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離散半導体製品（ 1252）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	逆回復時間（ trr）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C
IRG4PC50UPBF	1.0000	RFQ	1578	国際整流器	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3		標準		200 W	TO-247AC	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		480V 、27A 、5OHM 、15V												-	600 V	55 a	220 a	2V @ 15V、27a	120µj（on ）、 540µj （オフ）	180 NC	32ns/170ns
IRG4PH40UDPBF	-	RFQ	4910	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3		標準		160 W	TO-247AC	-	適用できない	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		800V 、21a 、10ohm15V											63 ns	-	1200 v	41 a	82 a	3.1V @ 15V 、21a	1.8MJ （オン）、1.93MJ	86 NC	46ns/97ns
IRFB4510PBF	1.0000	RFQ	8609	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	nチャネル		100 V	62a（tc）	10V	13.5mohm @ 37a 、10V	4V @ 100µA	87 NC @ 10 V	±20V	3180 PF @ 50 V	-	140W
IRFR8314TRPBF	0.6500	RFQ	8654	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak（to-252aa）	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	16	nチャネル		30 V	90a	4.5V 、10V	2.2mohm @ 90a 、10V	2.2V @ 100µA	54 NC @ 4.5 v	±20V	4945 PF @ 15 V	-	125W
IRFF233	-	RFQ	8812	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	To-205af Metal Can			モスフェット（金属酸化物）		to-205af（to-39）	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1	nチャネル		150 v	4.5a	-	-	-		-		-	25W
IRL3103PBF	1.0000	RFQ	2105	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1	nチャネル		30 V	64a（tc）	4.5V 、10V	12mohm @ 34a 、10V	1V @ 250µA	33 NC @ 4.5 v	±16V	1650 PF @ 25 V	-	94W
auirl3705zs	1.4700	RFQ	8	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1	nチャネル		55 v	75a（tc）	4.5V 、10V	8mohm @ 52a 、10V	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±16V	2880 PF @ 25 V	-	130W
IRFPS3815PBF	-	RFQ	6082	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-274AA			モスフェット（金属酸化物）		Super-247™（To-274AA	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1	nチャネル		150 v	105a（tc）	10V	15mohm @ 63a 、10V	5V @ 250µA	390 NC @ 10 V	±30V	6810 PF @ 25 V	-	441W
IRL3713PBF	-	RFQ	4040	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1	nチャネル		30 V	260a（tc）	4.5V 、10V	3mohm @ 38a 、10V	2.5V @ 250µA	110 NC @ 4.5 v	±20V	5890 PF @ 15 V	-	330W
IRFR4104PBF	-	RFQ	8776	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	0000.00.0000	1	nチャネル		40 v	42a	10V	5.5mohm @ 42a 、10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	2950 PF @ 25 V	-	140W
IRL7486MTRPBF	1.2100	RFQ	4	国際整流器	hexfet®、 strongirfet™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	directfet™等尺性私			モスフェット（金属酸化物）		directfet™等尺性私	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1	nチャネル		40 v	209a	4.5V 、10V	1.25mohm @ 123a 、10V	2.5V @ 150µA	111 NC @ 4.5 v	±20V	6904 PF @ 25 V	-	104W
IPD50N04S308ATMA1	-	RFQ	1497	国際整流器	Optimos™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IPD50		モスフェット（金属酸化物）		PG-to252-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	0000.00.0000	2,500	nチャネル		40 v	50a（tc）	10V	7.5mohm @ 50a 、10V	4V @ 40µA	35 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 25 v	-	68W （TC）
IRF245	-	RFQ	2316	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-204ae			モスフェット（金属酸化物）		to-204ae	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	0000.00.0000	143	nチャネル		250 v	13a（tc）		-	-		-		-	125W
auirf2907zs-7p	-	RFQ	1959年年	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7			モスフェット（金属酸化物）		d2pak（7 リード）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1	nチャネル		75 v	180a（tc）		3.8mohm @ 110a 、10V	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V		7580 PF @ 25 V	-
IRFB5620PBF	-	RFQ	8564	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-IRFB5620PBF-600047			1	nチャネル		200 v	25a（tc）	10V	72.5mohm @ 15a 、10V	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±20V	1710 pf @ 50 v	-	144W
