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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）
DF01SA-E3/77	0.6400	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DF01	標準	DFS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,500			1.1 V @ 1 a		5 µA @ 100 V		1 a		単相	100 V
DF06SA-E3/77	0.6400	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DF06	標準	DFS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,500			1.1 V @ 1 a		5 µA @ 600 v		1 a		単相	600 V
DF1502S-E3/77	0.7700	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DF1502	標準	DFS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,500			1.1 V @ 1.5 a		5 µA @ 200 V		1.5 a		単相	200 v
DF1510S-E3/77	0.7700	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DF1510	標準	DFS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,500			1.1 V @ 1.5 a		5 µA @ 1000 v		1.5 a		単相	1 kV
DFL1501S-E3/77	0.3298	RFQ	5289	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DFL1501	標準	DFS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,500			1.1 V @ 1.5 a		5 µA @ 100 V		1.5 a		単相	100 V
DFL1514S-E3/77	-	RFQ	4106	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DFL1514	標準	DFS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,500			1.1 V @ 1.5 a		5 µA @ 1400 v		1.5 a		単相	1.4 kV
DGP20HE3/54	-	RFQ	8508	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止		穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	DGP20	標準	DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	4,000	標準回復> 500ns	1500 v	1.1 V @ 2 a	20 µs	5 µA @ 1500 V	-65°C〜175°C	2a	-
DGP30HE3/54	-	RFQ	4089	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止		穴を通して	do-201ad、軸	DGP30	標準	DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,400	標準回復> 500ns	1500 v	1.2 V @ 3 a	20 µs	5 µA @ 1500 V	-65°C〜175°C	3a	40pf @ 4V、1MHz
EDF1AS-E3/77	1.2300	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	EDF1	標準	DFS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,500			1.05 V @ 1 a		5 µA @ 50 V		1 a		単相	50 v
EDF1BS-E3/77	1.2300	RFQ	19	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	EDF1	標準	DFS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,500			1.05 V @ 1 a		5 µA @ 100 V		1 a		単相	100 V
EDF1DS-E3/77	1.1400	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	EDF1	標準	DFS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,500			1.05 V @ 1 a		5 µA @ 200 V		1 a		単相	200 v
EGF1AHE3/5CA	-	RFQ	7618	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		表面マウント	DO-214BA	EGF1	標準	do-214ba	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns	50 v	1 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	-
EGF1C-E3/5CA	0.2805	RFQ	3938	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	DO-214BA	EGF1	標準	do-214ba	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns	150 v	1 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 150 v	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
EGL34GHE3/83	-	RFQ	1405	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		表面マウント	do-213aa （ガラス）	EGL34	標準	do-213aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	9,000	高速回復= <500ns	400 V	1.35 V @ 500 MA	50 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	500mA	7pf @ 4V、1MHz
EGL41A-E3/97	0.1417	RFQ	3380	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	EGL41	標準	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns	50 v	1 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	20pf @ 4V、1MHz
EGL41CHE3/97	-	RFQ	6914	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	EGL41	標準	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns	150 v	1 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 150 v	-65°C〜175°C	1a	20pf @ 4V、1MHz
EGL41G-E3/97	0.5100	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	EGL41	標準	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns	400 V	1.25 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	14PF @ 4V、1MHz
EGP10C-E3/54	0.4900	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	EGP10	標準	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	5,500	高速回復= <500ns	150 v	950 mv @ 1 a	50 ns	5 µA @ 150 v	-65°C〜150°C	1a	22PF @ 4V、1MHz
MURS140-E3/5BT	0.4900	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	DO-214AA、SMB	MURS140	標準	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	3,200	高速回復= <500ns	400 V	1.25 V @ 1 a	75 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	2a	-
MURS260HE3/5BT	-	RFQ	8645	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		表面マウント	DO-214AA、SMB	MURS260	標準	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	3,200	高速回復= <500ns	600 V	1.45 V @ 2 a	75 ns	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	2a	-
MURS320-E3/9AT	0.7500	RFQ	4484	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	do-214ab 、mc	MURS320	標準	do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	3,500	高速回復= <500ns	200 v	875 mV @ 3 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	3a	-
NSB8athe3/81	-	RFQ	6322	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		表面マウント	TO-263-3	NSB8	標準	TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	800	標準回復> 500ns	50 v	1.1 V @ 8 a		10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	8a	55pf @ 4V、1MHz
NSB8GTHE3/81	-	RFQ	6085	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		表面マウント	TO-263-3	NSB8	標準	TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	800	標準回復> 500ns	400 V	1.1 V @ 8 a		10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	8a	55pf @ 4V、1MHz
NSB8KTHE3/81	-	RFQ	3297	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		表面マウント	TO-263-3	NSB8	標準	TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	800	標準回復> 500ns	800 V	1.1 V @ 8 a		10 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	8a	55pf @ 4V、1MHz
M100A-E3/54	-	RFQ	1635	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	M100	標準	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns	50 v	1 V @ 1 a	2 µs	1 µA @ 50 V	-50°C〜150°C	1a	-
M100D-E3/54	-	RFQ	9066	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	M100	標準	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns	200 v	1 V @ 1 a	2 µs	1 µA @ 200 v	-50°C〜150°C	1a	-
M100M-E3/54	-	RFQ	4641	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	M100	標準	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns	1000 V	1.1 V @ 1 a	2 µs	1 µA @ 1000 V	-50°C〜150°C	1a	-
MB4S-E3/80	0.5000	RFQ	92	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-269AA	MB4	標準	TO-269AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	3,000			1 V @ 400 Ma		5 µA @ 400 V		500 Ma		単相	400 V
MBRB1035-E3/81	-	RFQ	9934	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		表面マウント	TO-263-3	MBRB10	ショットキー	TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	35 v	840 mV @ 20 a		100 µA @ 35 V	-65°C〜150°C	10a	-
MBRB1090-E3/8W	0.6655	RFQ	2502	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	TO-263-3	MBRB1090	ショットキー	TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	90 v	800 mV @ 10 a		100 µA @ 90 V	-65°C〜150°C	10a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²