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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 入力容量（ cies @ vce
SSR4N60BTM Fairchild Semiconductor SSR4N60BTM 1.0000
RFQ
 ECAD 6413 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 2.8a（tc） 10V 2.5OHM @ 1.4A 、10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±30V 920 PF @ 25 V - 2.5W
SSR2N60BTF Fairchild Semiconductor SSR2N60BTF 0.1900
RFQ
 ECAD 196 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 1.8a 10V 5OHM @ 900MA 、10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 25 V - 2.5W （TA ）、44W（TC）
SSS10N60B Fairchild Semiconductor SSS10N60B 0.7100
RFQ
 ECAD 470 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 470 nチャネル 600 V 9a（tj） 10V 800mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±30V 2700 PF @ 25 V - 50W （TC）
SSS1N60B Fairchild Semiconductor SSS1N60B 0.1400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 1a（tj） 10V 12OHM @ 500MA 、10V 4V @ 250µA 7.7 NC @ 10 V ±30V 215 PF @ 25 V - 17W （TC）
SSP1N60B Fairchild Semiconductor SSP1N60B 0.1500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 1a（tc） 10V 12OHM @ 500MA 、10V 4V @ 250µA 7.7 NC @ 10 V ±30V 215 PF @ 25 V - 34W （TC）
SSF7N60B Fairchild Semiconductor SSF7N60B -
RFQ
 ECAD 6587 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3フルパック モスフェット（金属酸化物） to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 5.4a（tc） 10V 1.2OHM @ 2.7A 、10V 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 25 v - 86W
SSP4N90A Fairchild Semiconductor SSP4N90A -
RFQ
 ECAD 2494 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 900 V 4a（tc） 10V 5OHM @ 2A 、10V 3.5V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±30V 950 PF @ 25 V - 120W （TC）
SFU9024TU Fairchild Semiconductor SFU9024TU -
RFQ
 ECAD 7397 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 60 V 7.8a 10V 280mohm @ 3.9a 、10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 V ±30V 600 PF @ 25 V - 2.5W
SSR2N60B Fairchild Semiconductor SSR2N60B 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 1.8a 10V 5OHM @ 900MA 、10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 25 V - 2.5W （TA ）、44W（TC）
SFS9Z34 Fairchild Semiconductor SFS9Z34 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 60 V 12a（tc） 10V 140mohm @ 6a 、10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±30V 1155 PF @ 25 V - 36W （TC）
SFP9644 Fairchild Semiconductor SFP9644 0.7100
RFQ
 ECAD 3327 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 322 pチャネル 250 v 8.6a（tc） 10V 800mohm @ 4.3a 、10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 V ±30V 1565 PF @ 25 V - 123W
SFR9220TM Fairchild Semiconductor SFR9220TM 1.0000
RFQ
 ECAD 3228 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 200 v 3.1a（tc） 10V 1.5OHM @ 1.6A 、10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 V ±30V 540 PF @ 25 V - 2.5w
SFR2955TF Fairchild Semiconductor SFR2955TF 0.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 60 V 7.6a 10V 300mohm @ 3.8a 、10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 V ±20V 600 PF @ 25 V - 2.5W
SFP9614 Fairchild Semiconductor SFP9614 0.3000
RFQ
 ECAD 2635 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 726 pチャネル 250 v 1.6a（tc） 10V 4OHM @ 800MA 、10V 4V @ 250µA ±30V 295 PF @ 25 V - 20W （TC）
RF1K4915496 Fairchild Semiconductor RF1K4915496 0.7500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Littlefet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） RF1K4 モスフェット（金属酸化物） 2W （TA） 8-SOIC ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 2,500 2 nチャンネル（デュアル） 60V 2a（ta） 130mohm @ 2a 、10V 4V @ 250µA 32NC @ 20V 340pf @ 25V -
