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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
2SJ377(TE16R1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ377 -
RFQ
 ECAD 5182 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SJ377 モスフェット（金属酸化物） pw-mold ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 60 V 5a（ta） 4V 、10V 190mohm @ 2.5a 、10V 2V @ 1MA 22 NC @ 10 V ±20V 630 PF @ 10 V - 20W （TC）
TK10V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10V60W 、LVQ 1.6898
RFQ
 ECAD 2422 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK10v60 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 9.7a（ta） 10V 380mohm @ 4.9a 、10V 3.7V @ 500µA 20 NC @ 10 V ±30V 700 pf @ 300 v - 88.3W
SSM3J130TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J130TU 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 166 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J130 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 4.4a（ta） 1.5V 、4.5V 25.8mohm @ 4a 、4.5V 1V @ 1MA 24.8 NC @ 4.5 v ±8V 1800 pf @ 10 v - 500MW
TPN13008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN13008NH l1q 1.0600
RFQ
 ECAD 656 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN13008 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 80 v 18a（tc） 10V 13.3mohm @ 9a、10V 4V @ 200µA 18 NC @ 10 V ±20V 1600 pf @ 40 v - 700MW
2SC3665-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc3665-y、t2f（j -
RFQ
 ECAD 2388 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SC3665 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
2SC5108-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5108-Y 、LF -
RFQ
 ECAD 8584 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 2SC5108 100MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 11db 10V 30ma npn 120 @ 5MA 、5V 6GHz -
2SC2655-Y(T6ND2,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-y（t6nd2、af -
RFQ
 ECAD 3741 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2655 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
RN4602TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4602TE85LF 0.3800
RFQ
 ECAD 1144 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN4602 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 10kohms
2SK1829TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK1829TE85LF 0.0742
RFQ
 ECAD 2046 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SK1829 モスフェット（金属酸化物） SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 50ma（ta） 2.5V 40OHM @ 10MA 、2.5V - 10V 5.5 PF @ 3 V - 100MW
RN2908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2908 -
RFQ
 ECAD 3244 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2908 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 22kohms
RN1905(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1905 0.3400
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1905 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 2.2kohms 47kohms
RN1608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1608 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN1608 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 47kohms
RN4902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4902fe、lf（ct 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4902 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 10kohms 10kohms
RN2413TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2413TE85LF 0.2900
RFQ
 ECAD 4597 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN2413 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 47 Kohms
2SC2229-O(T6SHP1FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O （T6SHP1FM -
RFQ
 ECAD 4278 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2229 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） 2SC2229OT6SHP1FM ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 1MA 、10ma 70 @ 10ma 、5v 120MHz
RN2506(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2506 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 RN2506 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 47kohms
RN1963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1963 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1963 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 22kohms
RN2105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn2105ct（tpl3） -
RFQ
 ECAD 2702 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2105 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 500na pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 10MA 、5V 2.2 KOHMS 47 Kohms
TK100E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK100E06N1、S1x 2.7500
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK100E06 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 100a（ta） 10V 2.3mohm @ 50a 、10V 4V @ 1MA 140 NC @ 10 V ±20V 10500 PF @ 30 V - 255W
2SA1972,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1972 -
RFQ
 ECAD 9783 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1972 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 400 V 500 Ma 10µa（icbo） PNP 1V @ 10MA 、100mA 140 @ 20MA 、5V 35MHz
ULN2803APG,CN Toshiba Semiconductor and Storage uln2803apg、 cn -
RFQ
 ECAD 1735 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 18-dip（0.300 "、7.62mm） ULN2803 1.47W 18ディップ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 800 50V 500mA - 8 npnダーリントン 1.6V @ 500µA、350MA 1000 @ 350MA 、2V -
RN2963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2963fe -
RFQ
 ECAD 1154 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2963 100MW ES6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 22kohms
2SC4116-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-Y 、LF 0.1800
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC4116 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
RN1108CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn1108ct（tpl3） -
RFQ
 ECAD 5255 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1108 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 500na npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 10MA 、5V 22 Kohms 47 Kohms
TK12A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A53D 2.5900
RFQ
 ECAD 4943 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosvii チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK12A53 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 525 v 12a（ta） 10V 580mohm @ 6a 、10V 4V @ 1MA 25 NC @ 10 V ±30V 1350 PF @ 25 V - 45W
HN1C01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage hn1c01fu-gr、lf 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1C01 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 NPN （デュアル） 250MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
2SA1588-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1588-GR 、LF 0.2700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SA1588 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 500 Ma 100na（icbo） PNP 250MV @ 10MA 、100mA 200 @ 100MA、1V 200MHz
2SA1162-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-O 、LF 0.1700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SA1162 150 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
2SB1495,Q(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1495 -
RFQ
 ECAD 9800 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SB1495 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1 100 V 3 a 10µa（icbo） PNP 1.5V @ 1.5MA、1.5a 2000 @ 2a 、2V -
RN1906FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage rn1906fe -
RFQ
 ECAD 2896 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1906 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 4.7kohms 47kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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