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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
TK7A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A55D 1.6000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK7A55 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 7a（ta） 10V 1.25OHM @ 3.5A 、10V 4.4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±30V 700 PF @ 25 V - 35W （TC）
TK80S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK80S04K3L -
RFQ
 ECAD 4801 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK80S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 80a（ta） 6V 、10V 3.1mohm @ 40a 、10v 3V @ 1MA 87 NC @ 10 V ±20V 4340 PF @ 10 V - 100W （TC）
TK80S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK80S06K3L -
RFQ
 ECAD 7483 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK80S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 60 V 80a（ta） 6V 、10V 5.5mohm @ 40a 、10V 3V @ 1MA 85 NC @ 10 V ±20V 4200 PF @ 10 V - 100W （TC）
TK9A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK9A45D 1.7100
RFQ
 ECAD 8473 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK9A45 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 9a（ta） 10V 770mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ±30V 800 PF @ 25 V - 40W （TC）
TPC6008-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage TPC6008-H （TE85L 、FM -
RFQ
 ECAD 7556 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6008 モスフェット（金属酸化物） vs-6（2.9x2.8 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 5.9a（ta） 4.5V 、10V 60mohm @ 3a 、10V 2.3V @ 100µA 4.8 NC @ 10 V ±20V 300 pf @ 10 V - 700MW
TPC6012(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012 -
RFQ
 ECAD 5714 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6012 モスフェット（金属酸化物） vs-6（2.9x2.8 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 6a（ta） 2.5V 、4.5V 20mohm @ 3a 、4.5v 1.2V @ 200µA 9 NC @ 5 V ±12V 630 PF @ 10 V - 700MW
TPC6113(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6113 -
RFQ
 ECAD 4053 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6113 モスフェット（金属酸化物） vs-6（2.9x2.8 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5a（ta） 2.5V 、4.5V 55mohm @ 2.5a 、4.5V 1.2V @ 200µA 10 NC @ 5 V ±12V 690 PF @ 10 V - 700MW
TPC8062-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8062-H -
RFQ
 ECAD 2139 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8062 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 18a（ta） 4.5V 、10V 5.8mohm @ 9a、10V 2.3V @ 300µA 34 NC @ 10 V ±20V 2900 PF @ 10 V - 1W
TPC8092,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8092 -
RFQ
 ECAD 8376 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TPC8092 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 15a（ta） 4.5V 、10V 9mohm @ 7.5a 、10V 2.3V @ 200µA 25 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 10 v - 1W
TPC8134,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8134 0.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TPC8134 モスフェット（金属酸化物） 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 40 v 5a（ta） 4.5V 、10V 52mohm @ 2.5a 、10V 2V @ 100µA 20 NC @ 10 V +20V、-25V 890 PF @ 10 V - 1W
TPC8221-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8221-H -
RFQ
 ECAD 1370 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TPC8221 モスフェット（金属酸化物） 450MW 8ソップ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 2,500 2 nチャンネル（デュアル） 30V 6a 25mohm @ 3a 、10V 2.3V @ 100µA 12NC @ 10V 830pf @ 10V -
TPC8223-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8223-H -
RFQ
 ECAD 5007 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TPC8223 モスフェット（金属酸化物） 450MW 8ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 2,500 2 nチャンネル（デュアル） 30V 9a 17mohm @ 4.5a 、10V 2.3V @ 100µA 17NC @ 10V 1190pf @ 10V ロジックレベルゲート
TPC8A05-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A05-H （TE12L、 QM -
RFQ
 ECAD 6243 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8A05 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 10a（ta） 4.5V 、10V 13.3mohm @ 5a 、10V 2.3V @ 1MA 15 NC @ 10 V ±20V 1700 pf @ 10 v ショットキーダイオード（ボディ） 1W
TPCA8062-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8062-H -
RFQ
 ECAD 4497 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8062 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 28a（ta） 4.5V 、10V 5.6mohm @ 14a 、10V 2.3V @ 300µA 34 NC @ 10 V ±20V 2900 PF @ 10 V - 1.6W
TPCC8065-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8065-H -
RFQ
