6 v	40オーム
buk7m21-40e、115	1.0000	RFQ	6146	NXP半導体	*	バルク	アクティブ									-		0000.00.0000	1
BZX79-C36143	0.0200	RFQ	90	NXP半導体	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	ear99	8541.10.0050	1
1N4531133	-	RFQ	9164	NXP半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	do-204ag		標準		DO-34	ダウンロード	ear99	8541.10.0070	1													75 v	1 V @ 10 mA	4 ns	25 Na @ 20 V	200°C （最大）	4PF @ 0V、1MHz
BZB84-C2V7,215	-	RFQ	4810	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-	表面マウント	TO-236-3	BZB84-C2V7		300 MW	TO-236AB	ダウンロード		0000.00.0000	1	1ペア共通アノード													900 mV @ 10 Ma		20 µA @ 1 V						2.7 v	100オーム
BZX84J-C47,115	-	RFQ	9645	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F			550 MW	SOD-323F	ダウンロード		0000.00.0000	1														1.1 V @ 100 MA		50 Na @ 32.9 v						47 v	90オーム
PMBT4401/S911,215	0.0200	RFQ	72	NXP半導体	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	ear99	8541.21.0075	1
PDTC144WM 、315	0.0300	RFQ	120	NXP半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SC-101 、SOT-883	PDTC144		250 MW	DFN1006-3	ダウンロード	ear99	8541.21.0095	15,000																			50 v	100 Ma	1µA			npn-バイアス化	150mv @ 500µa 、10ma	60 @ 5MA 、5V		47 Kohms	22 Kohms
PZU9.1B2A 、115	0.0300	RFQ	25	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323			320 MW	SOD-323	ダウンロード		0000.00.0000	11,632														1.1 V @ 100 MA		500 NA @ 6 V						9.1 v	10オーム
BC69-16PA 、115	1.0000	RFQ	8221	NXP半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	3-powerudfn	BC69		420 MW	3-HUSON （2x2）	ダウンロード		0000.00.0000	1																			20 v	2 a	100na（icbo）			PNP	600mv @ 200ma 、2a	100 @ 500MA、1V	140MHz
BAS321115	1.0000	RFQ	1886年	NXP半導体	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	ear99	8541.10.0070	1
BC51-16PA 、115	1.0000	RFQ	2956	NXP半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	3-powerudfn	BC51		420 MW	3-HUSON （2x2）	ダウンロード		0000.00.0000	1																			45 v	1 a	100na（icbo）			PNP	500MV @ 50MA 、500MA	63 @ 150MA 、2V	145MHz
bzx84-c15/ch、235	0.0200	RFQ	100	NXP半導体	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	ear99	8541.10.0050	1
BCP51-10,135	-	RFQ	5939	NXP半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA	BCP51		1 W	SOT-223	ダウンロード		0000.00.0000	1																			45 v	1 a	100na（icbo）			PNP	500MV @ 50MA 、500MA	63 @ 150MA 、2V	145MHz
BAW56W135	-	RFQ	7176	NXP半導体	*	バルク	アクティブ					BAW56W				ダウンロード		0000.00.0000	1
BZB84-C68,215	1.0000	RFQ	6985	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-	表面マウント	TO-236-3	BZB84-C68		300 MW	TO-236AB	ダウンロード		0000.00.0000	1	1ペア共通アノード													900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 47.6 v						68 v	240オーム
BZX84J-B11,115	1.0000	RFQ	7693	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F			550 MW	SOD-323F	ダウンロード		0000.00.0000	1														1.1 V @ 100 MA		100 Na @ 8 V						11 v	10オーム
PMCM6501VPEZ	0.2000	RFQ	7	NXP半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	6-XFBGA 、WLCSP		モスフェット（金属酸化物）		6-wlcsp（1.48x0.98）	ダウンロード	ear99	8541.29.0095	1,528		pチャネル	12 v	6.2a（ta）	1.8V 、4.5V	25mohm @ 3a 、4.5V	900MV @ 250µA	29.4 NC @ 4.5 v	±8V	1400 pf @ 6 v	-	556MW
BZX884-C2V4315	-	RFQ	2439	NXP半導体	*	バルク	アクティブ									ダウンロード		0000.00.0000	1
BC869-16115	0.1100	RFQ	67	NXP半導体	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	ear99	8541.29.0075	1
2PD601ASL 、235	-	RFQ	7114	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3	2PD601		250 MW	TO-236AB	ダウンロード	ear99	8541.21.0075	1																			50 v	100 Ma	10na （icbo）			npn	250MV @ 10MA 、100mA	290 @ 2MA 、10V	100MHz
BZX585-B56,115	-	RFQ	2618	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZX585-B56		300 MW	SOD-523	ダウンロード		0000.00.0000	1														1.1 V @ 100 MA		50 Na @ 39.2 v						56 v	200オーム
1N4737a 、133	-	RFQ	5624	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4737		1 W	DO-41	ダウンロード	ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 5 V						7.5 v	4オーム
BZV90-C10,115	0.1700	RFQ	4	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA			1.5 w	SOT-223	ダウンロード	ear99	8541.10.0050	1,745														1 V @ 50 mA		200 Na @ 7 V						10 v	20オーム
PMV50EENEA215	-	RFQ	4345	NXP半導体	*	バルク	アクティブ					PMV50				ダウンロード	ear99	8541.29.0095	1
PBSS4260QAZ	0.0800	RFQ	305	NXP半導体	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	ear99	8541.21.0075	3,904
PBSS5330PASX	-	RFQ	3171	NXP半導体	-	バルク	アクティブ		175°C （TJ）	表面マウント	3-udfn露出パッド			600 MW	DFN2020D-3	ダウンロード	ear99	8541.29.0075	1																			30 V	3 a	100NA			PNP	320MV @ 300MA、3a	175 @ 1a 、2V	165MHz
PZU3.9B2L 、315	-	RFQ	3873	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-882	PZU3.9		250 MW	DFN1006-2	ダウンロード		0000.00.0000	1														1.1 V @ 100 MA		3 µA @ 1 V						3.9 v	90オーム
PBLS6005D 、115	-	RFQ	8192	NXP半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SC-74、SOT-457	PBLS6005		600MW	6-tsop	ダウンロード		0000.00.0000	1																			50V 、60V	100MA 、700mA	1µA 、100NA			1 NPN 事前にバイアス、 1 PNP	150MV @ 500µA、 10MA / 340MV @ 100MA、1A	80 @ 5MA 、5V / 150 @ 500MA 、5V	185MHz	47kohms	47kohms

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²