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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
1SS308(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS308 0.4300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 1SS308 標準 SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 4一般的なアノード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
1SS387CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS387CT 、L3f 0.2400
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-882 1SS387 標準 CST2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 80 v 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大） 100mA 0.5pf @ 0V、1MHz
2SA2154CT-GR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154CT-GR 、L3F 0.3200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 2SA2154 100 MW CST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326-A 、LF 0.4000
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC3326 150 MW TO-236 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 20 v 300 Ma 100na（icbo） npn 100MV @ 3MA 、30MA 200 @ 4MA 、2V 30MHz
TK16C60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16C60W、S1VQ -
RFQ
 ECAD 7901 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して To-262-3 Long Leads TK16C60 モスフェット（金属酸化物） i2pak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 15.8a 10V 190mohm @ 7.9a 、10V 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 130W
TPN11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11003NL 、LQ 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN11003 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 11a（tc） 4.5V 、10V 11mohm @ 5.5a 、10V 2.3V @ 100µA 7.5 NC @ 10 V ±20V 660 PF @ 15 V - 700MW （TA ）、19W（TC）
TPH8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R903NL 、LQ 0.8500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH8R903 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 20a（tc） 10V 8.9mohm @ 10a 、10V 2.3V @ 1MA 9.8 NC @ 10 V ±20V 820 PF @ 15 V - 1.6W
TPN1600ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1600ANH -L1Q 0.8800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN1600 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 17a（tc） 10V 16mohm @ 8.5a 、10V 4V @ 200µA 19 NC @ 10 V ±20V 1600 PF @ 50 V - 700MW
TP89R103NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TP89R103NL 、LQ 0.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TP89R103 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 15a（tc） 4.5V 、10V 9.1mohm @ 7.5a 、10V 2.3V @ 100µA 9.8 NC @ 10 V ±20V 820 PF @ 15 V - 1W （TC）
TP86R203NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TP86R203NL 、LQ 0.9000
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TP86R203 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 19a（ta） 4.5V 、10V 6.2mohm @ 9a、10v 2.3V @ 200µA 17 NC @ 10 V ±20V 1400 PF @ 15 V - 1W （TC）
TPHR9203PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9203PL 、L1Q 1.6300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPHR9203 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 150a 4.5V 、10V 2.1V @ 500µA 80 NC @ 10 V ±20V 7540 PF @ 15 V - 132W
TPH7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R006PL 、L1Q 0.8500
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH7R006 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 60 V 60a（tc） 4.5V 、10V 13.5mohm @ 10a 、4.5V 2.5V @ 200µA 22 NC @ 10 V ±20V 1875 pf @ 30 v - 81W
CLS02(T6L,CLAR,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02 （T6L 、Clar -
RFQ
 ECAD 2894 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS02 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 10 a 1 MA @ 40 V -40°C〜125°C 10a 420pf @ 10V、1MHz
CLS02(TE16L,SQC,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02 （TE16L -
RFQ
 ECAD 2120 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS02 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 10 a 1 MA @ 40 V -40°C〜125°C 10a 420pf @ 10V、1MHz
CLS03(TE16L,PCD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 -
RFQ
 ECAD 5355 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS03 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 60 V 580 mV @ 10 a 1 MA @ 60 v -40°C〜125°C 10a 345pf @ 10V、1MHz
2SA1020-Y,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y、T6WNLF（j -
RFQ
 ECAD 2798 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） 2SA1020-YT6WNLF（J ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SA1668 Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1668 -
RFQ
 ECAD 4425 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ 2SA166 - ROHS準拠 1 （無制限） 2SA1668TS 0000.00.0000 50
TTA004B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTA004B、Q 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 TTA004 10 W 〜126n ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 250 160 v 1.5 a 100na（icbo） PNP 500MV @ 50MA 、500MA 140 @ 100MA 、5V 100MHz
TTD1509B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTD1509b -
RFQ
 ECAD 2966 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ アクティブ TTD1509 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 250
2SA1020-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O -
RFQ
 ECAD 3483 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SA1315-Y,T6ASNF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1315-y、t6asnf（j -
RFQ
 ECAD 7868 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1315 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 80 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 80MHz
2SA1425-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1425-Y 、T2F （J -
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SA1425 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） PNP 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
2SA1680(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680 -
RFQ
 ECAD 5165 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1680 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 120 @ 100MA 、2V 100MHz
2SA1761,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1761 -
RFQ
 ECAD 8513 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1761 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 3 a 100na（icbo） PNP 500MV @ 75MA 、1.5a 120 @ 100MA 、2V 100MHz
2SA1930,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930 -
RFQ
 ECAD 3454 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1930 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µa（icbo） PNP 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V 200MHz
2SA949-Y(T6JVC1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y（T6JVC1 、FM -
RFQ
 ECAD 6789 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA949 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） PNP 800mv @ 1ma 、10a 70 @ 10ma 、5v 120MHz
2SA965-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-y、f（J -
RFQ
 ECAD 3433 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA965 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） PNP 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
2SA965-Y,SWFF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-y、m -
RFQ
 ECAD 8844 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA965 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） PNP 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
2SC2229-O(MIT1F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O -
RFQ
 ECAD 5931 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2229 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 1MA 、10ma 70 @ 10ma 、5v 120MHz
2SC2235-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y、t6f（j -
RFQ
 ECAD 7291 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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