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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
SI6467DQ Fairchild Semiconductor SI6467DQ -
RFQ
 ECAD 4638 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） モスフェット（金属酸化物） 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 1 pチャネル 20 v 9.2a 1.8V 、4.5V 12mohm @ 9.2a 、4.5V 1.5V @ 250µA 96 NC @ 4.5 v ±8V 5878 PF @ 10 V - 600MW
SI6463DQ Fairchild Semiconductor SI6463DQ 0.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） モスフェット（金属酸化物） 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 2,500 pチャネル 20 v 8.8a（ta） 2.5V 、4.5V 12.5mohm @ 8.8a 、4.5V 1.5V @ 250µA 66 NC @ 4.5 v ±12V 5045 PF @ 10 V - 600MW
SFW9510TM Fairchild Semiconductor SFW9510TM 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 100 V 3.6a（tc） 10V 1.2OHM @ 1.8A 、10V 4V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±30V 335 PF @ 25 V - 3.8W （TA）、 32W （TC）
RFD16N05SM_NL Fairchild Semiconductor RFD16N05SM_NL -
RFQ
 ECAD 2706 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 387 nチャネル 50 v 16a（tc） 10V 47mohm @ 16a 、10V 4V @ 250µA 80 NC @ 20 V ±20V 900 pf @ 25 V - 72W
HUFA75333G3 Fairchild Semiconductor hufa75333g3 0.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 55 v 66a（tc） 10V 16mohm @ 66a 、10V 4V @ 250µA 85 NC @ 20 V ±20V 1300 PF @ 25 V - 150W
SFS9630 Fairchild Semiconductor SFS9630 0.4100
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 200 v 4.4a（tc） 10V 800mohm @ 2.2a 、10V 4V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±30V 965 PF @ 25 V - 33W （TC）
SFS9634 Fairchild Semiconductor SFS9634 0.3900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 250 v 3.4a（tc） 10V 1.30OHM @ 1.7A 、10V 4V @ 250µA 37 NC @ 10 V ±30V 975 PF @ 25 V - 33W （TC）
ISL9N306AD3ST Fairchild Semiconductor ISL9N306AD3ST 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 50a（tc） 4.5V 、10V 6mohm @ 50a 、10V 3V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±20V 3400 PF @ 15 V - 125W （TA
SFR2955TM Fairchild Semiconductor SFR2955TM 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 60 V 7.6a 10V 300mohm @ 3.8a 、10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 V ±20V 600 PF @ 25 V - 2.5W
RF1K49092 Fairchild Semiconductor RF1K49092 0.5200
RFQ
 ECAD 9021 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Littlefet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） RF1K4 モスフェット（金属酸化物） 2W （TA） 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 3 nおよびpチャネル 12V 3.5a 50mohm @ 3.5a 2V @ 250µA 25NC @ 10V 、24NC @ 10V 750pf @ 10V 、775pf @ 10V -
HUFA76443P3_NL Fairchild Semiconductor hufa76443p3_nl -
RFQ
 ECAD 9179 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 237 nチャネル 60 V 75a（tc） 4.5V 、10V 8mohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 129 NC @ 10 V ±16V 4115 PF @ 25 V - 260W
SFR9224TF Fairchild Semiconductor SFR9224TF 0.2800
RFQ
 ECAD 167 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 250 v 2.5a 10V 2.4OHM @ 1.3A 、10V 4V @ 250µA 20 NC @ 10 V ±30V 540 PF @ 25 V - 2.5w
SFU9230BTU Fairchild Semiconductor SFU9230BTU 0.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 200 v 5.4a（tc） 10V 800mohm @ 2.7a 、10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±30V 1000 pf @ 25 v - 2.5W
MPS6521D26Z Fairchild Semiconductor MPS6521D26Z 0.0500
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 MPS6521 625 MW to-92-3 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 2,000 25 v 100 Ma 50na（icbo） npn 500MV @ 5MA 、50ma 300 @ 2MA 、10V -
SI3445DV Fairchild Semiconductor SI3445DV 0.1200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 モスフェット（金属酸化物） SuperSot™-6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 1 pチャネル 20 v 5.5a（ta） 1.8V 、4.5V 33mohm @ 5.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 30 NC @ 4.5 v ±8V 1926 PF @ 10 V - 800MW
