SIC
close

離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
TK20A25D,S5Q(M Toshiba Semiconductor and Storage TK20A25D、S5Q（M -
RFQ
 ECAD 8354 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK20A25 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 250 v 20a（ta） 10V 100mohm @ 10a 、10V 3.5V @ 1MA 55 NC @ 10 V ±20V 2550 PF @ 100 V - 45W
TK20P04M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK20P04M1 -
RFQ
 ECAD 3613 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK20P04 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 20a（ta） 4.5V 、10V 29mohm @ 10a 、10V 2.3V @ 100µA 15 NC @ 10 V ±20V 985 PF @ 10 V - 27W （TC）
TK20S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20S04K3L -
RFQ
 ECAD 2714 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK20S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 40 v 20a（ta） 6V 、10V 14mohm @ 10a 、10v 3V @ 1MA 18 NC @ 10 V ±20V 820 pf @ 10 v - 38W
TK25E06K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK25E06K3 -
RFQ
 ECAD 4655 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK25E06 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 25a（ta） 18mohm @ 12.5a 、10V - 29 NC @ 10 V - 60W （TC）
TK3A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65D 1.6100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK3A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 3a（ta） 10V 2.25OHM @ 1.5A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 540 PF @ 25 V - 35W （TC）
TK45P03M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK45P03M1 -
RFQ
 ECAD 5821 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 - 表面マウント to-252-3 TK45P03 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 30 V 45a（ta） 4.5V 、10V 9.7mohm @ 22.5a 、10V 2.3V @ 200µA 25 NC @ 10 V ±20V 1500 PF @ 10 V - -
TK4A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A55D -
RFQ
 ECAD 6988 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK4A55 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 550 V 4a（ta） 10V 1.88OHM @ 2A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 490 PF @ 25 V - 35W （TC）
TK4P60DB(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60DB（T6RSS-Q） -
RFQ
 ECAD 1320 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK4P60 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TK4P60DBT6RSSQ ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 600 V 3.7a（ta） 10V 2OHM @ 1.9A 、10V 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±30V 540 PF @ 25 V - 80W
TK60P03M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK60P03M1 -
RFQ
 ECAD 6408 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK60P03 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 30 V 60a（ta） 4.5V 、10V 6.4mohm @ 30a 、10v 2.3V @ 500µA 40 NC @ 10 V ±20V 2700 PF @ 10 V - 63W
2SA1244-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1244-y （q） -
RFQ
 ECAD 1152 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-251-3 2SA1244 1 W pw-mold - 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 200 50 v 5 a 1µa（icbo） PNP 400MV @ 150MA、3a 120 @ 1a、1V 60MHz
2SA1930(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930 -
RFQ
 ECAD 3597 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1930 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 500 180 v 2 a 5µa（icbo） PNP 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V 200MHz
2SC5439(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5439 -
RFQ
 ECAD 9123 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC5439 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 450 v 8 a 100µa（icbo） npn 1V @ 640MA 、3.2a 14 @ 1a 、5V -
2SD2406-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2406-Y -
RFQ
 ECAD 9090 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SD2406 25 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 80 v 4 a 30µa（icbo） npn 1.5V @ 300MA、3a 120 @ 500MA 、5V 8MHz
2SK3309(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3309 -
RFQ
 ECAD 7505 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SK3309 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 450 v 10a（ta） 10V 650mohm @ 5a 、10V 5V @ 1MA 23 NC @ 10 V ±30V 920 PF @ 10 V - 65W
CMH04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH04 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMH04 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 200 v 980 mV @ 1 a 35 ns 10 µA @ 200 v -40°C〜150°C 1a -
CMS16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS16 0.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS16 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 3 a 200 µA @ 40 V -40°C〜150°C 3a -
CRG01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG01 -
RFQ
 ECAD 9551 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-123F CRG01 標準 s-flat（1.6x3.5） - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 100 V 1.1 V @ 700 Ma 10 µA @ 100 V -40°C〜150°C 700MA -
CRG02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crg02（TE85L -
RFQ
 ECAD 1132 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-123F CRG02 標準 s-flat（1.6x3.5） - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 700 Ma 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 700MA -
TK20J60U(F) Toshiba Semiconductor and Storage TK20J60U -
RFQ
 ECAD 2851 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosii トレイ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TK20J60 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 190mohm @ 10a 、10V 5V @ 1MA 27 NC @ 10 V ±30V 1470 PF @ 10 V - 190W
TK70D06J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK70D06J1 -
RFQ
 ECAD 8209 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK70 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 70a（ta） 4.5V 、10V 6.4mohm @ 35a 、10V 2.3V @ 1MA 87 NC @ 10 V ±20V 5450 PF @ 10 V - 45W
TPC6107(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6107 -
RFQ
 ECAD 1647 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6107 モスフェット（金属酸化物） vs-6（2.9x2.8 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 4.5a（ta） 2V 、4.5V 55mohm @ 2.2a 、4.5V 1.2V @ 200µA 9.8 NC @ 5 V ±12V 680 PF @ 10 V - 700MW
TPC6901(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6901 -
RFQ
 ECAD 6955 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6901 400MW vs-6（2.9x2.8 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 1a 、700ma 100na（icbo） NPN、PNP 170MV @ 6MA、300MA / 230MV @ 10MA、300MA 400 @ 100MA 、2V / 200 @ 100MA 、2V -
TPC8031-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8031-H （TE12LQM） -
RFQ
 ECAD 5858 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8031 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 11a（ta） 13.3mohm @ 5.5a 、10V 2.5V @ 1MA 21 NC @ 10 V 2150 PF @ 10 V - -
TPC8208(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8208 （TE12L -
RFQ
 ECAD 2448 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8208 モスフェット（金属酸化物） 450MW 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 5a 50mohm @ 2.5a 、4V 1.2V @ 200µA 9.5NC @ 5V 780pf @ 10V ロジックレベルゲート
TPCA8003-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8003-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 4120 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8003 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 35a（ta） 4.5V 、10V 6.6mohm @ 18a 、10V 2.3V @ 1MA 25 NC @ 10 V ±20V 1465 PF @ 10 V - 1.6W
TPCA8010-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 6650 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8010 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 200 v 5.5a（ta） 10V 450mohm @ 2.7a 、10V 4V @ 1MA 10 NC @ 10 V ±20V 600 PF @ 10 V - 1.6W
TPCA8023-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8023-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 3367 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8023 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 21a（ta） 4.5V 、10V 12.9mohm @ 11a 、10v 2.5V @ 1MA 21 NC @ 10 V ±20V 2150 PF @ 10 V - 1.6W
TPCA8105(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8105 -
RFQ
 ECAD 5105 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8105 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 12 v 6a（ta） 1.8V 、4.5V 33mohm @ 3a 、4.5V 1.2V @ 200µA 18 NC @ 5 V ±8V 1600 pf @ 10 v - 1.6W
TPCF8304(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8304 （TE85L -
RFQ
 ECAD 5747 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCF8304 モスフェット（金属酸化物） 330MW vs-8（2.9x1.5 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 P-Channel （デュアル） 30V 3.2a 72mohm @ 1.6a、10V 1.2V @ 1MA 14NC @ 10V 600pf @ 10V ロジックレベルゲート
TPCP8001-H(TE85LFM Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8001-H （TE85LFM -
RFQ
 ECAD 4459 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8001 モスフェット（金属酸化物） PS-8（2.9x2.4） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 7.2a（ta） 4.5V 、10V 16mohm @ 3.6a 、10V 2.3V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±20V 640 PF @ 10 V - 1W （TA）、30W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます