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離散半導体製品（ 1252）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	現在	電圧	電圧 -分離	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	逆回復時間（ trr）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C
IRGR3B60KD2TRLP	-	RFQ	6439	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3		IRGR3B60	標準		52 w	d-pak	-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	3,000			400V、3A 、100OHM15V														77 ns	npt	600 V	7.8 a	15.6 a	2.4V @ 15V、3a	62µj（on39µj （オフ）	13 NC	18ns/110ns
auirf7303qtr	-	RFQ	2577	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		auirf7103		モスフェット（金属酸化物）	2.4W	8-SO	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	4,000	2 nチャンネル（デュアル）						30V	5.3a		50mohm @ 2.7a 、10V	3V @ 100µA	21NC @ 10V		515pf @ 25V	ロジックレベルゲート
IRFS7762TRLPBF	1.0000	RFQ	400	国際整流器	hexfet®、 strongirfet™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	300		nチャネル					75 v	85a（tc）	6V 、10V	6.7mohm @ 51a 、10V	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4440 PF @ 25 V	-	140W
auirfs4127trl	1.0000	RFQ	4627	国際整流器	Automotive	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					200 v	72a（tc）	10V	22mohm @ 44a 、10V	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	5380 PF @ 50 V	-	375W
IRFR3710ZTRLPBF	-	RFQ	1078	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1		nチャネル					100 V	42a	10V	18mohm @ 33a 、10V	4V @ 250µA	100 NC @ 10 V	±20V	2930 PF @ 25 V	-	140W
auirfr8401trl	-	RFQ	6221	国際整流器	Automotive	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード					0000.00.0000	1		nチャネル					40 v	100a（tc）	10V	4.25mohm @ 60a 、10V	3.9V @ 50µA	63 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	79W
auirf7734m2tr	0.9400	RFQ	4	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	directfet™m2				モスフェット（金属酸化物）		directfet™m2	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					40 v	17a（ta）	10V	4.9mohm @ 43a 、10V	4V @ 100µA	72 NC @ 10 V	±20V	2545 PF @ 25 V	-	2.5W
auirf7805q	0.8800	RFQ	1826年年	国際整流器	hexfet®	バルク	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）				モスフェット（金属酸化物）		8-SO	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	90		nチャネル					30 V	13a（ta）	4.5V	11mohm @ 7a 、4.5V	3V @ 250µA	31 NC @ 5 V	±12V		-	2.5W
IRF253	2.0200	RFQ	7000	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-204aa				モスフェット（金属酸化物）		to-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	19		nチャネル					150 v	25a		-	-		-		-	150W
IRLB4132PBF	-	RFQ	4652	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					30 V	78a（tc）	4.5V 、10V	3.5mohm @ 40a 、10V	2.35V @ 100µA	54 NC @ 4.5 v	±20V	5110 PF @ 15 V	-	140W
auirfs8409	2.4500	RFQ	10	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					40 v	195a（tc）	10V	1.2mohm @ 100a 、10V	3.9V @ 250µA	450 NC @ 10 V	±20V	14240 PF @ 25 V	-	375W
IRFS7434TRL7PP	-	RFQ	3629	国際整流器	hexfet®、 strongirfet™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-7				モスフェット（金属酸化物）		D2PAK-7	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1		nチャネル					40 v	240a	6V 、10V	1mohm @ 100a 、10V	3.9V @ 250µA	315 NC @ 10 V	±20V	10250 PF @ 25 V	-	245W
IRGSL4B60KD1PBF	0.9500	RFQ	2	国際整流器	-	バルク	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			標準		63 W	TO-262	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1			400V 、4a 、100OHM、15V														93 ns	npt	600 V	11 a	22 a	2.5V @ 15V 、4a	73µj （47µj （オフ）	12 NC	22ns/100ns
auirls3036trl	-	RFQ	6888	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					60 V	195a（tc）	4.5V 、10V	2.4mohm @ 165a 、10V	2.5V @ 250µA	140 NC @ 4.5 v	±16V	11210 PF @ 50 V	-	380W
auirlr2703trl	0.9100	RFQ	2	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					30 V	20a（tc）		45mohm @ 14a 、10V	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 v		450 pf @ 25 v	-	45W
