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離散半導体製品（ 1252）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C
IRG4PH30KPBF	1.0000	RFQ	9106	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3		標準		100 W	TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1			960V 、10A、23OHM、15V											-	1200 v	20 a	40 a	4.2V @ 15V 、10a	640µj（920µj（オフ）	53 NC	28ns/200ns
IRG4PC40SPBF	1.0000	RFQ	1975年年	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3		標準		160 W	TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1			480v											-	600 V	60 a	120 a	1.5V @ 15V 、31a	450µj（6.5mj （オフ）	100 NC	22NS/650NS
auirf9952qtr	0.5700	RFQ	42	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	auirf9952		モスフェット（金属酸化物）	2W	8-SO	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	4,000	nおよびpチャネル			30V	3.5a 、2.3a		100mohm @ 2.2a 、10V	3V @ 250µA	14NC @ 10V		190pf @ 15V	ロジックレベルゲート
IRFR3303TRPBF	-	RFQ	7880	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	0000.00.0000	2,000		nチャネル		30 V	33a	10V	31mohm @ 18a 、10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	750 PF @ 25 V	-	57W
auirfp2907	4.7100	RFQ	11	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		75 v	90a	10V	4.5mohm @ 125a 、10V	4V @ 250µA	620 NC @ 10 V	±20V	13000 pf @ 25 V	-	470W （TC）
IRFR7746PBF	-	RFQ	5338	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		75 v	56a（tc）	6V 、10V	11.2mohm @ 35a 、10V	3.7V @ 100µA	89 NC @ 10 V	±20V	3107 PF @ 25 V	-	99W
IRFP048NPBF	0.7100	RFQ	38	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-247AC	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		55 v	64a（tc）	10V	16mohm @ 37a 、10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 v	-	140W
auirfs3206trl	-	RFQ	1961年年	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		60 V	120a（tc）	10V	3mohm @ 75a 、10V	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6540 PF @ 50 V	-	300W （TC）
IRG7PG35U-EPBF	2.6400	RFQ	1	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3		標準		210 W	TO-247AD	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	0000.00.0000	1			600V 、20A 、10OHM15V											溝	1000 V	55 a	60 a	2.2V @ 15V 、20a	1.06MJ （オン）、620µJ	85 NC	30ns/160ns
IRF1010ZSPBF	1.0000	RFQ	6981	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		55 v	75a（tc）		7.5mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 PF @ 25 V	-	140W
auirfs3207ztrl	-	RFQ	7809	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	86		nチャネル		75 v	120a（tc）		4.1mohm @ 75a 、10V	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V		6920 PF @ 50 V	-	300W （TC）
IRF7307PBF	-	RFQ	1986年年	国際整流器	hexfet®	バルク	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF73		モスフェット（金属酸化物）	2W	8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1	nおよびpチャネル			20V	5.2a 、4.3a		50mohm @ 2.6a 、4.5V	700MV @ 250µA	20NC @ 4.5V		660pf @ 15V	ロジックレベルゲート
IRG8P40N120KDEPB	4.6400	RFQ	100	国際整流器	-	バルク	アクティブ									ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	0000.00.0000	1
auirlu2905	1.0000	RFQ	2569	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3			モスフェット（金属酸化物）		i-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		55 v	42a	4V 、10V	27mohm @ 25a 、10V	2V @ 250µA	48 NC @ 5 V	±16V	1700 PF @ 25 V	-	110W
auirfs4310ztrl	3.1700	RFQ	79	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	auirfs4310		モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	95		nチャネル		100 V	120a（tc）	10V	6mohm @ 75a 、10V	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6860 PF @ 50 V	-	250W
auirfsl8407	1.0000	RFQ	7931	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）		TO-262	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		40 v	195a（tc）	10V	2mohm @ 100a 、10V	4V @ 150µA	225 NC @ 10 V	±20V	7330 PF @ 25 V	-	230W
auirls4030trl	-	RFQ	9910	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		100 V	180a（tc）	4.5V 、10V	4.3mohm @ 110a 、10V	2.5V @ 250µA	130 NC @ 4.5 v	±16V	11360 PF @ 50 V	-	370W （TC）
IRFB3307ZPBF	1.0000	RFQ	2506	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		PG-to220-3-904	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		75 v	120a（tc）	10V	5.8mohm @ 75a 、10V	4V @ 1.037MA	110 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 50 V	-	230W
auirfp4568-e	1.0000	RFQ	2069	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-247AD	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		150 v	171a（tc）	10V	5.9mohm @ 103a 、10V	5V @ 250µA	227 NC @ 10 V	±30V	10470 PF @ 50 V	-	517W
IRF9231	1.0000	RFQ	3706	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-204aa、to-3			モスフェット（金属酸化物）		to-204aa	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1		pチャネル		150 v	6.5a	-	-	-		-		-	75W
auirfz44z	0.8300	RFQ	1	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		55 v	51a（tc）	10V	13.9mohm @ 31a 、10v	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	1420 PF @ 25 V	-	80W
IRFR3910TRPBF	-	RFQ	2497	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IRFR3910		モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1		nチャネル		100 V	16a（tc）	10V	115mohm @ 10a 、10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	640 PF @ 25 V	-	79W
auirf7207q	-	RFQ	2173	国際整流器	hexfet®	バルク	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）		8-SO	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1		pチャネル		20 v	5.4a（ta）	2.7V 、4.5V	60mohm @ 5.4a 、4.5V	1.6V @ 250µA	22 NC @ 4.5 v	±12V	780 PF @ 15 V	-	2.5W
auirfr3806	1.0000	RFQ	8191	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak（to-252aa）	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		60 V	43a（tc）	10V	15.8mohm @ 25a 、10V	4V @ 50µA	30 NC @ 10 V	±20V	1150 PF @ 50 V	-	71W
auirfs8409trl	-	RFQ	3374	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		40 v	195a（tc）	10V	1.2mohm @ 100a 、10V	3.9V @ 250µA	450 NC @ 10 V	±20V	14240 PF @ 25 V	-	375W
auirfz24nstrl	1.1000	RFQ	92	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak（to-252aa）	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		55 v	17a（tc）	10V	70mohm @ 10a 、10V	4V @ 250µA	20 NC @ 10 V	±20V	370 PF @ 25 V	-	3.8W （TA ）、45W（TC）
IRF7307QTRPBF	-	RFQ	1961年年	国際整流器	-	バルク	廃止		表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF73		モスフェット（金属酸化物）	2W	8-SO	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1	nおよびpチャネル			20V	5.2a 、4.3a		50mohm @ 2.6a 、4.5V	700MV @ 250µA	20NC @ 4.5V		660pf @ 15V	ロジックレベルゲート
IRF7769L2TRPBF	2.8600	RFQ	291	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	DirectFet™等尺性L8			モスフェット（金属酸化物）		DirectFet L8	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1		nチャネル		100 V	375a	10V	3.5mohm @ 74a 、10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	11560 PF @ 25 V	-	3.3w
IRFS3607PBF	-	RFQ	3192	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1		nチャネル		75 v	80a（tc）	10V	9mohm @ 46a 、10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 PF @ 50 V	-	140W
IRLML2402GTRPBF	-	RFQ	7259	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			モスフェット（金属酸化物）		Micro3™/SOT-23	ダウンロード					0000.00.0000	1		nチャネル		20 v	1.2a（ta）	2.7V 、4.5V	250mohm @ 930ma 、4.5V	700MV @ 250µA （最小）	3.9 NC @ 4.5 v	±12V	110 PF @ 15 V	-	540MW

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 1252）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²