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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在 -マックス 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧 -破壊（ V 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） @ @ if、f トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） 電流排水（ id） -最大 静電容量比条件 Q @ vr、f
1SS417CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS417CT 、L3f 0.3000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード 1SS417 ショットキー FSC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 40 v 620 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大） 100mA 15pf @ 0V、1MHz
1SS423(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS423 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 1SS423 ショットキー SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 40 v 100mA 620 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大）
2SC3265-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3265-Y 、LF 0.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC3265 200 MW TO-236 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 25 v 800 Ma 100na（icbo） npn 400mv @ 20ma 、500ma 160 @ 100MA、1V 120MHz
2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-GR （TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SK209 150 MW SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 13pf @ 10V 50 v 14 mA @ 10 v 1.5 V @ 100 Na 14 Ma
HN1D01FU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage hn1d01fu、lf（t 0.4600
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1D01 標準 US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2ペア共通アノード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
HN2D01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn2d01je 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 HN2D01 標準 ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 4,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2独立 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 1.6 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
JDP2S02ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDP2S02ACT 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） SOD-882 JDP2S02 CST2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 50 Ma 0.4pf @ 1V、1MHz ピン -シングル 30V 1.5OHM @ 10MA 、100MHz
JDP2S08SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDP2S08SC 0.4800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 0201 （0603 メトリック） JDP2S08 SC2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 50 Ma 0.4pf @ 1V、1MHz ピン -シングル 30V 1.5OHM @ 10MA 、100MHz
JDV2S41FS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S41FS -
RFQ
 ECAD 5763 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント 2-SMD 、フラットリード JDV2S41 FSC - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 16pf @ 2V、1MHz シングル 15 V - -
RN1507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1507 0.3500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 RN1507 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 47kohms
RN1903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903 0.2700
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1903 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 22kohms
RN4990(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4990 -
RFQ
 ECAD 4976 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4990 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µa（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 、200MHz 4.7kohms -
SSM3J118TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J118TU （TE85L） 0.4000
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J118 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 1.4a（ta） 4V 、10V 240mohm @ 650ma 、10V - ±20V 137 PF @ 15 V - 500MW
SSM3J15CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15CT -
RFQ
 ECAD 1272 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3J15 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 pチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 12OHM @ 10MA 、4V - ±20V 9.1 PF @ 3 V - 100MW
SSM3K301T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K301T （TE85L -
RFQ
 ECAD 3756 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3K301 モスフェット（金属酸化物） TSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 3.5a（ta） 1.8V 、4V 56mohm @ 2a 、4V - 4.8 NC @ 4 V ±12V 320 pf @ 10 V - 700MW
SSM3K310T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K310T （TE85L -
RFQ
 ECAD 6188 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3K310 モスフェット（金属酸化物） TSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 5a（ta） 1.5V 、4V 28mohm @ 4a 、4V - 14.8 NC @ 4 V ±10V 1120 pf @ 10 v - 700MW
SSM3K7002BF,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BF 、LF -
RFQ
 ECAD 3538 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3K7002 モスフェット（金属酸化物） SC-59 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 200ma（ta） 4.5V 、10V 2.1OHM @ 500MA 、10V - ±20V 17 pf @ 25 v - 200MW
SSM6L11TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L11TU -
RFQ
 ECAD 8093 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6L11 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 20V 500mA 145mohm @ 250ma 、4v 1.1V @ 100µA - 268pf @ 10V ロジックレベルゲート
SSM6L35FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L35FU 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6L35 モスフェット（金属酸化物） 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 20V 180ma 、100mA 3OHM @ 50MA 、4V 1V @ 1MA - 9.5pf @ 3V ロジックレベルゲート、1.2Vドライブ
SSM6J771G,LF Toshiba Semiconductor and Storage ssm6j771g、lf 0.6700
RFQ
 ECAD 4667 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-ufbga、wlcsp SSM6J771 モスフェット（金属酸化物） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 5a（ta） 2.5V 、8.5V 31mohm @ 3a 、8.5V 1.2V @ 1MA 9.8 NC @ 4.5 v ±12V 870 PF @ 10 V - 1.2W
TK39A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK39A60W、S4VX 9.7500
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK39A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 38.8a 10V 65mohm @ 19.4a 、10V 3.7V @ 1.9ma 110 NC @ 10 V ±30V 4100 pf @ 300 v - 50W （TC）
TK10Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10Q60W、S1VQ 3.0600
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK TK10Q60 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 600 V 9.7a（ta） 10V 430mohm @ 4.9a 、10V 3.7V @ 500µA 20 NC @ 10 V ±30V 700 pf @ 300 v - 80W
TK20A60W,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20A60W、S5VX 2.9800
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK20A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 155mohm @ 10a 、10V 3.7V @ 1MA 48 NC @ 10 V ±30V 1680 pf @ 300 v - 45W
TK20N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK20N60W、S1VF 6.4300
RFQ
 ECAD 8750 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK20N60 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 155mohm @ 10a 、10V 3.7V @ 1MA 48 NC @ 10 V ±30V 1680 pf @ 300 v - 165W
TPN8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN8R903NL 、LQ 0.7400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN8R903 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 20a（tc） 4.5V 、10V 8.9mohm @ 10a 、10V 2.3V @ 100µA 9.8 NC @ 4.5 v ±20V 820 PF @ 15 V - 700MW
TPH6R003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R003NL 、LQ 0.9300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH6R003 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 38a（tc） 4.5V 、10V 6mohm @ 19a 、10V 2.3V @ 200µA 17 NC @ 10 V ±20V 1400 PF @ 15 V - 1.6W
RN1502(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1502 （TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 RN1502 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 10kohms
2SA1298-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1298-Y 、LF 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SA1298 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 25 v 800 Ma 100na（icbo） PNP 400mv @ 20ma 、500ma 160 @ 100MA、1V 120MHz
1SS361FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS361FV、L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 6067 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 1SS361 標準 vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
RN1706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1706je -
RFQ
 ECAD 8712 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN1706 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 47kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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