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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
CCS15F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage ccs15f40、l3f 0.4800
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、リードなし CCS15F40 ショットキー CST2C ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10,000 高速回復= <500ns 40 v 640 mV @ 1.5 a 25 µA @ 40 V 150°C （最大） 1.5a 130pf @ 0V、1MHz
SSM3J353F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J353F 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-236-3 SSM3J353 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 2a（ta） 4V 、10V 150mohm @ 2a 、10V 2.2V @ 250µA 3.4 NC @ 4.5 v +20V、-25V 159 PF @ 15 V - 600MW
SSM3J56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56ACT 、L3F 0.3900
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3J56 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 pチャネル 20 v 1.4a（ta） 1.2V 、4.5V 390mohm @ 800ma 、4.5v 1V @ 1MA 1.6 NC @ 4.5 v ±8V 100 pf @ 10 v - 500MW
TK1K2A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K2A60F、S4x 1.0400
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK1K2A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 6a（ta） 10V 1.2OHM @ 3A 、10V 4V @ 630µA 21 NC @ 10 V ±30V 740 PF @ 300 V - 35W （TC）
CBS05F30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS05F30 、L3F 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、リードなし CBS05F30 ショットキー CST2B - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 高速回復= <500ns 30 V 50 µA @ 30 V 125°C （最大） 500mA 118pf @ 0V、1MHz
HN1B04FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage hn1b04fu-y、lf 0.2700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1B04 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100na（icbo） NPN、PNP 250mv @ 10ma 、100ma / 300mv @ 10ma 、100ma 120 @ 2MA 、6V 150MHz
JDH2S02SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage JDH2S02SL 、L3F 0.4200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、リードなし JDH2S02 ショットキー SL2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 10 v 25 µA @ 500 mV 125°C （最大） 10ma 0.25pf @ 200mV、1MHz
SSM3K341TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K341TU 、LF 0.4400
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3K341 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 6a（ta） 4V 、10V 36mohm @ 4a 、10V 2.5V @ 100µA 9.3 NC @ 10 V ±20V 550 PF @ 10 V - 1.8W
SSM6K341NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K341NU lf 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6K341 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 6a（ta） 4V 、10V 36mohm @ 4a 、10V 2.5V @ 100µA 9.3 NC @ 10 V ±20V 550 PF @ 10 V - 2.5W
SSM6N815R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N815R 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6N815 モスフェット（金属酸化物） 1.8W 6-tsop-f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 100V 2a（ta） 103mohm @ 2a 、10V 2.5V @ 100µA 3.1NC @ 4.5V 290pf @ 15V ロジックレベルゲート、4Vドライブ
SSM6N67NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N67NU 、LF 0.5000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6N67 モスフェット（金属酸化物） 2W （TA） 6-µDFN （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 4a（ta） 39.1mohm @ 2a 、4.5V 1V @ 1MA 3.2NC @ 4.5V 310pf @ 15V ロジックレベルゲート、 1.8Vドライブ
TK040N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK040N65Z、S1F 11.2700
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-247-3 TK040N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 57a（ta） 10V 40mohm @ 28.5a 、10V 4V @ 2.85MA 105 NC @ 10 V ±30V 6250 PF @ 300 v - 360W
CUHS20F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs20f30、H3f 0.3600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード cuhs20 ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 470 mV @ 2 a 60 µA @ 30 V 150°C （最大） 2a 380pf @ 0V、1MHz
CUHS20S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs20s30、H3f 0.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード cuhs20 ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 410 mv @ 2 a 500 µA @ 30 V 150°C （最大） 2a 390pf @ 0V、1MHz
2SA1020-Y,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y、T6WNLF（j -
RFQ
 ECAD 2798 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） 2SA1020-YT6WNLF（J ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SC6042,T2WNLQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6042 -
RFQ
 ECAD 6294 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC6042 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 375 v 1 a 100µa（icbo） npn 1V @ 100MA 、800MA 100 @ 100MA 、5V -
2SD2257,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257 -
RFQ
 ECAD 9453 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SD2257 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 100 V 3 a 10µa（icbo） npn 1.5V @ 1.5MA、1.5a 2000 @ 2a 、2V -
2SJ438,MDKQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438 -
RFQ
 ECAD 6890 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-220-3フルパック 2SJ438 TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 5a（tj）
2SK2962,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962 -
RFQ
 ECAD 4247 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK2962 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 1a（tj）
2SK2962,T6WNLF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962 -
RFQ
 ECAD 5951 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK2962 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 1a（tj）
2SK2989(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 -
RFQ
 ECAD 8088 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK2989 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 5a（tj）
2SK2989(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 -
RFQ
 ECAD 9386 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK2989 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 5a（tj）
2SK2989,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 -
RFQ
 ECAD 7347 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK2989 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 5a（tj）
CLH05(T6L,NKOD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh05 -
RFQ
 ECAD 1913年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH05 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 200 v 980 mV @ 5 a 35 ns 10 µA @ 200 v -40°C〜150°C 5a -
CLH05,LMBJQ(O Toshiba Semiconductor and Storage clh05 -
RFQ
 ECAD 5120 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH05 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 200 v 980 mV @ 5 a 35 ns 10 µA @ 200 v -40°C〜150°C 5a -
CLH06(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh06 -
RFQ
 ECAD 9941 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH06 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 300 V 35 ns - 5a -
CLS02(T6L,CLAR,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02 （T6L 、Clar -
RFQ
 ECAD 2894 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS02 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 10 a 1 MA @ 40 V -40°C〜125°C 10a 420pf @ 10V、1MHz
CLS02(TE16L,SQC,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02 （TE16L -
RFQ
 ECAD 2120 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS02 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 10 a 1 MA @ 40 V -40°C〜125°C 10a 420pf @ 10V、1MHz
CLS03(TE16L,DNSO,Q Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 （TE16L 、DNSO、 Q -
RFQ
 ECAD 9888 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS03 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 60 V 580 mV @ 10 a 1 MA @ 60 v -40°C〜125°C 10a 345pf @ 10V、1MHz
CLS03(TE16L,PCD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 -
RFQ
 ECAD 5355 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS03 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 60 V 580 mV @ 10 a 1 MA @ 60 v -40°C〜125°C 10a 345pf @ 10V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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