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離散半導体製品（1081）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ テスト条件 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
IRF730 Harris Corporation IRF730 1.1400
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 ハリスコーポレーション PowerMesh™II バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 IRF7 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 400 V 5.5a（tc） 10V 1OHM @ 3A 、10V 4V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±20V 530 PF @ 25 V - 100W （TC）
MUR850119 Harris Corporation MUR850119 0.6400
RFQ
 ECAD 750 0.00000000 ハリスコーポレーション * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー 1
A114EX119 Harris Corporation A114EX119 -
RFQ
 ECAD 2124 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ 穴を通して - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー 1,507 高速回復= <500ns 500 V 1.3 V @ 1 a 150 µs 2 µA @ 500 V -65°C〜175°C 1a 10pf @ 4V、1MHz
IRF730R4587 Harris Corporation IRF730R4587 0.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ハリスコーポレーション * バルク アクティブ IRF73 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー 1 -
HGT1S12N60C3S9AR4501 Harris Corporation HGT1S12N60C3S9AR4501 1.5800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ハリスコーポレーション * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 190
HGT4E30N60B3S Harris Corporation HGT4E30N60B3S 4.8000
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 ハリスコーポレーション * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1
IRFD310 Harris Corporation IRFD310 1.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-dip （0.300 "、7.62mm） IRFD310 モスフェット（金属酸化物） 4-dip 、hexdip 、hvmdip ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 400 V 350ma（ta） 10V 3.6OHM @ 210MA 、10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±20V 170 PF @ 25 V - 1W
HUF75333S3 Harris Corporation HUF75333S3 0.6200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ハリスコーポレーション ultrafet™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 55 v 66a（tc） 16mohm @ 66a 、10V 4V @ 250µA 85 NC @ 20 V ±20V 1300 PF @ 25 V - 150W
IRF520 Harris Corporation IRF520 0.3300
RFQ
 ECAD 7025 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 100 V 9.2a 270mohm @ 5.6a 、10V 4V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±20V 350 PF @ 25 V - 60W （TC）
RF1S42N03L Harris Corporation RF1S42N03L 0.8700
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 400 nチャネル 30 V 42a 5V 25mohm @ 42a 、5v 2V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±10V 1650 PF @ 25 V - 90W
RFIS30P06 Harris Corporation RFIS30P06 1.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ハリスコーポレーション * バルク アクティブ RFIS30 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 -
RF1S45N06LE Harris Corporation RF1S45N06LE 0.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 60 V 45a（tc） 5V 28mohm @ 45a 、5v 2V @ 250µA 135 NC @ 10 V ±10V 2150 PF @ 25 V - 142W
IRF442119U Harris Corporation IRF442119U 1.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ハリスコーポレーション * バルク アクティブ IRF442119 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 -
IGTM10N50 Harris Corporation IGTM10N50 1.5500
RFQ
 ECAD 234 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ - 穴を通して to-204aa、to-3 標準 to-3 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 - - 500 V 10 a - - -
BUX44 Harris Corporation BUX44 4.2700
RFQ
 ECAD 145 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ - 穴を通して to-204aa、to-3 120 w to-3 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 400 V 8 a - npn-ダーリントン - - 8MHz
IGT7E20CS Harris Corporation IGT7E20CS 4.3200
RFQ
 ECAD 334 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ - 穴を通して TO-218-5 標準 TO-218-5 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1 - - 500 V 25 a - - -
IRF610S2497 Harris Corporation IRF610S2497 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ハリスコーポレーション * バルク アクティブ IRF610 - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー 1 -
RF1S15N06 Harris Corporation RF1S15N06 0.5700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ハリスコーポレーション * バルク アクティブ RF1S - - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 -
HGT1S3N60B3S Harris Corporation HGT1S3N60B3S 0.5600
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 標準 33.3 w TO-263AB ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 480v 16 ns - 600 V 7 a 20 a 2.1V @ 15V 、3.5a 66µj（オン）、88µj（オフ） 21 NC 18ns/105ns
HGTD3N60B3S9A Harris Corporation HGTD3N60B3S9A 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 標準 33.3 w TO-252-3 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 0000.00.0000 1 480v 16 ns - 600 V 7 a 20 a 2.1V @ 15V 、3.5a 66µj（オン）、88µj（オフ） 21 NC 18ns/105ns
RCA1A09 Harris Corporation RCA1A09 0.5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ハリスコーポレーション * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1
HFA3127B96-HC Harris Corporation HFA3127B96-HC 2.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 16-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 150MW 16-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 2,500 - 12V 65ma 5 npn 40 @ 10ma 、2v 8GHz 3.5db @ 1GHz
HGTP10N40F1D Harris Corporation HGTP10N40F1D 0.9600
RFQ
 ECAD 806 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 標準 75 W TO-220 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 - - 400 V 12 a 12 a 2.5V @ 10V 、5a - 13.4 NC -
HGTP15N50E1 Harris Corporation HGTP15N50E1 1.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 標準 75 W TO-220 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 - - 500 V 15 a 35 a 3.2V @ 20V、35a - 33 NC -
IRF642 Harris Corporation IRF642 0.8800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 200 v 16a（tc） 10V 220mohm @ 10a 、10V 4V @ 250µA 64 NC @ 10 V ±20V 1275 PF @ 25 V - 125W
IRF741 Harris Corporation IRF741 1.0100
RFQ
 ECAD 520 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 350 V 10a（tc） 10V 550mohm @ 5.2a 、10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 V ±20V 1250 PF @ 25 V - 125W
HGTH20N50E1 Harris Corporation HGTH20N50E1 3.1400
RFQ
 ECAD 287 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-218-3 分離タブ、 TO-218AC 標準 100 W TO-218隔離 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 - - 500 V 20 a 35 a 3.2V @ 20V、35a - 33 NC -
BUZ76A Harris Corporation BUZ76A 0.6100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 400 V 2.6a（tc） 10V 2.5OHM @ 1.5A 、10V 4V @ 1MA ±20V 500 PF @ 25 V - 40W （TC）
IRF633 Harris Corporation IRF633 0.6800
RFQ
 ECAD 9270 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 124 nチャネル 150 v 8a（tc） 10V 600mohm @ 5a 、10V 4V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±20V 600 PF @ 25 V - 75W
IRF822 Harris Corporation IRF822 0.4600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 500 V 2.2a（tc） 10V 4ohm @ 1.4a 、10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 V ±20V 360 PF @ 25 V - 50W （TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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