RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

離散半導体製品（5251）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在	電圧	電圧 -分離	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
FDD6770A	0.7100	RFQ	4	フェアチャイルド半導体	PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		FDD677	モスフェット（金属酸化物）		d-pak（to-252）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1			nチャネル				25 v	24a（タタ）、50a（tc）	4.5V 、10V	4mohm @ 24a 、10V	3V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	2405 PF @ 13 V	-	3.7W （Ta ）、65w（tc）
SS24	0.0900	RFQ	5399	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB		SS24	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	8541.10.0080	11		高速回復= <500ns															40 v	500 mV @ 2 a	400 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	2a	-
FDMS9408L-F085	-	RFQ	7461	フェアチャイルド半導体	Automotive、AEC-Q101 、PowerTrench®	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）		8-PQFN	-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1			nチャネル				40 v	80a（tc）		1.7mohm @ 80a 、10V	3V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	5750 PF @ 20 V	-	214W （TJ）
MMSZ5255B	1.0000	RFQ	1316	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123				500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mV @ 10 Ma	100 Na @ 21 V							28 v	44オーム
FDS9431	-	RFQ	7646	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ						FDS99	-			-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー			1															-
FDP2710_SN00168	1.0000	RFQ	5684	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ						FDP2710	-			-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	1															-
D45C11	0.3600	RFQ	2	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		D45c		60 W	TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1																							80 v	4 a	10µA			PNP	500mv @ 50ma、1a	40 @ 200ma、1V	32MHz
MMSZ5257B	1.0000	RFQ	5408	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-	表面マウント	SOD-123		MMSZ52		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mV @ 10 Ma	100 Na @ 25 V							5.1 v	41オーム
IRF614BFP001	1.0000	RFQ	7644	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）		TO-220F-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	1			nチャネル				250 v	2.8a（tc）		2OHM @ 1.4A 、10V	4V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	275 pf @ 25 v	-	40W （TC）
1N5253B	3.7600	RFQ	483	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	80																		1.2 V @ 200 mA	100 na @ 19 v							25 v	35オーム
BD239BTU	0.2600	RFQ	4	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3		BD239		30 W	TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1,158																							80 v	2 a	300µA			npn	700mv @ 200ma、1a	15 @ 1a 、4V	-
MMBZ5248B	0.0200	RFQ	2130	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-	表面マウント	TO-236-3		MMBZ52		300 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mV @ 10 Ma	100 Na @ 14 V							18 v	21オーム
hufa75321d3st	0.4200	RFQ	79	フェアチャイルド半導体	自動車、AEC-Q101	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		hufa75	モスフェット（金属酸化物）		TO-252AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	0000.00.0000	2,500			nチャネル				55 v	20a（tc）	10V	36mohm @ 20a 、10V	4V @ 250µA	44 NC @ 20 V	±20V	680 PF @ 25 V	-	93W
FCI17N60	-	RFQ	7348	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ						FCI17	-			-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー			1															-
NTMFS4936NCT1G	0.3300	RFQ	15	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn		NTMFS4936	モスフェット（金属酸化物）		5-dfn	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル				30 V	11.6a	4.5V 、10V	3.8mohm @ 30a 、10V	2.2V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	3044 PF @ 15 V	-	920MW
BD442STU	0.1900	RFQ	4	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-225AA、to-126-3		BD442		36 W	TO-126-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1																							80 v	4 a	100µA			PNP	800mv @ 200ma 、2a	40 @ 500MA、1V	3MHz
FDBL86210	-	RFQ	8016	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ						FDBL862	-			-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	2,000															-
FJX2907ATF	-	RFQ	8317	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-	表面マウント	SC-70、SOT-323		FJX290		325 MW	SC-70 （SOT323）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	3,000																							60 V	600 Ma	10na （icbo）			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	200MHz
FCH041N65EF	8.3400	RFQ	110	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ						FCH041	-			-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1															-
MMBTA63	0.0300	RFQ	1	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3		MMBTA63		350 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0075	3,000																							30 V	1.2 a	100na（icbo）			pnp-ダーリントン	1.5V @ 100µA 、100mA	10000 @ 100MA 、5V	125MHz
MMSD459A	-	RFQ	5817	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SOD-123		MMSD45	標準		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	3,000		標準回復> 500ns																		150°C （最大）	-	-
MMBZ5253B	0.0200	RFQ	170	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	-	表面マウント	TO-236-3		MMBZ52		300 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	756																		900 mV @ 10 Ma	100 na @ 19 v							25 v	35オーム
FYD0504SATM	-	RFQ	5460	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	to-252-3		FYD05	ショットキー		d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	8541.10.0080	2,500		高速回復= <500ns															40 v	550 mv @ 5 a	1 MA @ 40 V	-65°C〜150°C	5a	-
FNB50560TD1	7.4400	RFQ	212	フェアチャイルド半導体	モーションSPM®55	バルク	アクティブ			穴を通して	20-POWERDIP モジュール（1.220 "、31.00mm）	IGBT	FNB50				ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	影響を受けた	ear99	8542.39.0001	1	3相インバーター			5 a	600 V	1500VRMS
MMSZ5246B	1.0000	RFQ	8636	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123				500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mV @ 10 Ma	100 na @ 12 v							16 v	17オーム
FQPF13N50C	1.2000	RFQ	17	フェアチャイルド半導体	QFET®	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック		FQPF1	モスフェット（金属酸化物）		TO-220F	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けた	ear99	0000.00.0000	1			nチャネル				500 V	13a（tc）	10V	480mohm @ 6.5a 、10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	2055 PF @ 25 V	-	48W （TC）
FDMS5361L	0.4600	RFQ	5	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ						FDMS5361	-			-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	3,000															-
MBRS130	-	RFQ	4855	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB			ショットキー		SMB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	8541.10.0080	929		高速回復= <500ns															30 V	550 mV @ 1 a	1 mA @ 30 v	-65°C〜125°C	1a	-
KSC945CGBU	0.0200	RFQ	257	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-226-3				250 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1																							50 v	150 Ma	100na（icbo）			npn	300MV @ 10MA 、100mA	200 @ 1MA 、6V	300MHz
fqpf9n25crdtu	0.4700	RFQ	42	フェアチャイルド半導体	*	バルク	アクティブ						fqpf9n	-			-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	1															-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²