画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RN2105 | 0.2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | RN2105 | 100 MW | SSM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 200 MHz | 2.2 KOHMS | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2106 | 0.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | RN2106 | 100 MW | SSM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 200 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2109 | 0.2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | RN2109 | 100 MW | SSM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 70 @ 10ma 、5v | 200 MHz | 47 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2418 lf | 0.1800 | ![]() | 7742 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | RN2418 | 200 MW | s-mini | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 50 @ 10ma 、5v | 200 MHz | 47 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2425 | 0.4000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | RN2425 | 200 MW | s-mini | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 800 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 250mv @ 1ma 、50ma | 90 @ 100MA、1V | 200 MHz | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1362-GR 、LF | 0.4000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 2SA1362 | 200 MW | s-mini | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 15 V | 800 Ma | 100na(icbo) | PNP | 200mV @ 8MA 、400mA | 200 @ 100MA、1V | 120MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA2154MFVGR 、L3F | 0.1900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-723 | 2SA2154 | 150 MW | vesm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 v | 150 Ma | 100na(icbo) | PNP | 300MV @ 10MA 、100mA | 200 @ 2MA 、6V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC6026MFV-Y 、L3F | 0.1900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-723 | 2SC6026 | 150 MW | vesm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 v | 150 Ma | 100na(icbo) | npn | 250MV @ 10MA 、100mA | 120 @ 2MA 、6V | 60MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC6100 、LF | 0.5300 | ![]() | 42 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、フラットリード | 2SC6100 | 500 MW | UFM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 2.5 a | 100na(icbo) | npn | 140mv @ 20ma、1a | 400 @ 300MA 、2V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM3K127TU 、LF | 0.3700 | ![]() | 34 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | 3-SMD 、フラットリード | SSM3K127 | モスフェット(金属酸化物) | UFM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 2a(ta) | 1.8V 、4V | 123mohm @ 1a 、4v | 1V @ 1MA | 1.5 NC @ 4 V | ±12V | 123 PF @ 15 V | - | 500MW | |||||||||||||||||||||||
![]() | SSM6K405TU 、LF | 0.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | SSM6K405 | モスフェット(金属酸化物) | UF6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 2a(ta) | 1.5V 、4V | 126mohm @ 1a 、4v | 1V @ 1MA | 3.4 NC @ 4 V | ±10V | 195 pf @ 10 v | - | 500MW | |||||||||||||||||||||||
![]() | SSM6N24TU 、LF | 0.4500 | ![]() | 7409 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosiii | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | SSM6N24 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | UF6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 500ma(ta) | 145mohm @ 500ma 、4.5v | 1.1V @ 100µA | - | 245pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM6P40TU 、LF | 0.4800 | ![]() | 3853 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | SSM6P40 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | UF6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 30V | 1.4a(ta) | 226mohm @ 1a 、10v | 2V @ 1MA | 2.9NC @ 10V | 120pf @ 15V | ロジックレベルゲート、4Vドライブ | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM6P54TU 、LF | 0.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | SSM6P54 | モスフェット(金属酸化物) | 500MW | UF6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 20V | 1.2a(ta) | 228mohm @ 600ma 、2.5V | 1V @ 1MA | 7.7NC @ 4V | 331pf @ 10V | ロジックレベルゲート、1.5Vドライブ | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SS372 | 0.3700 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 1SS372 | ショットキー | USM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 10 v | 500 mV @ 100 Ma | 20 µA @ 10 V | 125°C (最大) | 100mA | 20pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SS385 | 0.3500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | 1SS385 | ショットキー | SSM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 10 v | 500 mV @ 100 Ma | 20 µA @ 10 V | 125°C (最大) | 100mA | 20pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SS422 | 0.4000 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | 1SS422 | ショットキー | SSM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 30 V | 100mA | 500 mV @ 100 Ma | 50 µA @ 30 V | 125°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HN2D02FU 