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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
SSM6L61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L61NU 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6L61 モスフェット（金属酸化物） - 6-udfn （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nおよびpチャネル 20V 4a - - - - -
RN2112,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2112 0.0624
RFQ
 ECAD 9359 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2112 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200 MHz 22 Kohms
RN1318(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1318 0.2800
RFQ
 ECAD 470 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1318 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 10 Kohms
2SC2229-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2229-y、f（j -
RFQ
 ECAD 5348 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2229 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 1MA 、10ma 70 @ 10ma 、5v 120MHz
2SA949-Y(T6SHRP,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y（T6SHRP 、FM -
RFQ
 ECAD 5283 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA949 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） PNP 800mv @ 1ma 、10a 70 @ 10ma 、5v 120MHz
RN4907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4907fe 0.2700
RFQ
 ECAD 6817 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN4907 100MW ES6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 、200MHz 10kohms 47kohms
TPCA8036-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8036-H -
RFQ
 ECAD 8612 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8036 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 38a（ta） 4.5V 、10V 4.2mohm @ 19a 、10V 2.3V @ 500µA 50 NC @ 10 V ±20V 4600 PF @ 10 V - 1.6W
CLS02(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02 （TE16R、Q） -
RFQ
 ECAD 9054 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS02 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 10 a 1 MA @ 40 V -40°C〜125°C 10a 420pf @ 10V、1MHz
2SC2235-Y,T6USNF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y、t6usnf（m -
RFQ
 ECAD 4600 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
HN1B04FU-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage hn1b04fu-y（t5l -
RFQ
 ECAD 1894年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1B04 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100na（icbo） NPN、PNP 250MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 150MHz
RN1111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn1111act（tpl3） -
RFQ
 ECAD 3758 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1111 100 MW CST3 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 10 Kohms
TK55D10J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK55D10J1 -
RFQ
 ECAD 9064 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK55D10 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 55a（ta） 4.5V 、10V 10.5mohm @ 27a 、10V 2.3V @ 1MA 110 NC @ 10 V ±20V 5700 PF @ 10 V - 140W
RN2302,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2302 、LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2302 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200 MHz 10 Kohms 10 Kohms
1SS300,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS300、LF 0.2200
RFQ
 ECAD 127 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS300 標準 USM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通アノード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
2SC2713-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2713-bl、lf 0.3100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC2713 150 MW TO-236 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 120 v 100 Ma 100na（icbo） npn 300MV @ 1MA 、10ma 350 @ 2MA 、6V 100MHz
2SA1837(LBSAN,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 -
RFQ
 ECAD 2923 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1837 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） PNP 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 70MHz
RN2119MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2119MFV 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2119 150 MW vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 120 @ 1MA 、5V 1 KOHMS
RN2711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2711je 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN2711 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
RN1911FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FETE85LF -
RFQ
 ECAD 8032 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1911 100MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 10kohms -
RN2111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn2111ct -
RFQ
 ECAD 9861 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2111 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 300 @ 1MA 、5V 10 Kohms
SSM6N44FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FU 、LF 0.3600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6N44 モスフェット（金属酸化物） 200MW US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 100ma（ta） 4OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA - 8.5pf @ 3V -
RN1401,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1401 、LF 0.2200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1401 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2SC2859-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2859-O -
RFQ
 ECAD 7051 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC2859 150 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 500 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 70 @ 100MA、1V 300MHz
2SA1020-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O -
RFQ
 ECAD 1486 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
TRS2E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS2E65F 、S1Q 1.0500
RFQ
 ECAD 1763 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 TRS2E65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.6 V @ 2 a 0 ns 20 µA @ 650 v 175°C （最大） 2a 8.7pf @ 650V、1MHz
SSM5P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5P15FU 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 SSM5P15 モスフェット（金属酸化物） 200MW USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 P-Channel （デュアル） 30V 100ma（ta） 12OHM @ 10MA 、4V 1.7V @ 100µA - 9.1pf @ 3V -
RN2606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2606 0.4800
RFQ
 ECAD 910 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN2606 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 47kohms
RN1417,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1417 lf 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1417 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
RN4910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4910 -
RFQ
 ECAD 1644 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4910 200mw US6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 4.7kohms -
TTC1949-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTC1949-GR 、LF 0.3100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 TTC1949 200 MW s-mini ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 Ma 100na（icbo） npn 400mv @ 50ma 、500ma 180 @ 100MA、1V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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