auirfs6535trl	-	RFQ	7651	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					300 V	19a（tc）	10V	185mohm @ 11a 、10V	5V @ 150µA	57 NC @ 10 V	±20V	2340 PF @ 25 V	-	210W
Auirls3036	-	RFQ	1491	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					60 V	195a（tc）	4.5V 、10V	2.4mohm @ 165a 、10V	2.5V @ 250µA	140 NC @ 4.5 v	±16V	11210 PF @ 50 V	-	380W
auirfs3107-7p	1.0000	RFQ	6024	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7				モスフェット（金属酸化物）		d2pak（7 リード）	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					75 v	240a	10V	2.6mohm @ 160a 、10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 50 V	-	370W （TC）
auirfba1405	-	RFQ	2709	国際整流器	hexfet®	バルク	廃止	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-273AA				モスフェット（金属酸化物）		Super-220™（to-273aa	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	163		nチャネル					55 v	95a	10V	5mohm @ 101a 、10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	5480 PF @ 25 V	-	330W
IRAM256-1567A	1.0000	RFQ	7074	国際整流器	imotion™	バルク	廃止		穴を通して	29-POWERSSIP モジュール、21 のリード、リードを形成しました	IGBT						ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1	3フェーズ			15 a	600 V	2000VRMS
auirfu8405	1.0300	RFQ	510	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3				モスフェット（金属酸化物）		i-pak	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					40 v	100a（tc）	10V	1.98mohm @ 90a 、10V	3.9V @ 100µA	155 NC @ 10 V	±20V	5171 PF @ 25 V	-	163W
auirlr2905ztrl	1.0000	RFQ	2228	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					55 v	42a		13.5mohm @ 36a 、10V	3V @ 250µA	35 NC @ 5 V		1570 PF @ 25 V	-	110W
IRFS4310PBF	-	RFQ	4036	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1		nチャネル					100 V	130a（tc）	10V	7mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	7670 PF @ 50 V	-	300W （TC）
IRFAE42	-	RFQ	1351	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-204aa、to-3				モスフェット（金属酸化物）		to-204aa	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1		nチャネル					800 V	4.4a	-	-	-		-		-	125W
IRF6775MTRPBF	1.2100	RFQ	597	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mz				モスフェット（金属酸化物）		DirectFet™MZ	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	249		nチャネル					150 v	4.9a	10V	56mohm @ 5.6a 、10V	5V @ 100µA	36 NC @ 10 V	±20V	1411 PF @ 25 V	-	2.8W （TA ）、89W（TC）
IRG4PC40FDPBF	1.0000	RFQ	8316	国際整流器	-	バルク	新しいデザインではありません	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3			標準		160 W	TO-247AC	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1			480v														42 ns	-	600 V	49 a	196 a	1.7V @ 15V 、27a	950µj（on ）、 2.01mj （オフ）	100 NC	63NS/230NS
IRFH7934TRPBF	0.6000	RFQ	5	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn				モスフェット（金属酸化物）		8-PQFN	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1		nチャネル					30 V	24a（タタ）、 76a（tc）	4.5V 、10V	3.5mohm @ 24a 、10V	2.35V @ 50µA	30 NC @ 4.5 v	±20V	3100 PF @ 15 V	-	3.1W
auirfu8403	0.9600	RFQ	17	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3				モスフェット（金属酸化物）		i-pak	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					40 v	100a（tc）	10V	3.1mohm @ 76a 、10V	3.9V @ 100µA	99 NC @ 10 V	±20V	3171 PF @ 25 V	-	99W
auirgp4062d	5.4100	RFQ	1	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3		auirgp4062	標準		250 W	TO-247AC	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	56			400V 、24a 、10ohm15V														89 ns	-	600 V	48 a	72 a	1.95V @ 15V 、24A	115µj（on600µj （オフ）	50 NC	41ns/104ns
IRG8P75N65UD1-EPBF	3.8000	RFQ	2	国際整流器	-	バルク	廃止										-				ear99	8542.39.0001	1

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 1252）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²