- 中国語
- 英語
- フランス語
- ドイツ語
- ポルトガル語
- スペイン語
- ロシア
- 日本語
- 韓国語
- アラビア語
- アイルランド
- ギリシャ語
- トルコ語
- イタリア語
- デンマーク語
- ルーマニア人
- インドネシア語
- チェコ
- アフリカーンス
- スウェーデン語
- 研磨
- バスク
- カタロニア
- エスペラント
- ヒンディー語
- ラオス
- アルバニア語
- アムハラ語
- アルメニア人
- アゼルバイジャン
- ベラルーシ人
- ベンガル語
- ボスニア人
- ブルガリア
- セブアノ
- チチェワ
- コルシカ人
- クロアチア語
- オランダ語
- エストニアン
- フィリピン人
- フィンランド語
- フリジアン
- ガリシア語
- ジョージアン
- グジャラート語
- ハイチ人
- ハウサ
- ハワイアン
- ヘブライ語
- hmong
- ハンガリー
- アイスランド語
- イボ
- Javanese
- カンナダ
- カザフ
- クメール
- クルド
- キルギス
- ラテン
- ラトビアン
- リトアニアン
- ルクセンボウ..
- マケドニア語
- マラガシー
- マレー
- マラヤーラム語
- マルタ
- マオリ
- マラーティー
- モンゴル人
- ビルマ
- ネパール
- ノルウェー語
- パシュ
- ペルシャ語
- パンジャブ
- セルビア人
- セソト
- シンハラ
- スロバキア
- スロベニア人
- ソマリア
- サモアン
- スコットランドゲール語
- ショナ
- シンディ
- スンダネーゼ
- スワヒリ
- タジク
- タミル語
- テルグ語
- タイ
- ウクライナ人
- ウルドゥー語
- ウズベック
- ベトナム人
- ウェールズ
- xhosa
- イディッシュ語
- ヨルバ
- ズールー
- キニャルワンダ
- タタール
- オリヤ
- タークメン
- uyghur
メモリ（5712）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS62C5128EL-45QLI | 3.5516 |  | 7679 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-SOIC （0.445 "、幅11.30mm） | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS62C5128EL-45QLI | 84 | 揮発性 | 4mbit | 45 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 45ns | ||||||
 | IS42S16320b-7bli-tr | - | | 5106 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-WBGA （11x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 143 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||
 | IS62WV102416GALL-55TLI-TR | 8.7750 | | 2636 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | IS62WV102416 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 揮発性 | 16mbit | 55 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 55ns | |||
 | IS42S32200L-7TL | 3.4900 | | 13 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S32200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-1271 | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | |
 | IS46LD32640B-25BLA1 | - | | 3793 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | 前回購入します | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 134-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-TFBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS46LD32640B-25BLA1 | 1 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5.5 ns | ドラム | 64m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||||
 | IS41C16100C-50KLI | - | | 4182 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 42-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） | IS41C16100 | ドラム -江戸 | 4.5v〜5.5V | 42-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 16 | 揮発性 | 16mbit | 25 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | |||
 | IS61NLF51236-6.5B3-TR | - | | 7250 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NLF51236 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA（13x15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 6.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
 | IS25LP064A-JKLE-TR | 1.2745 | | 7202 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | IS25LP064 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-wson （6x5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 800µs | |||
 | IS62WV5128BLL-55QLI | 3.9737 | | 9198 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-SOIC （0.445 "、幅11.30mm） | IS62WV5128 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 32ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 55ns | |||
| IS25WD020-JKLE | - | | 2234 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | IS25WD020 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson （6x5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 80 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi | 3ms | |||
| IS61WV25616EFBLL-10BLI-TR | 2.1688 | | 2304 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS61WV25616EFBLL-10BLI-TR | 2,500 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | ||||||
 | IS42RM16160D-7BL-TR | - | | 2355 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42RM16160 | sdram-モバイル | 2.3V〜2.7V | 54-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
 | IS42SM32800D-75BL-TR | - | | 5460 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42SM32800 | sdram-モバイル | 3V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
| IS25LQ020B-JKLE | - | | 4005 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | IS25LQ020 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-wson （6x5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-1318 | ear99 | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||
 | IS43LR16320C-6BLI-TR | 6.5100 | | 7351 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43LR16320 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.5 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| IS42RM32400H-75BI-TR | - | | 9166 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42RM32400 | sdram-モバイル | 2.3V〜2.7V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 6 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
| IS66WVS2M8BLL-104NLI | 3.3300 | | 390 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | IS66WVS2M8 | psram（pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS66WVS2M8BLL-104NLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 100 | 104 MHz | 揮発性 | 16mbit | 7 ns | psram | 2m x 8 | spi、qpi | - | |
 | IS25LX128-JHLE | 4.2600 | | 9229 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | IS25LX128 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS25LX128-JHLE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | SPI -OCTAL I/O | - | ||
| IS66WVH32M8DBLL-100B1LI-TR | 4.4904 | | 3214 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | psram（pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS66WVH32M8DBLL-100B1LI-TR | 2,500 | 100 MHz | 揮発性 | 256mbit | 40 ns | psram | 32m x 8 | 平行 | 40ns | |||||
 | IS43TR16640B-125KBL | - | | 5901 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS43TR16640B-125KBL | ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |
 | IS43R83200D-6TL-TR | 4.7033 | | 6228 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 新しいデザインではありません | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS43R83200 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| IS66WVS2M8ALL-10NLI-TR | 2.1457 | | 7199 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | psram（pseudo sram | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS66WVS2M8ALL-104NLI-TR | 3,000 | 104 MHz | 揮発性 | 16mbit | 7 ns | psram | 2m x 8 | spi、qpi | - | |||||
 | IS43TR81280BL-125JBLI-TR | - | | 4124 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | IS43TR81280 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| IS34ML01G081-TLI-TR | 3.6841 | | 7248 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | IS34ML01 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 1gbit | 25 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 25ns | |||
| IS46TR16640BL-125KBLA3-TR | - | | 1598 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA （9x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS46TR16640BL-125KBLA3-TR | ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |
 | IS66WVE2M16EBLL-70BLI | 4.0700 | | 7 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS66WVE2M16 | psram（pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-1546 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 32mbit | 70 ns | psram | 2m x 16 | 平行 | 70ns | ||
 | IS46DR16640B-3DBLA2 | 10.6309 | | 7583 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 84-TFBGA | IS46DR16640 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 209 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| IS43TR16640B-125KBLI | - | | 5613 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| IS42SM32160C-7BLI | - | | 8095 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS42SM32160 | sdram-モバイル | 3V〜3.6V | 60-TFBGA （6.4x10.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||
 | IS62WV12816EALL-55BLI | 2.7843 | | 5817 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS62WV12816 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 2mbit | 45 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 55ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
ウィッシュリスト（0アイテム）