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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
RN1402S,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1402S 、LF -
RFQ
 ECAD 4581 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-236-3 RN1402 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc3326-b、lf 0.4000
RFQ
 ECAD 205 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC3326 150 MW TO-236 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 20 v 300 Ma 100na（icbo） npn 100MV @ 3MA 、30MA 350 @ 4MA 、2V 30MHz
2SC2655-Y(T6STL,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-y（t6stl、fm -
RFQ
 ECAD 1155 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2655 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN4909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4909 -
RFQ
 ECAD 3024 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4909 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 22kohms
RN2106ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2106ACT （TPL3） 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2106 100 MW CST3 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 500na pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 4.7 Kohms 47 Kohms
HN1C03FU-A(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage hn1c03fu-a（te85l、f 0.4400
RFQ
 ECAD 9755 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1C03 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100na（icbo） 2 NPN （デュアル） 100MV @ 3MA 、30MA 200 @ 4MA 、2V 30MHz
CRF03A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CRF03A -
RFQ
 ECAD 5905 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - 箱 アクティブ 表面マウント SOD-123F 標準 s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 600 V 2 V @ 700 Ma 100 ns 50 µA @ 600 V 150°C 700MA -
2SA1182-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1182-Y 、LF 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SA1182 150 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 500 Ma 100na（icbo） PNP 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 100MA、1V 200MHz
RN1961(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1961 0.4600
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1961 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
TTC0002(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTC0002 3.3400
RFQ
 ECAD 6091 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して to-3pl TTC0002 180 W to-3p ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TTC0002Q ear99 8541.29.0075 100 160 v 18 a 1µa（icbo） npn 2V @ 900MA 、9a 80 @ 1a 、5V 30MHz
2SC3668-Y,T2WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc3668-y、t2wnlf（j -
RFQ
 ECAD 8244 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC3668 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN1964TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1964TE85LF 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1964 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 47kohms
HN3C51F-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage hn3c51f-bl（te85l、f -
RFQ
 ECAD 9019 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-74、SOT-457 HN3C51 300MW SM6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100na（icbo） 2 NPN （デュアル） 300MV @ 1MA 、10ma 350 @ 2MA 、6V 100MHz
RN1406,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1406 、LF 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1406 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
RN2304(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2304 （TE85L -
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2304 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 47 Kohms
RN2108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2108 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2108 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 22 Kohms 47 Kohms
TK40S10K3Z(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S10K3Z -
RFQ
 ECAD 6132 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK40S10 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 100 V 40a（ta） 10V 18mohm @ 20a 、10v 4V @ 1MA 61 NC @ 10 V ±20V 3110 pf @ 10 v - 93W
2SC2229-Y(T6SAN2FM Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2229-y（t6san2fm -
RFQ
 ECAD 7037 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2229 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） 2SC2229YT6SAN2FM ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 1MA 、10ma 70 @ 10ma 、5v 120MHz
2SA1020A,T6CSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020a -
RFQ
 ECAD 4521 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2SC6135,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6135 、LF 0.4700
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード 2SC6135 500 MW UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 1 a 100na（icbo） npn 120MV @ 6MA、300MA 400 @ 100MA 、2V -
2SC4793(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793 -
RFQ
 ECAD 5677 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC4793 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 500 230 v 1 a 1µa（icbo） npn 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 100MHz
RN2962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2962fe -
RFQ
 ECAD 8234 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2962 100MW ES6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 1kohms
TK40P03M1(T6RDS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK40P03M1 -
RFQ
 ECAD 6022 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 - 表面マウント to-252-3 TK40P03 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TK40P03M1T6RDSQ ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 30 V 40a（ta） 4.5V 、10V 10.8mohm @ 20a 、10V 2.3V @ 100µA 17.5 NC @ 10 V ±20V 1150 PF @ 10 V - -
TK12A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A80W、S4x 3.1200
RFQ
 ECAD 4351 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK12A80 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 適用できない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 11.5a（ta） 10V 450mohm @ 5.8a 、10V 4V @ 570µA 23 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 300 v - 45W
2SJ377(TE16R1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ377 -
RFQ
 ECAD 5182 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SJ377 モスフェット（金属酸化物） pw-mold ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 60 V 5a（ta） 4V 、10V 190mohm @ 2.5a 、10V 2V @ 1MA 22 NC @ 10 V ±20V 630 PF @ 10 V - 20W （TC）
TK10V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10V60W 、LVQ 1.6898
RFQ
 ECAD 2422 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK10v60 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 9.7a（ta） 10V 380mohm @ 4.9a 、10V 3.7V @ 500µA 20 NC @ 10 V ±30V 700 pf @ 300 v - 88.3W
SSM3J130TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J130TU 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 166 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J130 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 4.4a（ta） 1.5V 、4.5V 25.8mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 24.8 NC @ 4.5 v ±8V 1800 pf @ 10 v - 500MW
TPN13008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN13008NH l1q 1.0600
RFQ
 ECAD 656 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN13008 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 80 v 18a（tc） 10V 13.3mohm @ 9a、10V 4V @ 200µA 18 NC @ 10 V ±20V 1600 pf @ 40 v - 700MW
2SC3665-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc3665-y、t2f（j -
RFQ
 ECAD 2388 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC3665 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
2SC5108-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5108-Y 、LF -
RFQ
 ECAD 8584 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 2SC5108 100MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 11db 10V 30ma npn 120 @ 5MA 、5V 6GHz -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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