SIC
close

離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1）
2SA1943-O(S1,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943-O 2.9200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3pl 150 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 230 v 15 a 5µa（icbo） PNP 3V @ 800MA 、8a 80 @ 1a 、5V 30MHz
2SA2059(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2059 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 1 W pw-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 20 v 3 a 100na（icbo） PNP 190MV @ 53MA 、1.6a 200 @ 500MA 、2V -
TK22V65X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK22V65X5 、LQ 5.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 650 V 22a（ta） 10V 170mohm @ 11a 、10V 4.5V @ 1.1MA 50 NC @ 10 V ±30V 2400 pf @ 300 v - 180W
SSM3K16FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16FS 、LF 0.2300
RFQ
 ECAD 6974 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-75、SOT-416 モスフェット（金属酸化物） SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 100ma（ta） 1.5V 、4V 3OHM @ 10MA 、4V 1.1V @ 100µA ±10V 9.3 PF @ 3 V - 100MW
GT40RR21(STA1,E Toshiba Semiconductor and Storage GT40RR21 3.6500
RFQ
 ECAD 1369 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 GT40RR21 標準 230 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 280V 、40A 、10OHM 、20V 600 ns - 1200 v 40 a 200 a 2.8V @ 15V 、40a -、540µJ -
TK25V60X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X5 5.0300
RFQ
 ECAD 8257 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 25a（ta） 10V 150mohm @ 7.5a 、10V 4.5V @ 1.2MA 60 NC @ 10 V ±30V 2400 pf @ 300 v - 180W
TTA008B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTA008B、Q 0.6600
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 1.5 w 〜126n ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 250 80 v 2 a 100na（icbo） PNP 500MV @ 100MA、1a 100 @ 500MA 、2V 100MHz
SSM3J16FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J16FU 0.3700
RFQ
 ECAD 9188 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 モスフェット（金属酸化物） USM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 100ma（ta） 1.5V 、4V 8OHM @ 10MA 、4V 1.1V @ 100µA ±10V 11 pf @ 3 v - 150MW
CUHS20S60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs20s60、H3f 0.3600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 530 mV @ 2 a 650 µA @ 60 V 150°C 2a 290pf @ 0V、1MHz
TK62N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60W5、S1VF 11.3800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 600 V 61.8a 10V 45mohm @ 30.9a 、10V 4.5V @ 3.1MA 205 NC @ 10 V ±30V 6500 PF @ 300 V - 400W （TC）
TK2P90E,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK2P90E、RQ 1.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 900 V 2a（ta） 10V 5.9OHM @ 1A 、10V 4V @ 200µA 12 NC @ 10 V ±30V 500 PF @ 25 V - 80W
TK3P80E,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK3P80E 、RQ 1.1500
RFQ
 ECAD 4414 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 800 V 3a（ta） 10V 4.9OHM @ 1.5A 、10V 4V @ 300µA 12 NC @ 10 V ±30V 500 PF @ 25 V - 80W
HN4B102J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4B102J 0.6100
RFQ
 ECAD 6062 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-74A 、SOT-753 HN4B102 750MW SMV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 30V 1.8a 、2a 100na（icbo） NPN、PNP 140mv @ 20ma 、600ma / 200mv @ 20ma 、600ma 200 @ 200MA 、2V -
TPCP8407,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8407 0.7400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8407 モスフェット（金属酸化物） 690MW PS-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TPCP8407LFCT ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 40V 5a（ta ）、4a（ta） 36.3mohm @ 2.5a 3V @ 1MA 11.8NC @ 10V 、18NC @ 10V 505pf @ 10V、810pf @ 10V -
TK12P50W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P50W、RQ 2.0000
RFQ
 ECAD 6704 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 500 V 11.5a（ta） 10V 340mohm @ 5.8a 、10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 PF @ 300 V - 100W （TC）
TPN1200APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1200APL 、L1Q 0.8500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 40a（tc） 4.5V 、10V 11.5mohm @ 20a 、10V 2.5V @ 300µA 24 NC @ 10 V ±20V 1855 PF @ 50 V - 630MW
TK14V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14V65W 、LQ 3.4800
RFQ
 ECAD 2719 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 650 V 13.7a 10V 280mohm @ 6.9a 、10V 3.5V @ 690µA 35 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 139W
TPCC8105,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105、L1Q 0.8200
RFQ
 ECAD 3350 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-vdfn露出パッド モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.3x3.3） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 30 V 23a（ta） 4.5V 、10V 7.8mohm @ 11.5a 、10V 2V @ 500µA 76 NC @ 10 V +20V、-25V 3240 PF @ 10 V - 700MW
2SC5200-O(S1,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5200-O 3.0100
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3pl 150 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 230 v 15 a 5µa（icbo） npn 3V @ 800MA 、8a 55 @ 1a 、5V 30MHz
GT50JR21(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage gt50jr21 4.7900
RFQ
 ECAD 6501 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 標準 230 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 264-GT50JR21 ear99 8541.29.0095 25 - - 600 V 50 a 100 a 2V @ 15V、50a - -
SSM3J15CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15CT 、L3F 0.3100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 pチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 12OHM @ 10MA 、4V 1.7V @ 100µA ±20V 9.1 PF @ 3 V - 100MW
RN2313,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn2313 lf 0.1800
RFQ
 ECAD 4580 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2313 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 47 Kohms
TDTC143Z,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC143Z 、LM 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 TDTC143 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms
CUHS20F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs20f60、H3f 0.3600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 590 mV @ 2 a 70 µA @ 60 V 150°C 2a 300pf @ 0V、1MHz
TK8A25DA,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK8A25DA 、S4x 0.9000
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 250 v 7.5a（ta） 10V 500mohm @ 3.8a 、10V 3.5V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±20V 550 PF @ 100 V - 30W （TC）
TK5P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P65W 、RQ 1.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 5.2a（ta） 10V 1.22OHM @ 2.6A 、10V 3.5V @ 170µA 10.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 v - 60W （TC）
TK12A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50W、S5x 2.1100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 11.5a（ta） 10V 300mohm @ 5.8a 、10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 PF @ 300 V - 35W （TC）
TDTC114Y,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC114Y 、LM 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 TDTC114 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 79 @ 5MA 、5V 250 MHz 10 Kohms
TK055U60Z1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK055U60Z1、RQ 5.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERSFN モスフェット（金属酸化物） 通行料金 - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 40a（ta） 10V 55mohm @ 15a 、10V 4V @ 1.69ma 65 NC @ 10 V ±30V 3680 PF @ 300 v - 270W
XPJR6604PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPJR6604PB 、LXHQ 2.7700
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 5-POWERSFN モスフェット（金属酸化物） S-TOGL™ - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,500 nチャネル 40 v 200a（ta） 6V 、10V 0.66mohm @ 100a 、10V 3V @ 1MA 128 NC @ 10 V ±20V 11380 PF @ 10 V - 375W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます