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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 現在 -マックス 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） @ @ if、f トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
TPCC8065-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8065-H -
RFQ
 ECAD 2198 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCC8065 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 13a（ta） 4.5V 、10V 11.4mohm @ 6.5a 、10V 2.3V @ 200µA 20 NC @ 10 V ±20V 1350 pf @ 10 v - 700MW
TK30E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK30E06N1、S1X 0.9400
RFQ
 ECAD 6995 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK30E06 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 43a（ta） 10V 15mohm @ 15a 、10V 4V @ 200µA 16 NC @ 10 V ±20V 1050 PF @ 30 V - 53W
TK40E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK40E06N1、S1X 1.0400
RFQ
 ECAD 9091 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK40E06 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 40a（ta） 10V 10.4mohm @ 20a 、10v 4V @ 300µA 23 NC @ 10 V ±20V 1700 pf @ 30 v - 67W
TK35E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK35E08N1、S1x 1.1500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK35E08 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 80 v 55a（tc） 10V 12.2mohm @ 17.5a 、10V 4V @ 300µA 25 NC @ 10 V ±20V 1700 pf @ 40 v - 72W
TK72E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK72E08N1、S1X 2.4400
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK72E08 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 80 v 72a（ta） 10V 4.3mohm @ 36a 、10V 4V @ 1MA 81 NC @ 10 V ±20V 5500 PF @ 40 V - 192W
TPH14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH14006NH 、L1Q 1.1400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH14006 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 14a（ta） 6.5V 、10V 14mohm @ 7a 、10V 4V @ 200µA 16 NC @ 10 V ±20V 1300 PF @ 30 V - 1.6W
TK16A60W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W、S4x 2.3741
RFQ
 ECAD 4531 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3フルパック TK16A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TK16A60WS4X ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 15.8a 10V 190mohm @ 7.9a 、10V 3.7V @ 790µA 40 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 40W （TC）
SSM3K15AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15AMFV、L3F 0.2900
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 SSM3K15 モスフェット（金属酸化物） vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 nチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 3.6OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA ±20V 13.5 pf @ 3 v - 150MW
CES520,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CES520、L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 CES520 ショットキー ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 600 mV @ 200 mA 5 µA @ 30 V 125°C （最大） 200mA 17pf @ 0V、1MHz
SSM6J502NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J502NU 、LF 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6J502 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 6a（ta） 1.5V 、4.5V 23.1mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 24.8 NC @ 4.5 v ±8V 1800 pf @ 10 v - 1W
SSM6J503NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J503NU 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6J503 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 6a（ta） 1.5V 、4.5V 32.4mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 10 V ±8V 840 PF @ 10 V - 1W
CRH01(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage CRH01 （TE85L -
RFQ
 ECAD 9197 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） 廃止 表面マウント SOD-123F CRH01 標準 s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 200 v 980 mV @ 1 a 35 ns 10 µA @ 200 v -40°C〜150°C 1a -
CRS08(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage CRS08 （TE85L -
RFQ
 ECAD 9469 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） 廃止 表面マウント SOD-123F CRS08 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 360 mV @ 1.5 a 1 mA @ 30 v -40°C〜125°C 1.5a -
1SV308(TH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SV308 -
RFQ
 ECAD 8277 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） 廃止 125°C （TJ） SC-79、SOD-523 1SV308 ESC ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 4,000 50 Ma 0.5pf @ 1V、1MHz ピン -シングル 30V 1.5OHM @ 10MA 、100MHz
TPCA8010-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010-H （TE12L、Q -
RFQ
 ECAD 9297 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8010 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 200 v 5.5a（ta） 10V 450mohm @ 2.7a 、10V 4V @ 1MA 10 NC @ 10 V ±20V 600 PF @ 10 V - 1.6W
CMS10(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cms10（TE12L 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS10 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 1 a 500 µA @ 40 V -40°C〜150°C 1a 50pf @ 10V、1MHz
CRZ12(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage crz12（TE85L -
RFQ
 ECAD 7495 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F CRZ12 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード 1 （無制限） CRZ12TR-NDR ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 8 V 12 v 30オーム
1SV229TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV229TPH3F 0.3800
RFQ
 ECAD 9260 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-76、SOD-323 1SV229 USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 6.5pf @ 10V、1MHz シングル 15 V 2.5 C2/C10 -
1SV239TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV239TPH3F 0.4300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-76、SOD-323 1SV239 USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 2PF @ 10V、1MHz シングル 15 V 2.4 C2/C10 -
1SV271TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV271TPH3F -
RFQ
 ECAD 8514 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） SC-76、SOD-323 1SV271 USC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 50 Ma 0.4pf @ 50V、1MHz ピン -シングル 50V 4.5OHM @ 10MA 、100MHz
1SV323,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV323、H3F 0.3800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-79、SOD-523 1SV323 ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 4,000 7.1pf @ 4V、1MHz シングル 10 v 4.3 C1/C4 -
TK20A60U(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK20A60U -
RFQ
 ECAD 5107 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosii バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK20A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 190mohm @ 10a 、10V 5V @ 1MA 27 NC @ 10 V ±30V 1470 PF @ 10 V - 45W
2SD1223(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1223 0.9000
RFQ
 ECAD 1484 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SD1223 1 W pw-mold ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 80 v 4 a 20µa（icbo） npn-ダーリントン 1.5V @ 6MA、3a 1000 @ 3a 、2V -
2SJ360(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360 -
RFQ
 ECAD 6856 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 2SJ360 モスフェット（金属酸化物） pw-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 100 pチャネル 60 V 1a（ta） 4V 、10V 730mohm @ 500ma 、10V 2V @ 1MA 6.5 NC @ 10 V ±20V 155 pf @ 10 v - 500MW
2SJ360(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360 -
RFQ
 ECAD 7247 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 2SJ360 モスフェット（金属酸化物） pw-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1,000 pチャネル 60 V 1a（ta） 4V 、10V 730mohm @ 500ma 、10V 2V @ 1MA 6.5 NC @ 10 V ±20V 155 pf @ 10 v - 500MW
2SJ610(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ610 （TE16L1 -
RFQ
 ECAD 7676 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SJ610 モスフェット（金属酸化物） pw-mold ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 250 v 2a（ta） 10V 2.55OHM @ 1A 、10V 3.5V @ 1MA 24 NC @ 10 V ±20V 381 PF @ 10 V - 20W
2SK2544(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2544 -
RFQ
 ECAD 7521 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 2SK2544 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 6a（ta） 10V 1.25OHM @ 3A 、10V 4V @ 1MA 30 NC @ 10 V ±30V 1300 PF @ 10 V - 80W
2SK2845(TE16L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2845 （TE16L1 -
RFQ
 ECAD 5146 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SK2845 モスフェット（金属酸化物） pw-mold ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 900 V 1a（ta） 10V 9OHM @ 500MA 、10V 4V @ 1MA 15 NC @ 10 V ±30V 350 PF @ 25 V - 40W （TC）
2SK3342(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3342（TE16L1 -
RFQ
 ECAD 3368 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SK3342 モスフェット（金属酸化物） pw-mold ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 250 v 4.5a（ta） 10V 1OHM @ 2.5A 、10V 3.5V @ 1MA 10 NC @ 10 V ±20V 440 PF @ 10 V - 20W （TC）
2SK3700(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3700 2.5200
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 2SK3700 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 900 V 5a（ta） 2.5OHM @ 3A 、10V 4V @ 1MA 28 NC @ 10 V 1150 PF @ 25 V - 150W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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