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離散半導体製品（5251）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	フェットタイプ	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
FQD24N08TF	-	RFQ	5283	フェアチャイルド半導体	QFET®	バルク	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3		モスフェット（金属酸化物）		TO-252	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	798		nチャネル		80 v	19.6a（tc）	10V	60mohm @ 9.8a 、10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	750 PF @ 25 V	-	2.5W （TA ）、50W（TC）
ksa812ymtf	-	RFQ	7403	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			150 MW	SOT-23-3	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-KSA812YMTF-600039			1																							50 v	100 Ma	100na（icbo）			PNP	300MV @ 10MA 、100mA	135 @ 1MA 、6V	180MHz
KSC1674CYTA	0.0200	RFQ	322	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3			250MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0075	2,000			-																				20V	20ma				npn		120 @ 1MA 、6V	600MHz	3DB〜5DB @ 100MHz
MJE210STU-FS	-	RFQ	5013	フェアチャイルド半導体	MJE210	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA			15 W	SOT-223	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1																							25 v	5 a	100na（icbo）			PNP	1.8V @ 1a 、5a	70 @ 500MA、1V	65MHz
hufa76407d3	0.2300	RFQ	10	フェアチャイルド半導体	ultrafet™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3		モスフェット（金属酸化物）		i-pak	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	75		nチャネル		60 V	12a（tc）	4.5V 、10V	92mohm @ 13a 、10V	3V @ 250µA	11.3 NC @ 10 V	±16V	350 PF @ 25 V	-	38W
FFP06U20DNTU	0.2000	RFQ	2	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3		標準		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns													1ペア共通カソード	200 v	6a	1.2 V @ 6 a	35 ns	6 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
PN2222ABU	-	RFQ	4933	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3			625 MW	to-92-3	ダウンロード					ear99	8541.21.0075	1																							40 v	1 a	10na （icbo）			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	300MHz
KST56MTF	0.0200	RFQ	86	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-	表面マウント	TO-236-3			350 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	3,000																							80 v	500 Ma	100NA			PNP	250MV @ 10MA 、100mA	50 @ 100MA、1V	50MHz
MJD117TF-FS	-	RFQ	6953	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	to-252-3			1.75 w	d-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	0000.00.0000	1																							100 V	2 a	20µA			pnp-ダーリントン	3V @ 40MA 、4a	1000 @ 2a 、3V	25MHz
KSH31TF	0.2300	RFQ	3	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	to-252-3			1.56 w	TO-252	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-ksh31tf	ear99	8541.29.0095	1																							40 v	3 a	50µA			npn	1.2V @ 375MA、3a	25 @ 1a 、4V	3MHz
FFPF06U150STU	0.2300	RFQ	9529	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2フルパック		標準		TO-220F-2L	-	ROHS3準拠			2156-FFPF06U150STU-FS	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns														1500 v		1.8 V @ 6 a	150 ns	10 µA @ 1500 V	-65°C〜150°C	6a	-
NJVMJD122T4G-VF01	-	RFQ	2669	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-65°C〜150°C	表面マウント	to-252-3			1.75 w	dpak	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1																							100 V	8 a	10µA			npn-ダーリントン	4V @ 8a 、80ma	1000 @ 4a 、4V	-
MJE171STU	-	RFQ	3594	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	TO-225AA、to-126-3			1.5 w	TO-126-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0075	60																							60 V	3 a	100na（icbo）			PNP	1.7V @ 600MA、3a	50 @ 100MA、1V	50MHz
FJP13007H1TU	-	RFQ	6327	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3			80 w	TO-220-3	ダウンロード		未定義のベンダー	未定義のベンダー	2156-FJP13007H1TU-600039			1																							400 V	8 a	-			npn	3V @ 2a 、8a	15 @ 2a 、5V	4MHz
MJD47TF-FS	0.3400	RFQ	86	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-65°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	MJD47		1.56 w	TO-252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	0000.00.0000	2,000																									200µA			npn	1V @ 200MA、1a	30 @ 300MA 、10V	10MHz
SS9013FBU	0.0200	RFQ	32	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	TO-226-3			625 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0095	15,000																							20 v	500 Ma	100na（icbo）			npn	600mv @ 50ma 、500ma	78 @ 50MA、1V	-
BC859BMTF	0.0200	RFQ	70	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3	BC859		310 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	3,000																							30 V	100 Ma	15NA			PNP	650mv @ 5ma 、100ma	200 @ 2MA 、5V	150MHz
SS9012GBU	0.0200	RFQ	318	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-226-3			625 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																							20 v	500 Ma	100na（icbo）			PNP	600mv @ 50ma 、500ma	64 @ 50ma、1V	-
2SA1699E-PM-AA	0.5300	RFQ	2	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ									ダウンロード		未定義のベンダー	未定義のベンダー	2156-2SA1699E-PM-AA-600039			1
MMBT3640	-	RFQ	6693	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			225 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1																							12 v	200 ma	10na			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	30 @ 10ma、300mv	500MHz
KSE182STU	-	RFQ	7975	フェアチャイルド半導体	-	チューブ	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	TO-225AA、to-126-3			1.5 w	TO-126-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0075	1,745																							80 v	3 a	100na（icbo）			npn	1.7V @ 600MA、3a	50 @ 100MA、1V	50MHz
KST2222AMTF	-	RFQ	3847	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-	表面マウント	TO-236-3			350 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	3,000																							40 v	600 Ma	10na （icbo）			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	300MHz
FMBA14	0.1900	RFQ	12	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	SOT-23-6薄い、TSOT-23-6	FMBA1		700mw	SuperSot™-6	ダウンロード					ear99	8541.21.0095	1,750																							30V	1.2a	100na（icbo）			2 NPN （デュアル）	1.5V @ 100µA 、100mA	20000 @ 100MA 、5V	1.25MHz
BZX84C12	-	RFQ	6397	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止	±5.42％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			250 MW	SOT-23-3	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-BZX84C12-600039			1																	900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 8 V							12 v	10オーム
KSD363YTU	-	RFQ	8209	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3			40 W	TO-220-3	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1																							120 v	6 a	1ma			npn	1V @ 100MA、1a	120 @ 1a 、5V	10MHz
BCX79	1.0000	RFQ	6250	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3			625 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0095	2,000																							45 v	500 Ma	10na			PNP	600MV @ 2.5MA 、100MA	80 @ 10ma、1V	-
MPSA12	0.0500	RFQ	27	フェアチャイルド半導体	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	to-226-3			625 MW	to-92（to-226）	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.21.0095	5,000																							20 v		100na（icbo）			npn-ダーリントン	1V @ 10µA 、10mA	20000 @ 10MA 、5V	-
KST5551MTF	1.0000	RFQ	4546	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3	KST55		350 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	3,000																							160 v	600 Ma	50na（icbo）			npn	200mV @ 5MA 、50mA	80 @ 10ma 、5v	300MHz
KSH210TM	0.3600	RFQ	95	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	to-252-3	KSH21		1.4 w	d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	0000.00.0000	2,500																							25 v	5 a	100na（icbo）			PNP	1.8V @ 1a 、5a	45 @ 2a、1V	65MHz
but11tu	0.4000	RFQ	16	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3			100 W	TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1																							400 V	5 a	1ma			npn	1.5V @ 600MA、3a	-	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²