IRF7821PBF	1.0000	RFQ	9751	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜155°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）		8-SO	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1	nチャネル		30 V	13.6a	4.5V 、10V	9.1mohm @ 13a 、10v	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 v	±20V	1010 PF @ 15 V	-	2.5W
Auirls3034	2.6100	RFQ	4	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1	nチャネル		40 v	195a（tc）	4.5V 、10V	1.7mohm @ 195a 、10V	2.5V @ 250µA	162 NC @ 4.5 v	±20V	10315 PF @ 25 V	-	375W
IRFP4868PBF	-	RFQ	4090	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-247AC	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1	nチャネル		300 V	70a	10V	32mohm @ 42a 、10V	5V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	10774 PF @ 50 V	-	517W
auirf9540n	1.0400	RFQ	5	国際整流器	aec-q101	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1	pチャネル		100 V	23a（tc）	10V	117mohm @ 11a 、10V	4V @ 250µA	97 NC @ 10 V	±20V	1300 PF @ 25 V	-	140W
auirf1010ezstrl	1.0000	RFQ	3305	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1	nチャネル		60 V	75a（tc）	10V	8.5mohm @ 51a 、10V	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±20V	2810 pf @ 25 v	-	140W
IRFU5305PBF	-	RFQ	9283	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3			モスフェット（金属酸化物）		IPAK（TO-251AA）	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-IRFU5305PBF-600047	ear99	0000.00.0000	1	pチャネル		55 v	31a（tc）	10V	65mohm @ 16a 、10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1200 PF @ 25 V	-	110W
IRL2203NPBF	-	RFQ	2624	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1	nチャネル		30 V	116a（tc）	4.5V 、10V	7mohm @ 60a 、10V	1V @ 250µA	60 NC @ 4.5 v	±16V	3290 PF @ 25 V	-	180W
IRLR8729PBF	-	RFQ	2904	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-252AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1	nチャネル		30 V	58a		8.9mohm @ 25a 、10V	2.35V @ 25µA	16 NC @ 4.5 v	±20V	1350 PF @ 15 V	-	55W （TC）
IRFR4104TRLPBF	-	RFQ	2698	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード						0000.00.0000	1	nチャネル		40 v	42a	10V	5.5mohm @ 42a 、10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	2950 PF @ 25 V	-	140W
IRG7PH35UPBF	2.4500	RFQ	3	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3		標準		210 W	TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		600V 、20A 、10OHM15V												溝	1200 v	55 a	60 a	2.2V @ 15V 、20a	1.06MJ （オン）、620µJ	130 NC	30ns/160ns
auirfs4310z	-	RFQ	9242	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けた	2156-AUIRFS4310Z-600047	ear99	8541.29.0095	1	nチャネル		100 V	120a（tc）	10V	6mohm @ 75a 、10V	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6860 PF @ 50 V	-	250W
IRG4IBC30UDPBF	1.0000	RFQ	9741	国際整流器	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック		標準		45 W	TO-220AB FULL-PAK	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		480v											42 ns	-	600 V	17 a	68 a	2.1V @ 15V 、12a	380µj（オン）、160µJ	50 NC	40ns/91ns
auirl1404zs	1.7000	RFQ	11	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1	nチャネル		40 v	160a（tc）	4.5V 、10V	3.1mohm @ 75a 、10V	2.7V @ 250µA	110 NC @ 5 V	±16V	5080 PF @ 25 V	-	200W （TC）
auirfp064n	2.4000	RFQ	6	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-247AC	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けた	2156-AUIRFP064N-600047			1	nチャネル		55 v	110a（tc）	10V	8mohm @ 59a、10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	200W （TC）
auirgs4062d1	3.3900	RFQ	450	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	auirgs4062	標準		246 W	d²pak	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		400V 、24a 、10ohm15V											102 ns	溝	600 V	59 a	72 a	1.77V @ 15V 、24A	532µj（on 311µj（オフ）	77 NC	19ns/90ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 1252）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²