RF1K4909396 Fairchild Semiconductor RF1K4909396 0.6200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Littlefet™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） RF1K4 モスフェット（金属酸化物） 2W （TA） 8-SOIC ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 2,500 2 P-Channel （デュアル） 12V 2.5a（ta） 130mohm @ 2.5a 、5v 2V @ 250µA 24NC @ 10V 775pf @ 10V ロジックレベルゲート
SFS9640 Fairchild Semiconductor SFS9640 0.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 200 v 6.2a（tc） 10V 500mohm @ 3.1a 、10V 4V @ 250µA 59 NC @ 10 V ±30V 1585 PF @ 25 V - 40W （TC）
SFU9034TU Fairchild Semiconductor SFU9034TU 0.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 60 V 14a（tc） 10V 140mohm @ 7a、10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±25V 1155 PF @ 25 V - 2.5W
RF1S70N06SM9A Fairchild Semiconductor RF1S70N06SM9A 2.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 pspice® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 60 V 70a 10V 14mohm @ 70a 、10V 4V @ 250µA 215 NC @ 20 V ±20V 3000 pf @ 25 v - 150W
RF1S70N06SM Fairchild Semiconductor RF1S70N06SM 2.2500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 pspice® バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 60 V 70a 10V 14mohm @ 70a 、10V 4V @ 250µA 215 NC @ 20 V ±20V 3000 pf @ 25 v - 150W
SFW2955TM Fairchild Semiconductor SFW2955TM 0.4000
RFQ
 ECAD 5792 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 540 pチャネル 60 V 9.4a（tc） 10V 300mohm @ 4.7a 、10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 V ±20V 600 PF @ 25 V - 3.8W
SFR9230BTM Fairchild Semiconductor SFR9230BTM -
RFQ
 ECAD 5320 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 200 v 5.4a（tc） 10V 800mohm @ 2.7a 、10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±30V 1000 pf @ 25 v - 2.5W
RF1S9640SM9A Fairchild Semiconductor RF1S9640SM9A 1.6400
RFQ
 ECAD 1199 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） TO-263AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 165 pチャネル 200 v 11a（tc） 10V 500mohm @ 6a 、10V 4V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 25 V - 125W
FMC7G50US60 Fairchild Semiconductor FMC7G50US60 -
RFQ
 ECAD 3299 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント モジュール 200 W 三相ブリッジ整流器 - ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 2 ブレーキ付きの3相インバーター - 600 V 50 a 2.8V @ 15V 、50a 250 µA いいえ 3.46 NF @ 30 V
FMG1G200US60L Fairchild Semiconductor FMG1G200US60L 55.6300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント モジュール 695 w 標準 - ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 シングル - 600 V 200 a 2.7V @ 15V 、200A 250 µA いいえ
HP4936DY Fairchild Semiconductor HP4936DY 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） HP4936 モスフェット（金属酸化物） 2W （TA） 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル（デュアル） 30V 5.8a（ta） 37mohm @ 5.8a 、10V 1V @ 250µA 25NC @ 10V 625pf @ 25V ロジックレベルゲート
HGTG20N60B3_NL Fairchild Semiconductor HGTG20N60B3_NL 1.5900
RFQ
 ECAD 9472 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ 穴を通して TO-247-3 標準 165 W TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 22 - - 600 V 40 a 160 a 2V @ 15V、 20a - 135 NC -
FMG1G150US60H Fairchild Semiconductor FMG1G150US60H 55.2800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント モジュール 595 w 標準 - ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 シングル - 600 V 150 a 2.7V @ 15V 、150a 250 µA いいえ
HP4410DYT Fairchild Semiconductor hp4410dyt 0.5900
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet® バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 30 V 10a（ta） 4.5V 、10V 135mohm @ 10a 、10V 1V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±16V 1600 pf @ 25 v - 2.5W
IRF620B Fairchild Semiconductor IRF620B -
RFQ
 ECAD 1948年年 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 200 v 5a（tc） 10V 800mohm @ 2.5a 、10V 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ±30V 390 PF @ 25 V - 47W （TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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