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離散半導体製品（ 1252）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	逆回復時間（ trr）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C
IRG4PC30UDPBF-IR	-	RFQ	8288	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3		標準		100 W	TO-247AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1			480v											42 ns	-	600 V	23 a	92 a	2.1V @ 15V 、12a	380µj（オン）、160µJ	75 NC	40ns/91ns
IRG4RC10SDTRPBF-IR	-	RFQ	6719	国際整流器	*	バルク	アクティブ									-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1
auirgp66524d0-ir	4.2600	RFQ	1	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3	auirgp66524	標準		214 w	TO-247AC	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	77			400V 、24a 、10ohm15V											176 ns	溝	600 V	60 a	72 a	1.9V @ 15V 、24a	915µj（on 280µj （オフ）	50 NC	30ns/75ns
IRFI1010NPBF-IR	-	RFQ	9807	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB FULL-PAK	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		55 v	49a（tc）	10V	12mohm @ 26a 、10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	58W （TC）
IRLR8721TRPBF-IR	-	RFQ	2961	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-252AA	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	2,000		nチャネル		30 V	65a	4.5V 、10V	8.4mohm @ 25a 、10V	2.35V @ 25µA	13 NC @ 4.5 v	±20V	1030 PF @ 15 V	-	65W
auirgp4066d1-ir	8.2000	RFQ	445	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3	auirgp4066	標準		454 w	TO-247AC	-	適用できない	3 （168 時間）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1			400V 、75A 、10OHM 、15V											240 ns	溝	600 V	140 a	225 a	2.1V @ 15V 、75a	4.24MJ （オン）、2.17MJ	225 NC	50ns/200ns
IRF7469PBF	-	RFQ	4796	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）		8-SO	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		40 v	9a（ta）	4.5V 、10V	17mohm @ 9a 、10v	3V @ 250µA	23 NC @ 4.5 v	±20V	2000 pf @ 20 v	-	2.5W
IRLR7807ZPBF	-	RFQ	4293	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		30 V	43a（tc）	4.5V 、10V	13.8mohm @ 15a 、10V	2.25V @ 250µA	11 NC @ 4.5 v	±20V	780 PF @ 15 V	-	40W （TC）
IRFH7936TRPBF	0.3600	RFQ	4	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）		8-PQFN	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		30 V	20a（タタ）、 54a（tc）	4.5V 、10V	4.8mohm @ 20a 、10V	2.35V @ 50µA	26 NC @ 4.5 v	±20V	2360 PF @ 15 V	-	3.1W
IRFI7440GPBF	-	RFQ	7625	国際整流器	hexfet®、 strongirfet™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB FULL-PAK	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	191		nチャネル		40 v	95a	10V	2.5mohm @ 57a 、10V	3.9V @ 100µA	132 NC @ 10 V	±20V	4549 PF @ 25 V	-	42W
IRGP4263DPBF	4.7500	RFQ	250	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3		標準		325 W	TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1			400V 、48A 、10OHM15V											170 ns	-	650 V	90 a	192 a	2.1V @ 15V 、48a	2.9MJ	145 NC	70ns/140ns
IRF7311PBF	0.2900	RFQ	6902	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF731		モスフェット（金属酸化物）	2W	8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	40	2 nチャンネル（デュアル）			20V	6.6a		29mohm @ 6a 、4.5V	700MV @ 250µA	27NC @ 4.5V		900pf @ 15V	ロジックレベルゲート
auirfu8403-701trl	0.9700	RFQ	11	国際整流器	Automotive	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3			モスフェット（金属酸化物）		PG-to251-3-901	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	3,000		nチャネル		40 v	100a（tc）	10V	3.1mohm @ 76a 、10V	3.9V @ 100µA	99 NC @ 10 V	±20V	3171 PF @ 25 V	-	99W
IRF6655TRPBF	1.0000	RFQ	8775	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™等尺性sh			モスフェット（金属酸化物）		directfet™sh	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		100 V	4.2a	10V	62mohm @ 5a、10V	4.8V @ 25µA	11.7 NC @ 10 V	±20V	530 PF @ 25 V	-	2.2W
IRGIB7B60KDPBF	0.9500	RFQ	1	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック		標準		39 W	TO-220AB FULL-PAK	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1			400V 、8A 、50OHM、15V											95 ns	npt	600 V	12 a	24 a	2.2V @ 15V 、8a	160µj（オン）、160µj（オフ）	29 NC	23ns/140ns
