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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
CRS30I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS30I30A 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS30I30 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 490 mV @ 3 a 100 µA @ 30 V 150°C （最大） 3a 82pf @ 10V、1MHz
CRZ12(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz12 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F CRZ12 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 8 V 12 v 30オーム
CRZ13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz13（TE85L 0.4900
RFQ
 ECAD 3970 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F CRZ13 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 9 V 13 v 30オーム
CRZ30(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz30（TE85L 0.4900
RFQ
 ECAD 9098 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F CRZ30 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 21 V 30 V 30オーム
CRZ36(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz36（TE85L 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F CRZ36 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 28.8 v 36 v 30オーム
CRZ39(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz39（TE85L 0.4900
RFQ
 ECAD 7342 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F CRZ39 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 31.2 v 39 v 35オーム
CRZ47(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz47（TE85L 0.4900
RFQ
 ECAD 4033 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F CRZ47 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 37.6 v 47 v 65オーム
CUS10I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage cus10i30a -
RFQ
 ECAD 5115 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS10I30 ショットキー us-flat（1.25x2.5） ダウンロード ROHS準拠 CUS10I30A （TE85LQM ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 30 V 390 mV @ 700 Ma 60 µA @ 30 V 150°C （最大） 1a 50pf @ 10V、1MHz
CUS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS10I40A -
RFQ
 ECAD 1671 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS10I40 ショットキー us-flat（1.25x2.5） ダウンロード ROHS準拠 CUS10I40A （TE85LQM ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 40 v 490 mV @ 700 Ma 60 µA @ 40 V 150°C （最大） 1a 35pf @ 10V、1MHz
RN1307,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1307 、LF 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1307 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 47 Kohms
RN1309,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1309 、LF 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1309 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 5MA 、5V 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
RN1311,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1311 0.2200
RFQ
 ECAD 5946 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1311 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 10 Kohms
RN1403,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1403 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1403 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
RN2114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn2114mfv、l3f 0.2000
RFQ
 ECAD 7888 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2114 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 50 @ 10ma 、5v 1 KOHMS 10 Kohms
RN2401,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2401 、LF 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2401 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
BAS316,H3F Toshiba Semiconductor and Storage BAS316 、H3F 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 BAS316 標準 USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 100 V 1.25 V @ 150 MA 3 ns 200 Na @ 80 V 150°C （最大） 250ma 0.35pf @ 0V、1MHz
BAS516,H3F Toshiba Semiconductor and Storage BAS516 、H3F 0.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 BAS516 標準 ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 4,000 高速回復= <500ns 100 V 1.25 V @ 150 MA 3 ns 200 Na @ 80 V 150°C （最大） 250ma 0.35pf @ 0V、1MHz
BAV70,LM Toshiba Semiconductor and Storage bav70、lm 0.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 bav70 標準 SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 215ma 1.25 V @ 150 MA 4 ns 200 Na @ 80 V 150°C （最大）
BAV99,LM Toshiba Semiconductor and Storage bav99、lm 0.1900
RFQ
 ECAD 687 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 bav99 標準 SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 1ペアシリーズ接続 100 V 215ma 1.25 V @ 150 MA 3 ns 200 Na @ 80 V 150°C （最大）
CBS10F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage cbs10f40、l3f 0.4300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-882 CBS10F40 ショットキー CST2B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10,000 高速回復= <500ns 40 v 700 mV @ 1 a 20 µA @ 40 V 150°C （最大） 1a 74pf @ 0V、1MHz
CUS05F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cus05f40、H3f 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS05F40 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 40 v 810 mv @ 500 Ma 15 µA @ 40 V 150°C （最大） 500mA 28pf @ 0V、1MHz
CUS10F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cus10f40、H3f 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS10F40 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 670 mV @ 1 a 20 µA @ 40 V 150°C （最大） 1a 74pf @ 0V、1MHz
SSM6J216FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J216FE 、LF 0.4900
RFQ
 ECAD 2168 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-563、SOT-666 SSM6J216 モスフェット（金属酸化物） ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 pチャネル 12 v 4.8a（ta） 1.5V 、4.5V 32mohm @ 3.5a 、4.5V 1V @ 1MA 12.7 NC @ 4.5 v ±8V 1040 pf @ 12 v - 700MW
SSM6L12TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L12TU 、LF 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6L12 モスフェット（金属酸化物） 500MW UF6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nおよびpチャネル 30V 、20V 500ma（ta） 145mohm @ 500ma 、4.5v 、260mohm @ 250ma 、4v 1.1V @ 100µA - 245pf @ 10V、218pf @ 10V -
SSM6N67NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N67NU 、LF 0.5000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6N67 モスフェット（金属酸化物） 2W （TA） 6-µDFN （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 4a（ta） 39.1mohm @ 2a 、4.5V 1V @ 1MA 3.2NC @ 4.5V 310pf @ 15V ロジックレベルゲート、 1.8Vドライブ
SSM3K376R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K376R 、LF 0.4300
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SOT-23-3フラットリード SSM3K376 モスフェット（金属酸化物） SOT-23F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 4a（ta） 1.8V 、4.5V 56mohm @ 2a 、4.5v 1V @ 1MA 2.2 NC @ 4.5 v +12V、-8V 200 pf @ 10 v - 2W （TA）
TK040N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK040N65Z、S1F 11.2700
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-247-3 TK040N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 57a（ta） 10V 40mohm @ 28.5a 、10V 4V @ 2.85MA 105 NC @ 10 V ±30V 6250 PF @ 300 v - 360W
CUHS20F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs20f30、H3f 0.3600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード cuhs20 ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 470 mV @ 2 a 60 µA @ 30 V 150°C （最大） 2a 380pf @ 0V、1MHz
CUHS20S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs20s30、H3f 0.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード cuhs20 ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 410 mv @ 2 a 500 µA @ 30 V 150°C （最大） 2a 390pf @ 0V、1MHz
DSF01S30SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SC、L3F -
RFQ
 ECAD 4466 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 0201 （0603 メトリック） DSF01S30 ショットキー SC2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） DSF01S30SCL3F ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 500 mV @ 100 Ma 50 µA @ 30 V 125°C （最大） 100mA 9.3pf @ 0V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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