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離散半導体製品（ 1252）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	現在	電圧	電圧 -分離	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	逆回復時間（ trr）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C
IRFS7434TRL7PP	-	RFQ	3629	国際整流器	hexfet®、 strongirfet™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-7				モスフェット（金属酸化物）		D2PAK-7	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	1		nチャネル					40 v	240a	6V 、10V	1mohm @ 100a 、10V	3.9V @ 250µA	315 NC @ 10 V	±20V	10250 PF @ 25 V	-	245W
IRAM256-1567A2	-	RFQ	1717	国際整流器	imotion™	バルク	廃止		穴を通して	29-POWERSSIP モジュール、21 のリード、リードを形成しました	IGBT						ダウンロード	ear99	8542.39.0001	1	3フェーズ			15 a	600 V	2000VRMS
auirls3036trl	-	RFQ	6888	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3	ダウンロード	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					60 V	195a（tc）	4.5V 、10V	2.4mohm @ 165a 、10V	2.5V @ 250µA	140 NC @ 4.5 v	±16V	11210 PF @ 50 V	-	380W
auirlr2703trl	0.9100	RFQ	2	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					30 V	20a（tc）		45mohm @ 14a 、10V	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 v		450 pf @ 25 v	-	45W
IRFR1010ZTRLPBF	-	RFQ	1966年年	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	1		nチャネル					55 v	42a	10V	7.5mohm @ 42a 、10V	4V @ 100µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 PF @ 25 V	-	140W
IRF200S234	-	RFQ	5507	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	1		nチャネル					200 v	90a	10V	16.9mohm @ 51a 、10V	5V @ 250µA	162 NC @ 10 V	±20V	6484 PF @ 50 V	-	417W
auirfsl8405	-	RFQ	6271	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads				モスフェット（金属酸化物）		TO-262	ダウンロード	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					40 v	120a（tc）	10V	2.3mohm @ 100a 、10V	3.9V @ 100µA	161 NC @ 10 V	±20V	5193 PF @ 25 V	-	163W
auirfs4115	-	RFQ	3625	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					150 v	99a（tc）	10V	12.1mohm @ 62a 、10V	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5270 PF @ 50 V	-	375W
IRFU4510PBF	0.8200	RFQ	5003	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3				モスフェット（金属酸化物）		IPAK（TO-251AA）	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	114		nチャネル					100 V	56a（tc）	10V	13.9mohm @ 38a 、10V	4V @ 100µA	81 NC @ 10 V	±20V	3031 PF @ 50 V	-	143W
IRFR7440TRPBF	-	RFQ	2155	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	176-LQFP				モスフェット（金属酸化物）		176-lqfp（24x24）	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	1		nチャネル					40 v	90a	6V 、10V	2.4mohm @ 90a 、10V	3.9V @ 100µA	134 NC @ 10 V	±20V	4610 PF @ 25 V	-	140W
auirf4104strl	1.4000	RFQ	456	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					40 v	75a（tc）		5.5mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	100 NC @ 10 V		3000 pf @ 25 v	-	140W
auirf7343qtr	1.0000	RFQ	8885	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		auirf7343		モスフェット（金属酸化物）	2W	8-SOIC	ダウンロード	ear99	8541.29.0095	1	nおよびpチャネル						55V	4.7a 、3.4a		50mohm @ 4.7a 、10V	1V @ 250µA	36NC @ 10V		740pf @ 25V	ロジックレベルゲート
IRFS7434-7PPBF	-	RFQ	2838	国際整流器	hexfet®、 strongirfet™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-7				モスフェット（金属酸化物）		d2pak（7 リード）	ダウンロード		0000.00.0000	1		nチャネル					40 v	240a	6V 、10V	1mohm @ 100a 、10V	3.9V @ 250µA	315 NC @ 10 V	±20V	10250 PF @ 25 V	-	245W
IRFSL7434PBF	-	RFQ	9234	国際整流器	hexfet®、 strongirfet™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads				モスフェット（金属酸化物）		TO-262	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	1		nチャネル					40 v	195a（tc）	6V 、10V	1.6mohm @ 100a 、10V	3.9V @ 250µA	324 NC @ 10 V	±20V	10820 PF @ 25 V	-	294W
