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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
2SA1930,ONKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930 -
RFQ
 ECAD 7793 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1930 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µa（icbo） PNP 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V 200MHz
SSM6K513NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K513NU 、LF 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C（ta） 表面マウント 6-wdfn露出パッド SSM6K513 モスフェット（金属酸化物） 6-udfnb （2x2） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 15a（ta） 4.5V 、10V 8.9mohm @ 4a 、10V 2.1V @ 100µA 7.5 NC @ 4.5 v ±20V 1130 PF @ 15 V - 1.25W
TTC1949-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTC1949-Y 、LF 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 TTC1949 200 MW s-mini ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 Ma 100na（icbo） npn 400mv @ 50ma 、500ma 120 @ 100MA、1V 100MHz
2SA1954BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1954BTE85LF -
RFQ
 ECAD 7205 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SA1954 100 MW SC-70 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 250mv @ 10ma 、200ma 500 @ 10MA 、2V 130MHz
2SK3906(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3906 -
RFQ
 ECAD 5343 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 2SK3906 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 330mohm @ 10a 、10V 4V @ 1MA 60 NC @ 10 V ±30V 4250 PF @ 25 V - 150W
RN1441ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1441ATE85LF -
RFQ
 ECAD 5685 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-236-3 RN1441 200 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 20 v 300 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 100MV @ 3MA 、30MA 200 @ 4MA 、2V 30 MHz 5.6 KOHMS
RN2961(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2961 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN2961 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN2703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2703je（TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN2703 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 22kohms
CMS06(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS06 0.5400
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS06 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 370 mV @ 2 a 3 ma @ 30 v -40°C〜125°C 2a 130pf @ 10V、1MHz
RN1111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn1111mfv、l3f 0.1800
RFQ
 ECAD 1755 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1111 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 10 Kohms
HN4K03JUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage hn4k03jute85lf -
RFQ
 ECAD 2107 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 HN4K03 モスフェット（金属酸化物） 5スソップ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 100ma（ta） 2.5V 12OHM @ 10MA 、2.5V - 10V 8.5 PF @ 3 V - 200MW
2SA1930(ONK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930 -
RFQ
 ECAD 2894 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1930 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µa（icbo） PNP 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V 200MHz
SSM3J65CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J65CTC、L3F 0.3900
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 SSM3J65 モスフェット（金属酸化物） CST3C ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 pチャネル 20 v 700ma（ta） 1.2V 、4.5V 500MOHM @ 500MA 、4.5V 1V @ 1MA ±10V 48 PF @ 10 V - 500MW
HN1D01FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn1d01fe 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 HN1D01 標準 ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 4,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2ペア共通アノード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 1.6 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
TPCA8064-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8064-H -
RFQ
 ECAD 1484 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8064 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 20a（ta） 4.5V 、10V 8.2mohm @ 10a 、10V 2.3V @ 200µA 23 NC @ 10 V ±20V 1900 pf @ 10 v - 1.6W
RN2119MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2119MFV 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN2119 150 MW vesm ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300mv @ 500µa 、5ma 120 @ 1MA 、5V 1 KOHMS
2SC2713-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2713-bl、lf 0.3100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC2713 150 MW TO-236 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 120 v 100 Ma 100na（icbo） npn 300MV @ 1MA 、10ma 350 @ 2MA 、6V 100MHz
2SA1020-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O -
RFQ
 ECAD 1486 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
1SS300,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS300、LF 0.2200
RFQ
 ECAD 127 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS300 標準 USM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通アノード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
2SA1837(LBSAN,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 -
RFQ
 ECAD 2923 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1837 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa（icbo） PNP 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 70MHz
RN2711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2711je 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN2711 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
RN1401,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1401 、LF 0.2200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1401 200 MW s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TRS2E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS2E65F 、S1Q 1.0500
RFQ
 ECAD 1763 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 TRS2E65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.6 V @ 2 a 0 ns 20 µA @ 650 v 175°C （最大） 2a 8.7pf @ 650V、1MHz
RN2111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn2111ct -
RFQ
 ECAD 9861 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2111 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 300 @ 1MA 、5V 10 Kohms
2SC2859-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2859-O -
RFQ
 ECAD 7051 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 2SC2859 150 MW s-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 500 Ma 100na（icbo） npn 250MV @ 10MA 、100mA 70 @ 100MA、1V 300MHz
SSM6N44FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FU 、LF 0.3600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 SSM6N44 モスフェット（金属酸化物） 200MW US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 30V 100ma（ta） 4OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA - 8.5pf @ 3V -
TJ9A10M3,S4Q Toshiba Semiconductor and Storage TJ9A10M3 、S4Q -
RFQ
 ECAD 3753 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TJ9A10 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS - 264-TJ9A10M3S4Q ear99 8541.29.0095 50 pチャネル 100 V 9a（ta） 10V 170mohm @ 4.5a 、10V 4V @ 1MA 47 NC @ 10 V ±20V 2900 PF @ 10 V - 19W （TC）
RN1911FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FETE85LF -
RFQ
 ECAD 8032 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1911 100MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 10kohms -
SSM5P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5P15FU 、LF 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 SSM5P15 モスフェット（金属酸化物） 200MW USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 P-Channel （デュアル） 30V 100ma（ta） 12OHM @ 10MA 、4V 1.7V @ 100µA - 9.1pf @ 3V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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