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メモリ（5712）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS46LQ16256AL-062TBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256AL-062TBLA2-TR 14.1246
RFQ
 ECAD 3149 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ16256AL-062TBLA2-TR 2,500 1.6 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 256m x 16 LVSTL 18ns
IS61NVP204836B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP204836B-200TQLI-TR 103.7400
RFQ
 ECAD 6710 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp SRA -MZBT 2.375V〜2.625V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS61NVP204836B-200TQLI-TR 800 200 MHz 揮発性 72mbit 3.1 ns sram 2m x 36 平行 -
IS64WV10248EEBLL-10CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV10248EEBLL-10CTLA3 12.3619
RFQ
 ECAD 3028 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-TSOP II - ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS64WV10248EEBLL-10CTLA3 135 揮発性 8mbit 10 ns sram 1m x 8 平行 10ns
IS64WV102416FBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV102416FBLL-10CTLA3-TR 17.9550
RFQ
 ECAD 3069 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS64WV102416FBLL-10CTLA3-TR 1,500 揮発性 16mbit 10 ns sram 1m x 16 平行 10ns
IS61WV102416FALL-20BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416Fall-20Bli 9.5225
RFQ
 ECAD 5187 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS61WV102416FALL-20BLI 480 揮発性 16mbit 20 ns sram 1m x 16 平行 20ns
IS49NLC93200A-25EWBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200A-25EWBL 29.0237
RFQ
 ECAD 8427 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-TWBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS49NLC93200A-25EWBL 104 400 MHz 揮発性 288mbit 15 ns ドラム 32m x 9 HSTL -
IS49NLC36800A-18WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800A-18WBL 30.4983
RFQ
 ECAD 8388 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-TWBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS49NLC36800A-18WBL 104 533 MHz 揮発性 288mbit 15 ns ドラム 8m x 36 HSTL -
IS43QR16512A-083TBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16512A-083TBL-TR 15.7073
RFQ
 ECAD 3831 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43QR16512A-083TBL-TR 2,000 1.2 GHz 揮発性 8gbit 18 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS61WV25616EFBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EFBLL-10TLI 2.1218
RFQ
 ECAD 3392 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-TSOP II - ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS61WV25616EFBLL-10TLI 135 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
IS61WV20488FBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV20488FBLL-10TLI 9.5453
RFQ
 ECAD 2881 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS61WV20488FBLL-10TLI 135 揮発性 16mbit 10 ns sram 2m x 8 平行 10ns
IS43TR16512B-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512B-107MBLI-TR 19.3382
RFQ
 ECAD 7654 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43TR16512B-107MBLI-TR 2,000 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS64WV51216EEBLL-10B2LA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EEBLL-10B2LA3 12.6754
RFQ
 ECAD 2938 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS64WV51216EEBLL-10B2LA3 480 揮発性 8mbit 10 ns sram 512K x 16 平行 10ns
IS64LPS12836EC-200TQLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS12836EC-200TQLA3-TR 7.7894
RFQ
 ECAD 3917 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.465V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS64LPS12836EC-200TQLA3-TR 800 200 MHz 揮発性 4mbit 3.1 ns sram 128k x 36 平行 -
IS43TR85120B-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120B-125KBL 6.1353
RFQ
 ECAD 5511 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43TR85120B-125KBL 242 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
IS61WV20488FBLL-8TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV20488FBLL-8TLI 10.1210
RFQ
 ECAD 5210 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS61WV20488FBLL-8TLI 135 揮発性 16mbit 8 ns sram 2m x 8 平行 8ns
IS46QR16256B-083RBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR16256B-083RBLA2-TR 9.3765
RFQ
 ECAD 3236 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-TWBGA （7.5x13.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46QR16256B-083RBLA2-TR 2,500 1.2 GHz 揮発性 4gbit 19 ns ドラム 256m x 16 ポッド 15ns
IS43QR85120B-075UBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR85120B-075UBLI-TR 9.8287
RFQ
 ECAD 6290 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43QR85120B-075UBLI-TR 2,000 1.333 GHz 揮発性 4gbit 19 ns ドラム 512m x 8 ポッド 15ns
IS46LQ32256AL-062BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32256AL-062BLA1-TR 21.2800
RFQ
 ECAD 5942 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ32256AL-062BLA1-TR 2,500 1.6 GHz 揮発性 8gbit 3.5 ns ドラム 256m x 32 LVSTL 18ns
IS46TR16128DL-107MBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128DL-107MBLA2 7.1594
RFQ
 ECAD 6330 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46TR16128DL-107MBLA2 190 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS46LQ32256A-062BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32256A-062BLA2 24.8268
RFQ
 ECAD 5507 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ32256A-062BLA2 136 1.6 GHz 揮発性 8gbit 3.5 ns ドラム 256m x 32 LVSTL 18ns
IS49NLS96400A-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS96400A-25WBLI 51.8860
RFQ
 ECAD 9897 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-TWBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS49NLS96400A-25WBLI 104 400 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 64m x 9 HSTL -
IS62WV25616ECLL-35BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616ECLL-35BLI-TR 3.6351
RFQ
 ECAD 1562 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA sram-非同期 3.135V〜3.465V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS62WV25616ECLL-35BLI-TR 2,500 揮発性 4mbit 35 ns sram 256k x 16 平行 35ns
IS61WV102416FBLL-10B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416FBLL-10B2LI 9.1946
RFQ
 ECAD 4645 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS61WV102416FBLL-10B2LI 480 揮発性 16mbit 10 ns sram 1m x 16 平行 10ns
IS49NLC96400A-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400A-25WBLI 51.8860
RFQ
 ECAD 6386 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-TWBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS49NLC96400A-25WBLI 104 400 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 64m x 9 HSTL -
IS61WV6416EEBLL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416EEBLL-10KLI 2.3255
RFQ
 ECAD 9989 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 36-bsoj（0.400 "、10.16mm 幅） sram-非同期 2.4V〜3.6V 36-SOJ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS61WV6416EEBLL-10KLI 16 揮発性 1mbit 10 ns sram 64k x 16 平行 10ns
IS66WVQ4M4DBLL-133BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVQ4M4DBLL-1333-BLI-TR 2.2990
RFQ
 ECAD 4137 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga psram（pseudo sram 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS66WVQ4M4DBLL-1333-BLI-TR 2,500 133 MHz 揮発性 16mbit psram 4m x 4 spi -quad i/o 37.5ns
IS46LQ32256A-062BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32256A-062BLA1 22.5750
RFQ
 ECAD 8978 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ32256A-062BLA1 136 1.6 GHz 揮発性 8gbit 3.5 ns ドラム 256m x 32 LVSTL 18ns
IS43QR16256B-075UBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256B-075UBLI 10.6788
RFQ
 ECAD 3663 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-TWBGA （7.5x13.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43QR16256B-075UBLI 198 1.333 GHz 揮発性 4gbit 19 ns ドラム 256m x 16 ポッド 15ns
IS46TR16128DL-107MBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128DL-107MBLA1 5.6821
RFQ
 ECAD 9504 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46TR16128DL-107MBLA1 190 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS49NLC36160A-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36160A-25WBLI 51.8860
RFQ
 ECAD 8628 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-TWBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS49NLC36160A-25WBLI 104 400 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 16m x 36 HSTL -
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    標準製品ユニット

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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