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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
CMF02A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMF02A -
RFQ
 ECAD 5343 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - 箱 アクティブ 表面マウント SOD-128 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 600 V 2 V @ 1 a 100 ns 50 µA @ 600 V 150°C 1a -
RN2305,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2305 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2305 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 2.2 KOHMS 47 Kohms
RN2910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2910 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 4.7kohms -
RN2303,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2303 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2303 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200 MHz 22 Kohms 22 Kohms
RN2311,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2311 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2311 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 10 Kohms
RN4981,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4981 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4981 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN4909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4909 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 、250MHz 47kohms 22kohms
RN1313,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1313 lxhf 0.3900
RFQ
 ECAD 8975 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1313 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
SSM3J371R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J371R 、LXHF 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 、u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 4a（ta） 1.5V 、4.5V 55mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 10.4 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 630 PF @ 10 V - 1W
TK2R4E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK2R4E08QM、S1x 3.1800
RFQ
 ECAD 196 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosx-h チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 80 v 120a（tc） 6V 、10V 2.44mohm @ 50a 、10V 3.5V @ 2.2MA 178 NC @ 10 V ±20V 13000 pf @ 40 V - 300W （TC）
RN1102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102 0.3300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1102 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
HN1B01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage hn1b01fu-y、lxhf 0.3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1B01 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100na（icbo） NPN、PNP 300MV @ 10MA 、100MA / 250MV @ 10MA 、100MA 120 @ 2MA 、6V 120MHz、150MHz
RN2911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2911fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2911 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
RN4988FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4988fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4988 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 22kohms 47kohms
2SA1586-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-GR 、LXHF 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント SC-70、SOT-323 200 MW USM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
RN1418,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1418 、LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 9319 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1418 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 10 Kohms
RN1908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn1908fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1908 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 47kohms
RN1115,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1115 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1115 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 10 Kohms
RN1902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn1902fe 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1902 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 10kohms
RN1104,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104 0.3300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1104 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
RN2103MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2103mfv 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2103 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
SSM6K810R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K810R 、LXHF 0.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K810 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop-f ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 100 V 3.5a（ta） 4.5V 、10V 69mohm @ 2a 、10V 2.5V @ 100µA 3.2 NC @ 4.5 v ±20V 430 PF @ 15 V - 1.5W
RN4984FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4984fe 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4984 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 47kohms 47kohms
RN1112,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1112 0.0624
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1112 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 22 Kohms
RN2102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2102 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2102 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 10 Kohms
RN1113,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1113 0.0618
RFQ
 ECAD 7774 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1113 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
RN2111,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2111 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2111 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 10 Kohms
SSM6K809R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K809R 、LXHF 0.7000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6K809 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop-f ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 60 V 6a（ta） 4V 、10V 36mohm @ 5a 、10V 2.5V @ 100µA 9.3 NC @ 10 V ±20V 550 PF @ 10 V - 1.5W
SSM6J808R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R 、LXHF 0.7700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J808 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop-f ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 40 v 7a（ta） 4V 、10V 35mohm @ 2.5a 、10V 2V @ 100µA 24.2 NC @ 10 V +10V、-20V 1020 PF @ 10 V - 1.5W
2SC4116-BL,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc4116-bl lxhf 0.3300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 350 @ 2MA 、6V 80MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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