、LF | 0.4000 | ![]() | 310 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | HN2D02 | 標準 | US6 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 3独立 | 80 v | 80ma | 1.2 V @ 100 MA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 125°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HN4D02JU (TE85L | 0.0721 | ![]() | 5848 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 | HN4D02 | 標準 | USV | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通カソード | 80 v | 100mA | 1.2 V @ 100 MA | 1.6 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPCA8109 | - | ![]() | 3844 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | TPCA8109 | モスフェット(金属酸化物) | 8 ソップアドバンス(5x5) | - | 1 (無制限) | 264-TPCA8109(TE12L1VTR | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | pチャネル | 30 V | 24a(ta) | 4.5V 、10V | 9mohm @ 12a 、10V | 2V @ 500µA | 56 NC @ 10 V | +20V、-25V | 2400 PF @ 10 V | - | 1.6W | |||||||||||||||||||||||
![]() | TPCC8105 | - | ![]() | 1963年年 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | TPCC8105 | モスフェット(金属酸化物) | 8-TSON ADVANCE (3.3x3.3) | - | 1 (無制限) | 264-TPCC8105L1Q(CMTR | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | pチャネル | 30 V | 23a(ta) | 4.5V 、10V | 7.8mohm @ 11.5a 、10V | 2V @ 500µA | 76 NC @ 10 V | +20V、-25V | 3240 PF @ 10 V | - | 700MW | |||||||||||||||||||||||
![]() | TPCC8136.LQ | - | ![]() | 7165 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosvi | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | TPCC8136 | モスフェット(金属酸化物) | 8-TSON ADVANCE (3.1x3.1) | - | 1 (無制限) | 264-TPCC8136.LQTR | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 9.4a(ta) | 1.8V 、4.5V | 16mohm @ 9.4a 、4.5V | 1.2V @ 1MA | 36 NC @ 5 V | ±12V | 2350 pf @ 10 v | - | 700MW | |||||||||||||||||||||||
![]() | TK60F10N1L 、LXGQ | 2.3200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosviii-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C | 表面マウント | TO-263-3 | TK60F10 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SM | - | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 100 V | 60a(ta) | 6V 、10V | 6.11mohm @ 30a 、10V | 3.5V @ 500µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 4320 PF @ 10 V | - | 205W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | XPH6R30ANB 、L1XHQ | 1.8400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosviii-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.197 "、幅5.00mm) | XPH6R30 | モスフェット(金属酸化物) | 8 ソップアドバンス(5x5) | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 100 V | 45a(ta) | 6V 、10V | 6.3mohm @ 22.5a 、10V | 3.5V @ 500µA | 52 NC @ 10 V | ±20V | 3240 PF @ 10 V | - | 960MW | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TK160F10N1L 、LXGQ | 3.7000 | ![]() | 4476 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | u-mosviii-h | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C | 表面マウント | TO-263-3 | TK160F10 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220SM | - | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 100 V | 160a(ta) | 6V 、10V | 2.4mohm @ 80a 、10V | 3.5V @ 1MA | 122 NC @ 10 V | ±20V | 10100 PF @ 10 V | - | 375W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM6K516NU 、LF | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | 6-wdfn露出パッド | SSM6K516 | モスフェット(金属酸化物) | 6-udfnb (2x2) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 6a(ta) | 4.5V 、10V | 46mohm @ 4a 、10V | 2.5V @ 100µA | 2.5 NC @ 4.5 v | +20V、 -12V | 280 PF @ 15 V | - | 1.25W | |||||||||||||||||||||||
![]() | SSM6K518NU 、LF | 0.4100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C | 表面マウント | 6-wdfn露出パッド | SSM6K518 | モスフェット(金属酸化物) | 6-udfnb (2x2) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 6a(ta) | 1.5V 、4.5V | 33mohm @ 4a 、4.5V | 1V @ 1MA | 3.6 NC @ 4.5 v | ±8V | 410 pf @ 10 v | - | 1.25W | |||||||||||||||||||||||
![]() | cuhs15s40、H3f | 0.4800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 2-SMD 、フラットリード | cuhs15 | ショットキー | US2H | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 510 mv @ 1.5 a | 200 µA @ 40 V | 150°C (最大) | 1.5a | 170pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TRS12N65FB、S1Q | 4.9600 | ![]() | 55 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | TRS12N65 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247 | - | 1 (無制限) | 264-TRS12N65FBS1Q | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 6a (DC) | 1.6 V @ 6 a | 0 ns | 30 µA @ 650 v | 175°C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TRS16N65FB、S1Q | 6.0900 | ![]() | 238 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | TRS16N65 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247 | - | 1 (無制限) | 264-TRS16N65FBS1Q | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 8a(dc) | 1.6 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | 175°C |
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