SIC
close

離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
RN4901,LF Toshiba Semiconductor and Storage rn4901、lf -
RFQ
 ECAD 2952 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4901 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 4.7kohms 4.7kohms
CCS15S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CCS15S30 、L3f 0.3800
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、リードなし CCS15S30 ショットキー CST2C ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10,000 高速回復= <500ns 20 v 400 mV @ 1 a 500 µA @ 30 V 125°C （最大） 1.5a 200PF @ 0V、1MHz
CCS15S30,L3QUF Toshiba Semiconductor and Storage CCS15S30 、L3qf -
RFQ
 ECAD 1834年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、リードなし CCS15S30 ショットキー CST2C ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10,000 高速回復= <500ns 20 v 400 mV @ 1 a 500 µA @ 30 V 125°C （最大） 1.5a 200PF @ 0V、1MHz
RN1905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn1905fe 0.2700
RFQ
 ECAD 458 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1905 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 2.2kohms 47kohms
TPHR8504PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR8504PL 、L1Q 1.9400
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPHR8504 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 150a 4.5V 、10V 0.85mohm @ 50a 、10V 2.4V @ 1MA 103 NC @ 10 V ±20V 9600 PF @ 20 V - 1W （TA）、170W（TC）
RN2904,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2904 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 47kohms
RN4984,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4984 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 47kohms 47kohms
TPWR8004PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR8004PL 、L1Q 2.9700
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 8-POWERWDFN TPWR8004 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 150a 4.5V 、10V 0.8mohm @ 50a 、10V 2.4V @ 1MA 103 NC @ 10 V ±20V 9600 PF @ 20 V - 1W （TA）、170W（TC）
CUS05S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05S40 、H3F 0.3200
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS05S40 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 40 v 350 mV @ 100 Ma 30 µA @ 10 V 125°C （最大） 500mA 42pf @ 0V、1MHz
CUS520,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS520 、H3F 0.2000
RFQ
 ECAD 707 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS520 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 30 V 280 mV @ 10 Ma 5 µA @ 30 V 125°C （最大） 200mA 17pf @ 0V、1MHz
SSM3J133TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J133TU 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J133 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 5.5a（ta） 1.5V 、4.5V 29.8mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 v ±8V 840 PF @ 10 V - 500MW
TPW4R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R008NH 、L1Q 2.7900
RFQ
 ECAD 4510 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERWDFN TPW4R008 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 80 v 116a（tc） 10V 4mohm @ 50a 、10V 4V @ 1MA 59 NC @ 10 V ±20V 5300 PF @ 40 V - 800MW
TPW4R50ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R50ANH 、L1Q 2.7900
RFQ
 ECAD 3418 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERWDFN TPW4R50 モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 100 V 92a（tc） 10V 4.5mohm @ 46a 、10V 4V @ 1MA 58 NC @ 10 V ±20V 5200 PF @ 50 V - 800MW
1SS427,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1SS427、L3m 0.2700
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-923 1SS427 標準 SOD-923 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 80 v 1.2 V @ 100 MA 1.6 ns 500 NA @ 80 V -55°C〜150°C 100mA 0.3pf @ 0V、1MHz
SSM6K403TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K403TU 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 6811 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K403 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 4.2a（ta） 1.5V 、4V 28mohm @ 3a 、4V 1V @ 1MA 16.8 NC @ 4 V ±10V 1050 PF @ 10 V - 500MW
SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J507NU 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6J507 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 10a（ta） 4V 、10V 20mohm @ 4a 、10V 2.2V @ 250µA 20.4 NC @ 4.5 v +20V、-25V 1150 PF @ 15 V - 1.25W
TK9P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK9P65W 、RQ 0.8760
RFQ
 ECAD 2610 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK9P65 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 9.3a（ta） 10V 560mohm @ 4.6a 、10V 3.5V @ 350µA 20 NC @ 10 V ±30V 700 pf @ 300 v - 80W
TK25N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK25N60X s1f 4.6600
RFQ
 ECAD 4357 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK25N60 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 600 V 25a（ta） 10V 125mohm @ 7.5a 、10V 3.5V @ 1.2MA 40 NC @ 10 V ±30V 2400 pf @ 300 v - 180W
TK8A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK8A60W5、S5VX 1.7500
RFQ
 ECAD 6899 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK8A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 8a（ta） 10V 540mohm @ 4a 、10V 4.5V @ 400µA 22 NC @ 10 V ±30V 590 pf @ 300 v - 30W （TC）
TK25N60X5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK25N60X5 4.5900
RFQ
 ECAD 8939 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK25N60 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 600 V 25a（ta） 10V 140mohm @ 7.5a 、10V 4.5V @ 1.2MA 60 NC @ 10 V ±30V 2400 pf @ 300 v - 180W
TK5Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK5Q65W、S1Q 1.2700
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK TK5Q65 モスフェット（金属酸化物） i-pak - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 650 V 5.2a（ta） 10V 1.22OHM @ 2.6A 、10V 3.5V @ 170µA 10.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 v - 60W （TC）
TK8A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK8A65W、S5x 1.7800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK8A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 7.8a（ta） 10V 650mohm @ 3.9a 、10V 3.5V @ 300µA 16 NC @ 10 V ±30V 570 PF @ 300 V - 30W （TC）
TK14E65W5,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK14E65W5、S1x 3.0200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK14E65 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 13.7a 10V 300mohm @ 6.9a 、10V 4.5V @ 690µA 40 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 130W
TK35A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK35A65W5、S5x 6.3000
RFQ
 ECAD 7564 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK35A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 35a（ta） 10V 95mohm @ 17.5a 、10V 4.5V @ 2.1MA 115 NC @ 10 V ±30V 4100 pf @ 300 v - 50W （TC）
TK14N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK14N65W5、S1F 4.3100
RFQ
 ECAD 4776 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK14N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 13.7a 10V 300mohm @ 6.9a 、10V 4.5V @ 690µA 40 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 130W
TK8Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK8Q65W、S1Q 1.7200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK TK8Q65 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 650 V 7.8a（ta） 10V 670mohm @ 3.9a 、10V 3.5V @ 300µA 16 NC @ 10 V ±30V 570 PF @ 300 V - 80W
TK28A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK28A65W、S5x 5.0100
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK28A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 27.6a（ta） 10V 110mohm @ 13.8a 、10V 3.5V @ 1.6ma 75 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 45W
SSM6K411TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K411TU -
RFQ
 ECAD 5581 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K411 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 20 v 10a（ta） 2.5V 、4.5V 12mohm @ 7a 、4.5V 1.2V @ 1MA 9.4 NC @ 4.5 v ±12V 710 pf @ 10 v - 1W
SSM3K318R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K318R 、LF 0.4300
RFQ
 ECAD 710 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K318 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 2.5a（ta） 4.5V 、10V 107mohm @ 2a 、10V 2.8V @ 1MA 7 NC @ 10 V ±20V 235 PF @ 30 V - 1W
SSM3K35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage ssm3k35ctc、l3f 0.3200
RFQ
 ECAD 109 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3K35 モスフェット（金属酸化物） CST3C ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネル 20 v 250ma（ta） 1.2V 、4.5V 1.1OHM @ 150MA 、4.5V 1V @ 100µA 0.34 NC @ 4.5 v ±10V 36 pf @ 10 v - 500MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます