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離散半導体製品（5251）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	テスト条件	得	現在	電圧	電圧 -分離	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
1N5235BTR	0.0200	RFQ	254	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸					500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ear99	8541.10.0050	1																						1.2 V @ 200 mA		3 µA @ 5 V															6.8 v	5オーム
FDS6890A	-	RFQ	7131	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		FDS6890		モスフェット（金属酸化物）	900MW	8-SOIC	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	1	2 nチャンネル（デュアル）								20V	7.5a		18mohm @ 7.5a 、4.5V	1.5V @ 250µA	32NC @ 4.5V		2130pf @ 10V	ロジックレベルゲート
FDMC7680	0.6100	RFQ	11	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-POWERWDFN				モスフェット（金属酸化物）		8-mlp （3.3x3.3）	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	492			nチャネル						30 V	14.8a	4.5V 、10V	7.2mohm @ 14.8a、10V	3V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	2855 PF @ 15 V	-	2.3W
FDS8876	0.5000	RFQ	562	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）				モスフェット（金属酸化物）		8-SOIC	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	1			nチャネル						30 V	12.5a（ta）	4.5V 、10V	8.2mohm @ 12.5a 、10V	2.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	1650 PF @ 15 V	-	2.5W
DFB2505	1.6400	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、TS-6p		DFB25		標準		TS-6P	ダウンロード	ear99	8541.10.0080	199																						1.1 V @ 25 a		10 µA @ 50 V		25 a										単相	50 v
KST10MTF	-	RFQ	3534	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-	表面マウント	TO-236-3					350MW	SOT-23-3	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	1					-																								25V	-											npn		60 @ 4MA 、10V	650MHz			-
FDPF041N06BL1	1.1500	RFQ	755	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック				モスフェット（金属酸化物）		TO-220F-3	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	283			nチャネル						60 V	77a（tc）	10V	4.1mohm @ 77a 、10v	4V @ 250µA	69 NC @ 10 V	±20V	5690 PF @ 30 V	-	44.1W
FDG311N	0.1900	RFQ	89	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363				モスフェット（金属酸化物）		SC-88	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	1			nチャネル						20 v	1.9a（ta）	2.5V 、4.5V	115mohm @ 1.9a 、4.5V	1.5V @ 250µA	4.5 NC @ 4.5 v	±8V	270 pf @ 10 v	-	750MW
1N5352BRLG	-	RFQ	2884	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	T-18 、軸					5 W	軸	ダウンロード	ear99	8541.10.0050	1																						1.2 V @ 1 a		1 µA @ 11.5 v															15 V	2.5オーム
FGA30N60LSDTU	2.9000	RFQ	551	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	to-3p-3、SC-65-3		FGA30N60	標準		480 w	to-3p	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	104				400V、30A 、6.8OHM、15V																			35 ns					トレンチフィールドストップ	600 V	60 a	90 a	1.4V @ 15V 、30A	1.1MJ	225 NC	18ns/250ns
FDMS3624S	-	RFQ	6729	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn		FDMS3624		モスフェット（金属酸化物）	2.2W	8-PQFN	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	1	2 n チャネル（デュアル）非対称								25V	17.5a		1.8mohm @ 30a、10v	2V @ 250µA、2.2V @ 1MA	26NC @ 10V 、59NC @ 10V		1570pf @ 13V 、4045pf @ 13V	-
FDP100N10	1.8900	RFQ	2	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）		TO-220-3	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	159			nチャネル						100 V	75a（tc）	10V	10mohm @ 75a 、10V	4.5V @ 250µA	100 NC @ 10 V	±20V	7300 PF @ 25 V	-	208W
FDMS7570S	0.5400	RFQ	17	フェアチャイルド半導体	Powertrench®、Syncfet™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn				モスフェット（金属酸化物）		8-PQFN	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	558			nチャネル						25 v	28a（タタ）、49a（tc）	4.5V 、10V	1.95mohm @ 28a 、10v	3V @ 1MA	69 NC @ 10 V	±20V	4515 PF @ 13 V	-	2.5W （TA ）、83W（TC）
FGH60N60SFTU	3.7100	RFQ	9	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ											ダウンロード	ear99	8542.39.0001	81
1N4737ATR	0.0300	RFQ	12	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸		1N4737			1 W	DO-41	ダウンロード	ear99	8541.10.0050	1																								10 µA @ 5 V															7.5 v	4オーム
FDFMA3P029Z	0.2500	RFQ	2	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	6-wdfn露出パッド				モスフェット（金属酸化物）		6-MLP （2x2）	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	1			pチャネル						30 V	3.3a（ta）		87mohm @ 3.3a 、10V	3V @ 250µA	10 NC @ 10 V		435 PF @ 15 V	ショットキーダイオード（分離）	1.4W
BC33740BU	-	RFQ	7351	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-226-3					625 MW	to-92-3	-		0000.00.0000	1																													45 v	800 Ma								100NA			npn	700mv @ 50ma 、500ma	250 @ 100MA、1V	100MHz
1N4745ATR	0.0300	RFQ	16	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸		1N4745			1 W	DO-41	ダウンロード	ear99	8541.10.0050	10,193																								5 µA @ 12.2 v															16 v	16オーム
1N4753A-T50A	0.0300	RFQ	69	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸					1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ear99	8541.10.0050	9,366																								5 µA @ 27.4 v															36 v	50オーム
BZX79C15	0.0300	RFQ	274	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸					500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ear99	8541.10.0050	11,539																						1.5 V @ 100 MA		50 Na @ 10.5 v															15 V	30オーム
bav99wt1g	1.0000	RFQ	3243	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SC-70、SOT-323		bav99		標準		SC-70-3	ダウンロード	ear99	8541.10.0070	1		高速回復= <500ns																	1ペアシリーズ接続	100 V	215ma dc）	1.25 V @ 150 MA	6 ns	2.5 µA @ 70 V	-65°C〜150°C
1N5231BTR	-	RFQ	1610	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸					500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ear99	8541.10.0050	1																						1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V															5.1 v	17オーム
1N5234BTR	0.0200	RFQ	470	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸					500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ear99	8541.10.0050	1																						1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 4 V															6.2 v	7オーム
FFD08S60S-F085	-	RFQ	2501	フェアチャイルド半導体	自動車、AEC-Q101、ステルス™II	バルク	アクティブ			表面マウント	to-252-3				標準		TO-252	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	1		高速回復= <500ns																		600 V		2.6 V @ 8 a	30 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	8a	-
BD17510STU	-	RFQ	3315	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-225AA、to-126-3					30 W	TO-126-3	ダウンロード	ear99	8541.29.0095	553																													45 v	3 a								100µa（icbo）			npn	800mv @ 100ma、1a	63 @ 150MA 、2V	3MHz
PN2222ata	1.0000	RFQ	6789	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	to-226-3					625 MW	to-92-3	-		0000.00.0000	1																													40 v	1 a								10na （icbo）			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	300MHz
fcpf7n60ydtu	1.0100	RFQ	3	フェアチャイルド半導体	Superfet™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3 フルパック、形成されたリード				モスフェット（金属酸化物）		TO-220F-3	ダウンロード	ear99	8541.29.0095	1			nチャネル						600 V	7a（tc）	10V	600mohm @ 3.5a 、10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	920 PF @ 25 V	-	31W （TC）
FAM65V05DF1	41.0100	RFQ	15	フェアチャイルド半導体	AutoSpm®	バルク	アクティブ			穴を通して	27-POWERDIP モジュール（0.300 "、7.62mm）	IGBT						ダウンロード	ear99	8542.39.0001	1	3フェーズ					50 a	650 V	2500VRMS
FDPF12N50NZ	0.9800	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	unifet-ii™	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック				モスフェット（金属酸化物）		TO-220F-3	ダウンロード	ear99	8541.29.0095	306			nチャネル						500 V	11.5a	10V	520MOHM @ 5.75A 、10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±25V	1235 PF @ 25 V	-	42W
fjv3114rmtf	0.0300	RFQ	2898	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止			表面マウント	TO-236-3		FJV311			200 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	1																													50 v	100 Ma								100na（icbo）			npn-バイアス化	300MV @ 500µA 、10mA	68 @ 5MA 、5V	250 MHz	4.7 Kohms	47 Kohms

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²