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論理（1087）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | 入力タイプ | 出力タイプ | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | ロジックタイプ | 要素の数 | 要素ごとのビット数 | 電流 -出力が高く、低い | 関数 | クロック周波数 | トリガータイプ | Max Propagation Delay @ V | 現在 -静止（IQ） | 入力容量 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 74AHCT14D 、112 | 0.1000 |  | 84 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74AHCT14 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74AHCT14D 、112-954 | 1 | |||||||||||||||||||||
| HEF4082BT 、652 | - | | 7837 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | HEF4082 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-HEF4082BT 、652-954 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | 74LVC1G00GW-Q100H | - | | 2978 | 0.00000000 | NXP半導体 | 自動車、AEC-Q100、74LVC | バルク | アクティブ | 74LVC1G00 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74LVC1G00GW-Q100H-954 | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 74ABT1624444ADL 、112 | 0.5100 | | 7 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74ABT | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-BSSOP （0.295 "、幅7.50mm） | 74ABT16244 | - | 3状態 | 4.5v〜5.5V | 48スソップ | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74ABT1624444444444444444444444444 | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | バッファー、非反転 | 4 | 4 | 32ma 、64ma | ||||||||
 | 74AUP1G175GS、132 | 0.1900 | | 3 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74aup | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 6-xfdfn | dタイプ | 74AUP1G175 | 非反転 | 0.8V〜3.6V | 6-XSON | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74AUP1G175GS 、132-954 | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 | 1 | 4ma 、4ma | リセット | 300 MHz | ポジティブエッジ | 5.7ns @ 3.3V 、30pf | 500 Na | 0.8 pf | |||
 | 74LVC1G04GF 、132 | 0.1200 | | 2 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74LVC | バルク | アクティブ | 74LVC1G04 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74LVC1G04GF、132-954 | 1 | |||||||||||||||||||||
| 74HC03D 、653 | 0.1000 | | 41 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74HC03 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74HC03D 、653-954 | 3,079 | |||||||||||||||||||||
 | 74HCT259BQ、115 | 0.2400 | | 2 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74HCT259 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74HCT259BQ、115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | 74AHC244PW-Q100118 | - | | 9387 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74AHC244 | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-74AHC244PW-Q100118-954 | 1 | |||||||||||||||||||||
| 74LVC14AD 、118 | 0.0900 | | 2816 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74LVC | バルク | アクティブ | 74LVC14 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74LVC14AD 、118-954 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | 74AUP1G0832GW、125 | 0.1600 | | 258 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74AUP1G0832 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74AUP1G0832GW、125-954 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | 74AHC1G08GV、125 | - | | 3316 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74AHC1G08 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74AHC1G08GV、 125-954 | 1 | |||||||||||||||||||||
| 74LVC1G80GF 、132 | 0.0900 | | 4 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74LVC | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 6-xfdfn | dタイプ | 74LVC1G80 | 反転 | 1.65V〜5.5V | 6-XSON 、SOT891 | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-74LVC1G80GF、132-954 | 1 | 1 | 1 | 32MA、32MA | 標準 | 400 MHz | ポジティブエッジ | 4.5ns @ 5V 、50pf | 200 µA | 5 pf | |||||
| 74AUP1G02GS、132 | 0.0800 | | 133 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74AUP1G02 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74AUP1G02GS、132-954 | ear99 | 8542.39.0001 | 3,571 | |||||||||||||||||||
 | 74AHC2G125DP 、125 | 0.1200 | | 49 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74AHC | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅） | 74AHC2G125 | - | 3状態 | 2V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74AHC2G125DP、125-954 | 1 | バッファー、非反転 | 2 | 1 | 8ma 、8ma | ||||||||||
| 74LVC1G175GF 、132 | 0.0900 | | 205 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74LVC | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 6-xfdfn | dタイプ | 74LVC1G175 | 非反転 | 1.65V〜5.5V | 6-xson（1x1） | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74LVC1G175GF 、132-954 | 1 | 1 | 1 | 32MA、32MA | リセット | 200 MHz | ポジティブエッジ | 4NS @ 5V、50pf | 40 µA | 2.5 pf | |||||
 | 74HC597D 、652 | - | | 5586 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74HC597 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74HC597D 、652-954 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | 74AHC30PW 、118 | 0.1400 | | 12 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74AHC30 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74AHC30PW 、118-954 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | 74AHCT2G08DC 、125 | 0.1300 | | 21 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74AHCT2G08 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74AHCT2G08DC、125-954 | 1 | |||||||||||||||||||||
| HEF4040BT 、652 | 0.2100 | | 15 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | HEF4040 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-HEF4040BT 、652-954 | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||
| 74LVC04AD 、112 | 0.1000 | | 162 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74LVC04 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74LVC04AD 、112-954 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | 74AUP1G38GW、125 | 0.0600 | | 397 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74AUP1G38 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74AUP1G38GW、125-954 | 1 | |||||||||||||||||||||
| 74HCT125PW、112 | 0.1400 | | 8 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74HCT | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 14-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） | 74HCT125 | - | 3状態 | 4.5v〜5.5V | 14-tssop | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74HCT125PW、112-954 | 1 | バッファー、非反転 | 4 | 1 | 6ma 、6ma | ||||||||||
 | 74LVC74ABQ、115 | 0.0900 | | 56 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74LVC | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 14-VFQFN露出パッド | dタイプ | 74LVC74 | 相補的 | 1.2V〜3.6V | 14-DHVQFN （2.5x3 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74LVC74ABQ、115-954 | 1 | 2 | 1 | 24ma 、24ma | セット（プリセット）とリセット | 250 MHz | ポジティブエッジ | 5.2NS @ 3.3V 、50pf | 10 µA | 4 pf | |||||
| 74LVC1G98GW、125 | - | | 5030 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74LVC1G98 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74LVC1G98GW、125-954 | 1 | |||||||||||||||||||||
| 74LVC1G125GW、125 | - | | 7134 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74LVC | バルク | アクティブ | 74LVC1G125 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74LVC1G125GW、125-954 | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 74AHC1G32GW、125 | - | | 3463 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74AHC1G32 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74AHC1G32GW、125-954 | 1 | |||||||||||||||||||||
| 74LVC2G06GN、132 | 0.1600 | | 4 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74LVC2G06 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74LVC2G06GN、132-954 | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||
| 74AUP1G02GW、125 | 0.0600 | | 101 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | 74AUP1G02 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74AUP1G02GW、125-954 | 1 | |||||||||||||||||||||
| 74HCT174D 、653 | 0.1800 | | 8 | 0.00000000 | NXP半導体 | 74HCT | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | dタイプ | 74HCT174 | 非反転 | 4.5v〜5.5V | 16-SO | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 2156-74HCT174D 、653-954 | 1,655 | 1 | 6 | 4ma 、5.2ma | マスターリセット | 69 MHz | ポジティブエッジ | 35NS @ 4.5V 、50pf | 8 µA | 3.5 pf |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
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