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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
RFM01U7P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM01U7P 1.2713
RFQ
 ECAD 3591 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 20 v 表面マウント TO-243AA RFM01U7 520MHz モスフェット pw-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 1a 100 Ma 1.2W 10.8db - 7.2 v
2SC4117-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc4117-bl lf 0.2300
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC4117 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 120 v 100 Ma 100na（icbo） npn 300MV @ 1MA 、10ma 200 @ 2MA 、6V 100MHz
TK62J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK62J60W、S1VQ 16.3700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TK62J60 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 600 V 61.8a 10V 38mohm @ 30.9a 、10V 3.7V @ 3.1MA 180 NC @ 10 V ±30V 6500 PF @ 300 V - 400W （TC）
RN2101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101 0.2000
RFQ
 ECAD 2719 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2101 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2SD2129,LS4ALPSQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2129 -
RFQ
 ECAD 5024 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SD2129 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 100 V 3 a 100µa（icbo） npn 2V @ 12ma、3a 2000 @ 1.5a、3V -
RN1415,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1415 、LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1415 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 10 Kohms
RN1109,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1109 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1109 100 MW SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
2SC3138-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2sc3138-y（te85l -
RFQ
 ECAD 5873 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC3138 150 MW TO-236 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 200 v 50 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 1MA 、10ma 120 @ 10MA、3V 100MHz
2SA1618-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1618-Y （TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-74A 、SOT-753 2SA1618 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル）マッチングペア、一般的なエミッター 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
RN1113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1113ACT （TPL3 0.3400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1113 100 MW CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 47 Kohms
RN1967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1967fe -
RFQ
 ECAD 7266 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1967 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 10kohms 47kohms
RN1904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1904 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 47kohms
2SA1930,LBS2DIAQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930 -
RFQ
 ECAD 1334 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1930 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µa（icbo） PNP 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V 200MHz
2SA1837(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 -
RFQ
 ECAD 5940 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1837 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 500 230 v 1 a 1µa（icbo） PNP 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 70MHz
2SC2229(TE6SAN1F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229 -
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2229 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 1MA 、10ma 70 @ 10ma 、5v 120MHz
2SC3668-O,T2CLAF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3668-O 、T2claf（j -
RFQ
 ECAD 9779 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC3668 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN2963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2963 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2963 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 22kohms
2SC4944-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4944-Y （TE85L 0.3500
RFQ
 ECAD 557 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 2SC4944 200mw USV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 NPN （デュアル）マッチングペア、一般的なエミッター 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
RN4990FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4990fe 0.2600
RFQ
 ECAD 6683 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4990 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 、200MHz 4.7kohms -
TPC8A02-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A02-H （TE12L -
RFQ
 ECAD 8737 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8A02 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 16a（ta） 4.5V 、10V 5.6mohm @ 8a 、10V 2.3V @ 1MA 34 NC @ 10 V ±20V 1970 pf @ 10 v - 1W
TPH4R003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R003NL 、L1Q 1.0700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH4R003 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 40a（tc） 4.5V 、10V 4mohm @ 20a 、10v 2.3V @ 200µA 14.8 NC @ 10 V ±20V 1400 PF @ 15 V - 1.6W
2SK3132(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3132 -
RFQ
 ECAD 6621 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3pl 2SK3132 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 500 V 50a（ta） 10V 95mohm @ 25a 、10V 3.4V @ 1MA 280 NC @ 10 V ±30V 11000 pf @ 10 V - 250W
2SK2917(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2917 -
RFQ
 ECAD 7510 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 2SK2917 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 500 V 18a（ta） 10V 270mohm @ 10a 、10V 4V @ 1MA 80 NC @ 10 V ±30V 3720 PF @ 10 V - 90W
TK12J60U(F) Toshiba Semiconductor and Storage TK12J60U -
RFQ
 ECAD 9902 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosii トレイ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TK12J60 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 12a（ta） 10V 400mohm @ 6a 、10V 5V @ 1MA 14 NC @ 10 V ±30V 720 PF @ 10 V - 144W
SSM3K59CTB,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K59CTB 、L3F 0.4200
RFQ
 ECAD 2492 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、リードなし SSM3K59 モスフェット（金属酸化物） CST3B ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 10,000 nチャネル 40 v 2a（ta） 1.8V 、8V 215mohm @ 1a 、8V 1.2V @ 1MA 1.1 NC @ 4.2 v ±12V 130 pf @ 10 v - 1W
2SC5233BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5233BTE85LF -
RFQ
 ECAD 8582 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC5233 100 MW USM - 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 Ma 100na（icbo） npn 250mv @ 10ma 、200ma 500 @ 10MA 、2V 130MHz
TK14C65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK14C65W、S1Q -
RFQ
 ECAD 2199 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して To-262-3 Long Leads TK14C65 モスフェット（金属酸化物） i2pak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 13.7a 10V 250mohm @ 6.9a 、10V 3.5V @ 690µA 35 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 130W
TK31E60X,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60X 、S1x 5.6700
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK31E60 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 30.8a 10V 88mohm @ 9.4a 、10V 3.5V @ 1.5MA 65 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 230W
TK4P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P50D（T6RSS-Q） -
RFQ
 ECAD 2672 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK4P50 モスフェット（金属酸化物） d-pak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TK4P50DT6RSSQ ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 500 V 4a（ta） 10V 2OHM @ 2A 、10V 4.4V @ 1MA 9 NC @ 10 V ±30V 380 PF @ 25 V - 80W
2SC5201(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201 -
RFQ
 ECAD 1063 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC5201 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 600 V 50 Ma 1µa（icbo） npn 1V @ 500MA 、20MA 100 @ 20ma 、5v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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