IRFF333	-	RFQ	8970	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	To-205af Metal Can				モスフェット（金属酸化物）		to-205af（to-39）	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	64		nチャネル					350 V	3a	-	-	-		-		-	25W
auirfs8408-7trl	1.0000	RFQ	4524	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-7-900	ダウンロード	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					40 v	240a	10V	1mohm @ 100a 、10V	3.9V @ 250µA	315 NC @ 10 V	±20V	10250 PF @ 25 V	-	294W
auirgps4070d0	11.6300	RFQ	933	国際整流器	aec-q101	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-274AA		auirgps4070	標準		750 W	PG-to274-3-903	ダウンロード	ear99	8541.29.0095	1			400V 、120A 、4.7OHM、15V														210 ns	溝	600 V	240 a	360 a	2V @ 15V、120a	5.7MJ	250 NC	40ns/140ns
auirfb3207	-	RFQ	9778	国際整流器	hexfet®	バルク	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	ear99	8541.29.0095	50		nチャネル					75 v	75a（tc）	10V	4.5mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 50 V	-	300W （TC）
IRFP4368PBF	-	RFQ	6132	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3				モスフェット（金属酸化物）		TO-247AC	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	1		nチャネル					75 v	195a（tc）	10V	1.85mohm @ 195a 、10V	4V @ 250µA	570 NC @ 10 V	±20V	19230 pf @ 50 v	-	520W
auirlr3705ztr	-	RFQ	4648	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ		表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード	ear99	8541.29.0095	153		nチャネル					55 v	42a		8mohm @ 42a 、10V	3V @ 250µA	66 NC @ 5 V		2900 PF @ 25 V	-
auirf1404s	3.3600	RFQ	25	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					40 v	75a（tc）	10V	4mohm @ 95a 、10V	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7360 PF @ 25 V	-	3.8W （TA ）、200W（TC）
auirfr3504z	0.8200	RFQ	7953	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					40 v	42a	10V	9mohm @ 42a 、10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1510 pf @ 25 v	-	90W
IRFB4615PBF	-	RFQ	8373	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	1		nチャネル					150 v	35a（tc）	10V	39mohm @ 21a 、10V	5V @ 100µA	26 NC @ 10 V	±20V	1750 PF @ 50 V	-	144W
auirf1010ezs	-	RFQ	5742	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3	ダウンロード	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					60 V	75a（tc）	10V	8.5mohm @ 51a 、10V	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±20V	2810 pf @ 25 v	-	140W
IRFH7004TRPBF	-	RFQ	3280	国際整流器	hexfet®、 strongirfet™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-VQFN露出パッド				モスフェット（金属酸化物）		8-PQFN	-		0000.00.0000	1		nチャネル					40 v	100a（tc）	6V 、10V	1.4mohm @ 100a 、10V	3.9V @ 150µA	194 NC @ 10 V	±20V	6419 PF @ 25 V	-	156W
IRF7905TRPBF	-	RFQ	7911	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		IRF7905		モスフェット（金属酸化物）	2W	8-SO	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	407	2 nチャンネル（デュアル）						30V	7.8a 、8.9a		21.8mohm @ 7.8a 、10V	2.25V @ 25µA	6.9NC @ 4.5V		600pf @ 15V	ロジックレベルゲート
94-2403	-	RFQ	3334	国際整流器	*	バルク	アクティブ										-		0000.00.0000	1
auirf3710zstrl	-	RFQ	3571	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3	ダウンロード	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					100 V	59a（tc）	10V	18mohm @ 35a 、10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	160W
IRFS3806PBF	0.3500	RFQ	7892	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	290		nチャネル					60 V	43a（tc）	10V	15.8mohm @ 25a 、10V	4V @ 50µA	30 NC @ 10 V	±20V	1150 PF @ 50 V	-	71W
IRFR7746TRPBF	-	RFQ	8932	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	176-LQFP				モスフェット（金属酸化物）		176-lqfp（24x24）	ダウンロード	ear99	8542.39.0001	1		nチャネル					75 v	56a（tc）	6V 、10V	11.2mohm @ 35a 、10V	3.7V @ 100µA	89 NC @ 10 V	±20V	3107 PF @ 25 V	-	99W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 1252）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²