 ECAD 2198 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCC8065 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 13a（ta） 4.5V 、10V 11.4mohm @ 6.5a 、10V 2.3V @ 200µA 20 NC @ 10 V ±20V 1350 pf @ 10 v - 700MW
TJ20S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L （T6L1、NQ 1.3300
RFQ
 ECAD 9822 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TJ20S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 40 v 20a（ta） 6V 、10V 22.2mohm @ 10a 、10V 3V @ 1MA 37 NC @ 10 V +10V、-20V 1850 pf @ 10 v - 41W
TK11A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A45D 1.8600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK11A45 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 11a（ta） 10V 620mohm @ 5.5a 、10V 4V @ 1MA 20 NC @ 10 V ±30V 1050 PF @ 25 V - 40W （TC）
TK13A55DA(STA4,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A55DA 2.8600
RFQ
 ECAD 3819 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK13A55 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 12.5a（ta） 10V 480mohm @ 6.3a 、10V 4V @ 1MA 38 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 25 v - 45W
TK16A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK16A45D -
RFQ
 ECAD 9568 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ - 穴を通して TO-220-3フルパック TK16A45 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 450 v 16a 270mohm @ 8a、10V - - -
TK20A25D,S5Q(M Toshiba Semiconductor and Storage TK20A25D、S5Q（M -
RFQ
 ECAD 8354 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK20A25 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 250 v 20a（ta） 10V 100mohm @ 10a 、10V 3.5V @ 1MA 55 NC @ 10 V ±20V 2550 PF @ 100 V - 45W
TK20P04M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK20P04M1 -
RFQ
 ECAD 3613 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK20P04 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 20a（ta） 4.5V 、10V 29mohm @ 10a 、10V 2.3V @ 100µA 15 NC @ 10 V ±20V 985 PF @ 10 V - 27W （TC）
TK20S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20S04K3L -
RFQ
 ECAD 2714 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK20S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 20a（ta） 6V 、10V 14mohm @ 10a 、10v 3V @ 1MA 18 NC @ 10 V ±20V 820 pf @ 10 v - 38W
TK25E06K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK25E06K3 -
RFQ
 ECAD 4655 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK25E06 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 25a（ta） 18mohm @ 12.5a 、10V - 29 NC @ 10 V - 60W （TC）
TK3A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65D 1.6100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK3A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 3a（ta） 10V 2.25OHM @ 1.5A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 540 PF @ 25 V - 35W （TC）
TK45P03M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK45P03M1 -
RFQ
 ECAD 5821 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 - 表面マウント to-252-3 TK45P03 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 30 V 45a（ta） 4.5V 、10V 9.7mohm @ 22.5a 、10V 2.3V @ 200µA 25 NC @ 10 V ±20V 1500 PF @ 10 V - -
TK4A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A55D -
RFQ
 ECAD 6988 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK4A55 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 4a（ta） 10V 1.88OHM @ 2A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 25 V - 35W （TC）
TK4P60DB(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60DB（T6RSS-Q） -
RFQ
 ECAD 1320 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK4P60 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TK4P60DBT6RSSQ ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 3.7a（ta） 10V 2OHM @ 1.9A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 540 PF @ 25 V - 80W
TK60P03M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK60P03M1 -
RFQ
 ECAD 6408 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK60P03 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 30 V 60a（ta） 4.5V 、10V 6.4mohm @ 30a 、10v 2.3V @ 500µA 40 NC @ 10 V ±20V 2700 PF @ 10 V - 63W
2SA1244-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1244-y （q） -
RFQ
 ECAD 1152 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-251-3 2SA1244 1 W pw-mold - 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 200 50 v 5 a 1µa（icbo） PNP 400MV @ 150MA、3a 120 @ 1a、1V 60MHz
2SC5439(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5439 -
RFQ
 ECAD 9123 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC5439 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 450 v 8 a 100µa（icbo） npn 1V @ 640MA 、3.2a 14 @ 1a 、5V -
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