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メモリ（5712）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS61LF204818B-7.5TQLI-TR	69.3000	RFQ	7267	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	IS61LF204818	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	揮発性	36mbit	7.5 ns	sram	2m x 18	平行	-
IS64WV51216EEBLL-10BLA3	12.6754	RFQ	8159	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	トレイ	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA		sram-非同期	2.4V〜3.6V	48-TFBGA	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS64WV51216EEBLL-10BLA3			480		揮発性	8mbit	10 ns	sram	512K x 16	平行	10ns
IS43DR16160A-5BBLI-TR	-	RFQ	7961	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	84-TFBGA	IS43DR16160	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	2,500	200 MHz	揮発性	256mbit	600 PS	ドラム	16m x 16	平行	15ns
IS42S16100H-6TLI	1.2499	RFQ	6426	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S16100	SDRAM	3V〜3.6V	50-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	117	166 MHz	揮発性	16mbit	5.5 ns	ドラム	1m x 16	平行	-
IS46TR16640A-125JBLA1-TR	-	RFQ	8781	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS42S16100C1-7BI-TR	-	RFQ	8672	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	60-TFBGA	IS42S16100	SDRAM	3V〜3.6V	60-TFBGA （6.4x10.1	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	揮発性	16mbit	5.5 ns	ドラム	1m x 16	平行	-
IS46DR16160B-25DBLA2-TR	6.4500	RFQ	9956	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	84-TFBGA	IS46DR16160	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	2,500	400 MHz	揮発性	256mbit	400 PS	ドラム	16m x 16	平行	15ns
IS25WP032D-JKLE-TR	0.9680	RFQ	5888	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-wdfn露出パッド	IS25WP032	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	8-wson （6x5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	4,500	133 MHz	不揮発性	32mbit		フラッシュ	4m x 8	spi -quad i/o	800µs
IS61VPD102418A-200B3-TR	-	RFQ	3860	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA	IS61VPD102418	sram- クアッドポート、同期	2.375V〜2.625V	165-PBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	200 MHz	揮発性	18mbit	3.1 ns	sram	1m x 18	平行	-
IS66WVE4M16EBLL-70BLI	4.7200	RFQ	20	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	IS66WVE4M16	psram（pseudo sram	2.7V〜3.6V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-1547	3A991B2A	8542.32.0041	480		揮発性	64mbit	70 ns	psram	4m x 16	平行	70ns
IS66WVO32M8DBLL-166BLI	10.8500	RFQ	68	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	24-tbga	IS66WVO32M8	psram（pseudo sram	2.7V〜3.6V	24-tfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS66WVO32M8DBLL-166BLI	3A991B2A	8542.32.0041	480	166 MHz	揮発性	256mbit		psram	32m x 8	SPI -OCTAL I/O	36ns
IS25WP256D-RHLE	5.2100	RFQ	3	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	24-tbga	IS25WP256	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	24-tfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	480	104 MHz	不揮発性	256mbit		フラッシュ	32m x 8	spi -quad i/o	800µs
IS61VPS204836B-250B3L-TR	112.7000	RFQ	5788	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA	IS61VPS204836	sram- sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	250 MHz	揮発性	72mbit	2.8 ns	sram	2m x 36	平行	-
IS41LV16100B-50TL-TR	-	RFQ	6321	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS41LV16100	ドラム -江戸	3V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,000		揮発性	16mbit	25 ns	ドラム	1m x 16	平行	-
IS42S32800J-7BLI-TR	5.8950	RFQ	5820	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32800	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	2,500	143 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	8m x 32	平行	-
IS62WV1288BLL-55QLI	1.8062	RFQ	5568	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-SOIC （0.445 "、幅11.30mm）	IS62WV1288	sram-非同期	2.5V〜3.6V	32ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	84		揮発性	1mbit	55 ns	sram	128k x 8	平行	55ns
IS43TR16640B-125KBLI-TR	-	RFQ	5136	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS43TR85120AL-15HBLI-TR	-	RFQ	3634	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （9x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	1,500	667 MHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	512m x 8	平行	15ns
IS61WV102416FBLL-8TLI-TR	10.0200	RFQ	4794	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）	IS61WV102416	sram- デュアルポート、非同期	2.4V〜3.6V	48-tsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,500		揮発性	16mbit	8 ns	sram	1m x 16	平行	8ns
IS25WX512M-JHLE	7.5600	RFQ	2414	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	24-tbga	IS25WX512M	フラッシュ	1.7V〜2V	24-tfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS25WX512M-JHLE	3A991B1A	8542.32.0071	480	200 MHz	不揮発性	512mbit		フラッシュ	64m x 8	SPI -OCTAL I/O	-
IS43R86400F-5TL	4.5000	RFQ	83	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS43R86400	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-1552	ear99	8542.32.0028	108	200 MHz	揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	64m x 8	平行	15ns
IS49NLC18320-25BLI	-	RFQ	1713	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	144-TFBGA	IS49NLC18320	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	104	400 MHz	揮発性	576mbit	20 ns	ドラム	32m x 18	平行	-
IS61DDP2B42M18A-400M3L	71.5551	RFQ	2910	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61DDP2	sram- ddr iip	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	105	400 MHz	揮発性	36mbit		sram	2m x 18	平行	-
IS71LD32160WP128-3BPLI	-	RFQ	4013	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	-	IS71LD32160	フラッシュ-DRAM -LPDDR2もありません	1.2V 、1.8V	168-BGA	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	Q9572210	3A991B1A	8542.32.0071	10	133 MHz	不揮発性、揮発性	128mbit（フラッシュ）、512mbit（ドラム）		フラッシュ、ラム	-	平行	-
IS26KL128S-DABLI00	6.7800	RFQ	2695	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	24-VBGA	IS26KL128	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	24-VFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS26KL128S-DABLI00	3A991B1A	8542.32.0071	338	100 MHz	不揮発性	128mbit	96 ns	フラッシュ	16m x 8	平行	-
IS43TR16640B-125KBLI	-	RFQ	5613	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS46DR16640B-3DBLA2	10.6309	RFQ	7583	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	84-TFBGA	IS46DR16640	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	209	333 MHz	揮発性	1gbit	450 PS	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS25WD020-JKLE	-	RFQ	2234	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-wdfn露出パッド	IS25WD020	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	8-wson （6x5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	100	80 MHz	不揮発性	2mbit		フラッシュ	256k x 8	spi	3ms
IS61NLF51236-6.5B3-TR	-	RFQ	7250	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA	IS61NLF51236	sram- sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	133 MHz	揮発性	18mbit	6.5 ns	sram	512K x 36	平行	-
IS42VM16800H-75BLI	4.4433	RFQ	2463	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	IS42VM16800	sdram-モバイル	1.7V〜1.95V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	348	133 MHz	揮発性	128mbit	6 ns	ドラム	8m x 16	平行	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（5712）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²