RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

メモリ（5712）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS61QDB44M18A-300M3L	74.4172	RFQ	6110	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61QDB44	sram- 同期、クワッド	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	300 MHz	揮発性	72mbit	8.4 ns	sram	4m x 18	平行	-
IS61QDP2B21M18A-333M3L	44.1540	RFQ	6117	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61QDP2	sram- quadp	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	333 MHz	揮発性	18mbit	8.4 ns	sram	1m x 18	平行	-
IS61QDP2B44M18A-400M3L	100.1770	RFQ	6065	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61QDP2	sram- quadp	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	400 MHz	揮発性	72mbit	8.4 ns	sram	4m x 18	平行	-
IS61QDPB41M18A-400M3L	44.1540	RFQ	9872	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61QDPB41	sram- quadp	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	400 MHz	揮発性	18mbit	8.4 ns	sram	1m x 18	平行	-
IS61QDPB41M36A-400M3L	75.0000	RFQ	5048	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61QDPB41	sram- quadp	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	400 MHz	揮発性	36mbit	8.4 ns	sram	1m x 36	平行	-
IS43LD32320D-18BLI-TR	6.7165	RFQ	2566	ISSI、統合Silicon Solution Inc	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43LD32320D-18BLI-TR			2,000
IS43QR8K02S2A-083TBLI	44.4450	RFQ	7842	ISSI、統合Silicon Solution Inc	*	トレイ	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43QR8K02S2A-083TBLI			136
IS29GL064-70	3.0145	RFQ	8077	ISSI、統合Silicon Solution Inc	*	トレイ	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS29GL064-70			480
IS25WJ064F-JTLE-TR	1.1992	RFQ	3900	ISSI、統合Silicon Solution Inc	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS25WJ064F-JTLE-TR			5,000
IS61NLF51236B-6.5TQLI	17.5600	RFQ	72	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp		sram- zbt	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS61NLF51236B-6.5TQLI			72	133 MHz	揮発性	18mbit	6.5 ns	sram	512K x 36	平行	-
IS25LX256-LHLE	5.1400	RFQ	240	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	24-tbga		フラッシュ	2.7V〜3.6V	24-tfbga	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS25LX256-LHLE			480	133 MHz	不揮発性	256mbit	6 ns	フラッシュ	32m x 8	SPI -OCTAL I/O	1.8ms
IS42S32160b-6bli-tr	-	RFQ	6454	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32160	SDRAM	3V〜3.6V	90-WBGA （11x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	2,000	166 MHz	揮発性	512mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 32	平行	-
IS61NLP102418-200B3li	-	RFQ	7907	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-TBGA	IS61NLP102418	sram- sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	揮発性	18mbit	3.1 ns	sram	1m x 18	平行	-
IS42S32800D-75ETL	-	RFQ	2558	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S32800	SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	108	133 MHz	揮発性	256mbit	5.5 ns	ドラム	8m x 32	平行	-
IS61LF51218A-7.5TQI-TR	-	RFQ	7300	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	IS61LF51218	sram- sdr	3.135V〜3.6V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	揮発性	9mbit	7.5 ns	sram	512K x 18	平行	-
IS61DDP2B41M36A-400M3L	71.5551	RFQ	5679	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61DDP2	sram- ddr iip	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	105	400 MHz	揮発性	36mbit		sram	1m x 36	平行	-
IS43R16160F-5TL	2.7093	RFQ	5045	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS43R16160	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	108	200 MHz	揮発性	256mbit	700 ps	ドラム	16m x 16	平行	15ns
IS42S83200G-7TL-TR	4.8134	RFQ	5604	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S83200	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,500	143 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	32m x 8	平行	-
IS64C6416AL-15TLA3	3.8833	RFQ	4623	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS64C6416	sram-非同期	4.5v〜5.5V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2B	8542.32.0041	135		揮発性	1mbit	15 ns	sram	64k x 16	平行	15ns
IS42S32200E-7TLI	-	RFQ	2194	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S32200	SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	揮発性	64mbit	5.5 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
IS42VM32400H-6BLI-TR	4.3084	RFQ	5593	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS42VM32400	sdram-モバイル	1.7V〜1.95V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	2,500	166 MHz	揮発性	128mbit	5.5 ns	ドラム	4m x 32	平行	-
IS46TR16128CL-125KBLA2-TR	7.2904	RFQ	9549	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
IS46R16160F-5TLA1-TR	4.0898	RFQ	5841	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS46R16160	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,500	200 MHz	揮発性	256mbit	700 ps	ドラム	16m x 16	平行	15ns
IS43DR16640C-3DBLI	6.4000	RFQ	775	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	84-TFBGA	IS43DR16640	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-1565	ear99	8542.32.0032	209	333 MHz	揮発性	1gbit	450 PS	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS22TF08G-JQLA1	18.3944	RFQ	9935	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lbga		フラッシュ-Nand （PSLC）	2.7V〜3.6V	100-lfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS22TF08G-JQLA1			98	200 MHz	不揮発性	64gbit		フラッシュ	8g x 8	EMMC_5.1	-
IS46R16320D-5BLA1-TR	9.8250	RFQ	3578	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	60-TFBGA	IS46R16320	SDRAM -DDR	2.5V〜2.7V	60-tfbga （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	1,500	200 MHz	揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	32m x 16	平行	15ns
IS29GL032-70TLET	3.0443	RFQ	5900	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	バルク	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）		フラッシュ - （slc）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS29GL032-70TLET			96		不揮発性	32mbit	70 ns	フラッシュ	2m x 16	CFI	70ns
IS46TR16640CL-125JBLA1	3.7715	RFQ	3392	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS46TR16640CL-125JBLA1	ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS62WV12816BLL-45TLI	3.2692	RFQ	3887	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS62WV12816	sram-非同期	2.5V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	135		揮発性	2mbit	55 ns	sram	128k x 16	平行	55ns
IS43DR86400C-3DBLI	6.4693	RFQ	9655	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	60-TFBGA	IS43DR86400	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	242	333 MHz	揮発性	512mbit	450 PS	ドラム	64m x 8	平行	15ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（5712）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²