IRGP4740D-EPBF	2.5700	RFQ	5	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3		標準		250 W	TO-247AD	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1			400V 、24a 、10ohm15V											170 ns	-	650 V	60 a	72 a	2V @ 15V、24a	520µj（on ）、240µj （オフ）	70 NC	24ns/73ns
IRFB59N10DPBF	-	RFQ	3065	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		100 V	59a（tc）	10V	25mohm @ 35.4a 、10V	5.5V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±30V	2450 PF @ 25 V	-	3.8W （TA ）、200W（TC）
auirf1010zs	-	RFQ	2758	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		55 v	75a（tc）	10V	7.5mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 PF @ 25 V	-	140W
IRGSL4640DPBF	2.2400	RFQ	800	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads		標準		250 W	TO-262	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	0000.00.0000	1			400V 、24a 、10ohm15V											89 ns	-	600 V	65 a	72 a	1.9V @ 15V 、24a	115µj（on600µj （オフ）	75 NC	41ns/104ns
IRLL014NPBF	-	RFQ	6401	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA			モスフェット（金属酸化物）		SOT-223	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	0000.00.0000	234		nチャネル		55 v	2a（ta）		140mohm @ 2a 、10V	2V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±16V	230 PF @ 25 V	-	1W
IRLR2908TRLPBF	-	RFQ	4243	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak	-	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		80 v	30a（tc）	4.5V 、10V	28mohm @ 23a 、10V	2.5V @ 250µA	33 NC @ 4.5 v	±16V	1890 pf @ 25 v	-	120W （TC）
IRLR7807ZTRPBF	-	RFQ	8634	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak	-	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		30 V	43a（tc）	4.5V 、10V	13.8mohm @ 15a 、10V	2.25V @ 250µA	11 NC @ 4.5 v	±20V	780 PF @ 15 V	-	40W （TC）
IRF7406PBF	-	RFQ	8368	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）		8-SO	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		pチャネル		30 V	5.8a（ta）	4.5V 、10V	45mohm @ 2.8a 、10V	1V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	2.5W
IRLR3705ZPBF	-	RFQ	5574	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		55 v	42a	4.5V 、10V	8mohm @ 42a 、10V	3V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±16V	2900 PF @ 25 V	-	130W
auirf7484qtr	-	RFQ	5539	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）		8-SO	-	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	4,000		nチャネル		40 v	14a（ta）	7V	10mohm @ 14a 、7v	2V @ 250µA	100 NC @ 7 V	±8V	3520 PF @ 25 V	-	2.5W
IRL3103STRLPBF	1.0000	RFQ	9926	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		30 V	64a（tc）	4.5V 、10V	12mohm @ 34a 、10V	1V @ 250µA	33 NC @ 4.5 v	±16V	1650 PF @ 25 V	-	94W
IRFS3006PBF	-	RFQ	1153	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		60 V	195a（tc）	10V	2.5mohm @ 170a 、10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	8970 PF @ 50 V	-	375W
IRFIZ48NPBF	-	RFQ	5791	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB FULL-PAK	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		55 v	40a（tc）	10V	16mohm @ 22a 、10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 v	-	54W
IRGS8B60KPBF	0.7900	RFQ	1	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IRGS8B60KPBF	標準		167 w	d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1			400V 、8A 、50OHM、15V												npt	600 V	28 a	34 a	2.2V @ 15V 、8a	160µj（オン）、160µj（オフ）	29 NC	23ns/140ns
IRFSL3607PBF	-	RFQ	2715	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）		TO-262	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	429		nチャネル		75 v	80a（tc）	10V	9mohm @ 46a 、10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 PF @ 50 V	-	140W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 1252）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²