SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターカットオフ(最大) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2)
RN2105,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2105 0.2000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2105 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
RN2106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106 0.2000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2106 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
RN2109,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2109 0.2000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2109 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 22 Kohms
RN2418,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2418 lf 0.1800
RFQ
ECAD 7742 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2418 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 10 Kohms
RN2425(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2425 0.4000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2425 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 800 Ma 500na pnp-前バイアス 250mv @ 1ma 、50ma 90 @ 100MA、1V 200 MHz 10 Kohms
2SA1362-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1362-GR 、LF 0.4000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 2SA1362 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 15 V 800 Ma 100na(icbo) PNP 200mV @ 8MA 、400mA 200 @ 100MA、1V 120MHz
2SA2154MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFVGR 、L3F 0.1900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント SOT-723 2SA2154 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 150 Ma 100na(icbo) PNP 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
2SC6026MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026MFV-Y 、L3F 0.1900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント SOT-723 2SC6026 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 150 Ma 100na(icbo) npn 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 60MHz
2SC6100,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6100 、LF 0.5300
RFQ
ECAD 42 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント 3-SMD 、フラットリード 2SC6100 500 MW UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 2.5 a 100na(icbo) npn 140mv @ 20ma、1a 400 @ 300MA 、2V -
SSM3K127TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K127TU 、LF 0.3700
RFQ
ECAD 34 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3K127 モスフェット(金属酸化物) UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 2a(ta) 1.8V 、4V 123mohm @ 1a 、4v 1V @ 1MA 1.5 NC @ 4 V ±12V 123 PF @ 15 V - 500MW
SSM6K405TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K405TU 、LF 0.3700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K405 モスフェット(金属酸化物) UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 2a(ta) 1.5V 、4V 126mohm @ 1a 、4v 1V @ 1MA 3.4 NC @ 4 V ±10V 195 pf @ 10 v - 500MW
SSM6N24TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N24TU 、LF 0.4500
RFQ
ECAD 7409 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6N24 モスフェット(金属酸化物) 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル(デュアル) 30V 500ma(ta) 145mohm @ 500ma 、4.5v 1.1V @ 100µA - 245pf @ 10V -
SSM6P40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P40TU 、LF 0.4800
RFQ
ECAD 3853 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6P40 モスフェット(金属酸化物) 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 2 P-Channel (デュアル) 30V 1.4a(ta) 226mohm @ 1a 、10v 2V @ 1MA 2.9NC @ 10V 120pf @ 15V ロジックレベルゲート、4Vドライブ
SSM6P54TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P54TU 、LF 0.4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6P54 モスフェット(金属酸化物) 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 2 P-Channel (デュアル) 20V 1.2a(ta) 228mohm @ 600ma 、2.5V 1V @ 1MA 7.7NC @ 4V 331pf @ 10V ロジックレベルゲート、1.5Vドライブ
1SS372(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS372 0.3700
RFQ
ECAD 13 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS372 ショットキー USM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 10 v 500 mV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125°C (最大) 100mA 20pf @ 0V、1MHz
1SS385,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage 1SS385 0.3500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 1SS385 ショットキー SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 10 v 500 mV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125°C (最大) 100mA 20pf @ 0V、1MHz
1SS422(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS422 0.4000
RFQ
ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 1SS422 ショットキー SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 1ペアシリーズ接続 30 V 100mA 500 mV @ 100 Ma 50 µA @ 30 V 125°C (最大)
