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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
RN2907(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2907 -
RFQ
 ECAD 1143 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2907 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 47kohms
RN4905T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905T5LFT 0.1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4905 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 2.2kohms 47kohms
RN2906FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2906fe 0.3400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2906 100MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 47kohms
RN4904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4904 -
RFQ
 ECAD 1192 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4904 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 47kohms
2SC2229-Y(MIT,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2229-y（mit -
RFQ
 ECAD 4110 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2229 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 1MA 、10ma 70 @ 10ma 、5v 120MHz
2SA1382,T6MIBF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1382 -
RFQ
 ECAD 4486 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1382 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 100na（icbo） PNP 500MV @ 33MA、1A 150 @ 500MA 、2V 110MHz
RN2968FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2968fe -
RFQ
 ECAD 8211 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2968 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 47kohms
RN2421(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2421 0.0906
RFQ
 ECAD 3541 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 表面マウント TO-236-3 RN2421 200 MW s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 800 Ma 500na pnp-前バイアス 250MV @ 2MA 、50mA 60 @ 100MA、1V 200 MHz 1 KOHMS 1 KOHMS
2SC2235-Y,T6ASHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y、t6ashf（j -
RFQ
 ECAD 1248 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
2SC5201,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201 -
RFQ
 ECAD 5246 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC5201 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 600 V 50 Ma 1µa（icbo） npn 1V @ 500MA 、20MA 100 @ 20ma 、5v -
TK31N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60W、S1VF 9.2900
RFQ
 ECAD 1508 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK31N60 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 600 V 30.8a 10V 88mohm @ 15.4a 、10V 3.7V @ 1.5MA 86 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 230W
RN2403,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2403 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2403 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200 MHz 22 Kohms 22 Kohms
2SC4213-A(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4213-A （TE85L 0.0742
RFQ
 ECAD 4305 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC4213 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 20 v 300 Ma 100na（icbo） npn 100MV @ 3MA 、30A 200 @ 4MA 、2V 30MHz
RFM01U7P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM01U7P 1.2713
RFQ
 ECAD 3591 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 20 v 表面マウント TO-243AA RFM01U7 520MHz モスフェット pw-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 1a 100 Ma 1.2W 10.8db - 7.2 v
2SC4117-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc4117-bl lf 0.2300
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC4117 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 120 v 100 Ma 100na（icbo） npn 300MV @ 1MA 、10ma 200 @ 2MA 、6V 100MHz
TK62J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK62J60W、S1VQ 16.3700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TK62J60 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 600 V 61.8a 10V 38mohm @ 30.9a 、10V 3.7V @ 3.1MA 180 NC @ 10 V ±30V 6500 PF @ 300 V - 400W （TC）
RN2101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101 0.2000
RFQ
 ECAD 2719 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2101 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2SD2129,LS4ALPSQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2129 -
RFQ
 ECAD 5024 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SD2129 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 100 V 3 a 100µa（icbo） npn 2V @ 12ma、3a 2000 @ 1.5a、3V -
RN1415,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1415 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1415 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 10 Kohms
RN1109,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1109 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1109 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
2SC3138-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2sc3138-y（te85l -
RFQ
 ECAD 5873 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC3138 150 MW TO-236 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 200 v 50 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 1MA 、10ma 120 @ 10MA、3V 100MHz
2SA1618-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1618-Y （TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-74A 、SOT-753 2SA1618 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル）マッチングペア、一般的なエミッター 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
RN1113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1113ACT （TPL3 0.3400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1113 100 MW CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 47 Kohms
RN1904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1904 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 47kohms
2SA1930,LBS2DIAQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930 -
RFQ
 ECAD 1334 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1930 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µa（icbo） PNP 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V 200MHz
2SA1837(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 -
RFQ
 ECAD 5940 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1837 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 500 230 v 1 a 1µa（icbo） PNP 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 70MHz
2SC2229(TE6SAN1F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229 -
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2229 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 1MA 、10ma 70 @ 10ma 、5v 120MHz
2SC3668-O,T2CLAF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3668-O 、T2claf（j -
RFQ
 ECAD 9779 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC3668 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN2963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2963 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2963 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 22kohms
2SC4944-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4944-Y （TE85L 0.3500
RFQ
 ECAD 557 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 2SC4944 200mw USV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 NPN （デュアル）マッチングペア、一般的なエミッター 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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