SI6953DQ Fairchild Semiconductor SI6953DQ 0.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） SI6953 モスフェット（金属酸化物） 600MW 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 2,500 2 P-Channel （デュアル） 20V 1.9a（ta） 170mohm @ 1.9a 、10V 3V @ 250µA 10NC @ 10V 218pf @ 10V -
RURD660S Fairchild Semiconductor rurd660s 1.0000
RFQ
 ECAD 6699 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント to-252-3 雪崩 TO-252 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 600 V 1.5 V @ 6 a 60 ns 100 µA @ 600 V -65°C〜175°C 6a -
ISL9N2357D3ST Fairchild Semiconductor ISL9N2357D3ST 1.0200
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 35a（tc） 10V 7mohm @ 35a 、10V 4V @ 250µA 258 NC @ 20 V ±20V 5600 PF @ 25 V - 100W （TC）
SFW9520TM Fairchild Semiconductor SFW9520TM 0.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 100 V 6a（tc） 10V 600mohm @ 3a 、10V 4V @ 250µA 20 NC @ 10 V ±30V 550 PF @ 25 V - 3.8W
RFD16N05LSM_NL Fairchild Semiconductor RFD16N05LSM_NL -
RFQ
 ECAD 5616 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 50 v 16a 4V、5V 47mohm @ 16a 、5v 2V @ 250ma 80 NC @ 10 V ±10V - 60W
FDME0106NZT Fairchild Semiconductor FDME0106NZT 0.1600
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-powerufdfn モスフェット（金属酸化物） マイクロフェット1.6x1.6薄い ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 5,000 nチャネル 20 v 9a（ta） 1.8V 、4.5V 18mohm @ 9a 、4.5v 1V @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 v ±12V 865 PF @ 10 V - 700MW
FDS3682_NL Fairchild Semiconductor FDS3682_NL 0.8300
RFQ
 ECAD 704 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 100 V 6a（ta） 6V 、10V 35mohm @ 6a 、10V 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 1300 PF @ 25 V - 2.5W
1N457A_NL Fairchild Semiconductor 1N457A_NL -
RFQ
 ECAD 6215 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 標準 SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 70 v 1 V @ 10 mA 25 na @ 60 v 175°C （最大） 200mA 6PF @ 0V、1MHz
FDS7766 Fairchild Semiconductor FDS7766 0.9400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 17a（ta） 4.5V 、10V 5mohm @ 17a 、10V 3V @ 250µA 69 NC @ 5 V ±16V 4973 PF @ 15 V - 1W
1N4750A_NL Fairchild Semiconductor 1N4750A_NL 0.0500
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0050 6,662 5 µA @ 20.6 v 27 v 35オーム
FDZ2552P Fairchild Semiconductor FDZ2552P 1.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 18-wfbga FDZ25 モスフェット（金属酸化物） 2.1W 18-bga （2.5x4） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 2 P-Channel（Dual）共通ドレイン 20V 5.5a（ta） 45mohm @ 5.5a 、4.5V 1.5V @ 250µA 13NC @ 4.5V 884pf @ 10V -
FDS6990S Fairchild Semiconductor FDS6990S 0.9400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FDS6990 モスフェット（金属酸化物） 900MW 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 2,500 2 nチャンネル（デュアル） 30V 7.5a（ta） 22mohm @ 7.5a 、10V 3V @ 1MA 16NC @ 5V 1233pf @ 15V -
FDU6696 Fairchild Semiconductor FDU6696 0.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 13a 4.5V 、10V 8mohm @ 13a 、10v 3V @ 250µA 24 NC @ 5 V ±16V 1715 PF @ 15 V - 1.6W
IRFR430BTM Fairchild Semiconductor IRFR430BTM 0.2700
RFQ
 ECAD 264 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 500 V 3.5a 10V 1.5OHM @ 1.75A 、10V 4V @ 250µA 33 NC @ 10 V ±30V 1050 PF @ 25 V - 2.5W
1N5235BTA Fairchild Semiconductor 1N5235BTA 0.0600
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ 200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000 1.1 V @ 200 mA 3 µA @ 4.8 v 6.8 v 5オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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