HN2D02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2D02FU 、LF 0.4000
RFQ
ECAD 310 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN2D02 標準 US6 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 3独立 80 v 80ma 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C (最大)
HN4D02JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4D02JU (TE85L 0.0721
RFQ
ECAD 5848 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 HN4D02 標準 USV ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 1ペア共通カソード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 1.6 ns 500 NA @ 80 V 150°C (最大)
TPCA8109(TE12L1,V Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8109 -
RFQ
ECAD 3844 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8109 モスフェット(金属酸化物) 8 ソップアドバンス(5x5) - 1 (無制限) 264-TPCA8109(TE12L1VTR ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 30 V 24a(ta) 4.5V 、10V 9mohm @ 12a 、10V 2V @ 500µA 56 NC @ 10 V +20V、-25V 2400 PF @ 10 V - 1.6W
TPCC8105,L1Q(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105 -
RFQ
ECAD 1963年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント 8-vdfn露出パッド TPCC8105 モスフェット(金属酸化物) 8-TSON ADVANCE (3.3x3.3) - 1 (無制限) 264-TPCC8105L1Q(CMTR ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 30 V 23a(ta) 4.5V 、10V 7.8mohm @ 11.5a 、10V 2V @ 500µA 76 NC @ 10 V +20V、-25V 3240 PF @ 10 V - 700MW
TPCC8136.LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8136.LQ -
RFQ
ECAD 7165 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN TPCC8136 モスフェット(金属酸化物) 8-TSON ADVANCE (3.1x3.1) - 1 (無制限) 264-TPCC8136.LQTR ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 9.4a(ta) 1.8V 、4.5V 16mohm @ 9.4a 、4.5V 1.2V @ 1MA 36 NC @ 5 V ±12V 2350 pf @ 10 v - 700MW
TK60F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK60F10N1L 、LXGQ 2.3200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ&リール( tr) アクティブ 175°C 表面マウント TO-263-3 TK60F10 モスフェット(金属酸化物) TO-220SM - 3 (168 時間) ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 100 V 60a(ta) 6V 、10V 6.11mohm @ 30a 、10V 3.5V @ 500µA 60 NC @ 10 V ±20V 4320 PF @ 10 V - 205W
XPH6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH6R30ANB 、L1XHQ 1.8400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ&リール( tr) アクティブ 175°C 表面マウント 8-SOIC (0.197 "、幅5.00mm) XPH6R30 モスフェット(金属酸化物) 8 ソップアドバンス(5x5) - 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 45a(ta) 6V 、10V 6.3mohm @ 22.5a 、10V 3.5V @ 500µA 52 NC @ 10 V ±20V 3240 PF @ 10 V - 960MW
TK160F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L 、LXGQ 3.7000
RFQ
ECAD 4476 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ&リール( tr) アクティブ 175°C 表面マウント TO-263-3 TK160F10 モスフェット(金属酸化物) TO-220SM - 3 (168 時間) ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 100 V 160a(ta) 6V 、10V 2.4mohm @ 80a 、10V 3.5V @ 1MA 122 NC @ 10 V ±20V 10100 PF @ 10 V - 375W
SSM6K516NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K516NU 、LF 0.4100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6K516 モスフェット(金属酸化物) 6-udfnb (2x2) - ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 6a(ta) 4.5V 、10V 46mohm @ 4a 、10V 2.5V @ 100µA 2.5 NC @ 4.5 v +20V、 -12V 280 PF @ 15 V - 1.25W
SSM6K518NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K518NU 、LF 0.4100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6K518 モスフェット(金属酸化物) 6-udfnb (2x2) - ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 20 v 6a(ta) 1.5V 、4.5V 33mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 3.6 NC @ 4.5 v ±8V 410 pf @ 10 v - 1.25W
CUHS15S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs15s40、H3f 0.4800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード cuhs15 ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 510 mv @ 1.5 a 200 µA @ 40 V 150°C (最大) 1.5a 170pf @ 0V、1MHz
TRS12N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12N65FB、S1Q 4.9600
RFQ
ECAD 55 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 TRS12N65 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-247 - 1 (無制限) 264-TRS12N65FBS1Q ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 650 V 6a (DC) 1.6 V @ 6 a 0 ns 30 µA @ 650 v 175°C
TRS16N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS16N65FB、S1Q 6.0900
RFQ
ECAD 238 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 TRS16N65 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-247 - 1 (無制限) 264-TRS16N65FBS1Q ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 650 V 8a(dc) 1.6 V @ 8 a 0 ns 40 µA @ 650 v 175°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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