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メモリ（68）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | コントローラータイプ | sicプログラム可能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 10415FC10 | 15.0000 |  | 1 | 0.00000000 | 国立半導体 | 10415 | バルク | アクティブ | - | 表面マウント | 16-wfqfn露出パッド | sram-非同期 | - | 16-wqfn （4x4） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 1kbit | 10 ns | sram | 1k x 1 | 平行 | - | |||||
 | DP8422V-33 | 57.0000 | | 50 | 0.00000000 | 国立半導体 | DP8422V | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 84-LCC | 4.5v〜5.5V | 84-PLCC （29.31x29.31 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ダイナミックラム（ドラム） | ||||||||||||
 | DP8419V-70 | 46.6600 | | 683 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 68-lcc | 4.5v〜5.5V | 68-PLCC（25.13x25.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ダイナミックラム（ドラム） | ||||||||||||
| DP84T22V-25 | 59.0000 | | 451 | 0.00000000 | 国立半導体 | DP84T22 | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 84-LCC | 4.5v〜5.5V | 84-PLCC （29.31x29.31 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ダイナミックラム（ドラム） | ||||||||||||
 | DP8431VX-33 | 23.4000 | | 1 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 68-lcc | 4.5v〜5.5V | 68-PLCC（25.13x25.13 | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ダイナミックラム（ドラム） | ||||||||||||
| DP8420AVX-25 | 26.6700 | | 500 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 68-lcc | 4.5v〜5.5V | 68-PLCC（25.13x25.13 | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 1 | ダイナミックラム（ドラム） | |||||||||||||
 | PAL16H42AJ/883 | 8.3400 | | 94 | 0.00000000 | 国立半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
| JM38510/23106BEA | 24.9400 | | 210 | 0.00000000 | 国立半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
| JM38510/23103BFA | 34.6600 | | 82 | 0.00000000 | 国立半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
 | DP8420AV-2 | - | | 3514 | 0.00000000 | 国立半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けた | 2156-DP8420AV-2-14 | 1 | ||||||||||||||||||||
| 93L425DM | - | | 1791 | 0.00000000 | 国立半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けた | 2156-93L425DM-14 | 1 | 確認されていません | |||||||||||||||||||
| 4721bdc | 11.8700 | | 2484 | 0.00000000 | 国立半導体 | 4721b | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 穴を通して | 22-CDIP | ラム | 4.5v〜5.5V | 22-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2a （4 週間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 揮発性 | 1kbit | ラム | 256 x 4 | 平行 | - | ||||||
 | 93425DMQB30 | 24.3400 | | 35 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 16-CDIP （0.300 "、7.62mm） | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 16-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 1kbit | 30 ns | sram | 1k x 1 | 平行 | 20ns | |||||
| JM38510/23102BFA | 17.4100 | | 507 | 0.00000000 | 国立半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
| 27C512AE200/883C | 44.0000 | | 130 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 27C512A | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 不揮発性 | 512kbit | 200 ns | eprom | 64k x 8 | 平行 | - | |||||||
| DP8421ATVX-25 | 27.8900 | | 3 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 68-lcc | 4.5v〜5.5V | 68-PLCC（25.13x25.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | ear99 | 8542.31.0001 | 250 | ダイナミックラム（ドラム） | ||||||||||||||
| 93415FMQB | 27.8400 | | 3 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
| DP8409AVX-20 | - | | 8891 | 0.00000000 | 国立半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けた | 2156-DP8409AVX-20-14 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | 93Z451FMQB | 13.3300 | | 1 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 24-cflatpack | - | 4.75v〜5.25V | 24-cflatpack | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 8kbit | 55 ns | プロム | 1k x 8 | 平行 | - | |||||
| 54F189DLQB | 5.9900 | | 170 | 0.00000000 | 国立半導体 | 54f | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 16-CDIP （0.300 "、7.62mm） | ラム | 4.5v〜5.5V | 16-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 揮発性 | 64ビット | 32 ns | ラム | 16 x 4 | 平行 | 37.5ns | |||||
| 54F189DC | 5.9900 | | 238 | 0.00000000 | 国立半導体 | 54f | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 穴を通して | 16-CDIP （0.300 "、7.62mm） | ラム | 4.5v〜5.5V | 16-CDIP | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 1 | 揮発性 | 64ビット | 8.5 ns | ラム | 16 x 4 | 平行 | 15.5ns | ||||||
| DP8429VX-70 | 61.6600 | | 500 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 68-lcc | 4.5v〜5.5V | 68-PLCC（25.13x25.13 | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ダイナミックラム（ドラム） | ||||||||||||
| DP8429TD-70 | 86.6600 | | 57 | 0.00000000 | 国立半導体 | DP8429 | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 穴を通して | 52-CDIP （0.600 "、15.24mm ）ウィンドウ | 4.5v〜5.5V | 52-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ダイナミックラム（ドラム） | ||||||||||||
 | 93415fm | 12.3300 | | 6 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
| 93L415FMQB | 16.2300 | | 949 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 93L422DM | 12.0000 | | 200 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
| 93L425DMQB40 | 17.0000 | | 27 | 0.00000000 | 国立半導体 | 93L425 | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 16-CDIP （0.300 "、7.62mm） | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 16-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 1kbit | 70 ns | sram | 1k x 1 | 平行 | 55ns | |||||
 | 93Z667DMQB65 | 109.6300 | | 103 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 24-CDIP （0.300 "、7.62mm ）ウィンドウ | - | 4.5v〜5.5V | 24-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 64kbit | 65 ns | プロム | 8k x 8 | 平行 | - | |||||
 | NM27C010N200 | - | | 7769 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 穴を通して | 32-dip（0.600 "、15.24mm） | NM27C010 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 32-dip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 1mbit | 200 ns | eprom | 128k x 8 | 平行 | - | ||||
| MM54C200D/883 | 30.8000 | | 129 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 16-CDIP （0.300 "、7.62mm） | ラム | 3V〜15V | 16-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | 揮発性 | 256ビット | 520 ns | ラム | 32 x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
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