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メモリ（5712）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS49NLC96400-33B	-	RFQ	5526	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	144-TFBGA	IS49NLC96400	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	104	300 MHz	揮発性	576mbit	20 ns	ドラム	64m x 9	平行	-
IS61WV102416BLL-10TLI	22.3000	RFQ	718	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）	IS61WV102416	sram-非同期	2.4V〜3.6V	48-tsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	96		揮発性	16mbit	10 ns	sram	1m x 16	平行	10ns
IS61NLP51236-250B3-TR	-	RFQ	1506	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA	IS61NLP51236	sram- sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	250 MHz	揮発性	18mbit	2.6 ns	sram	512K x 36	平行	-
IS43TR81024BL-125KBL	20.8861	RFQ	8415	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （10x14）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43TR81024BL-125KBL			136	800 MHz	揮発性	8gbit	20 ns	ドラム	1g x 8	平行	15ns
IS49RL36160-107BLI	-	RFQ	3155	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	168-lbga	IS49RL36160	ドラム	1.28V〜1.42V	168-FBGA（13.5x13.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	119	933 MHz	揮発性	576mbit	10 ns	ドラム	16m x 36	平行	-
IS43R86400F-5TL	4.5000	RFQ	83	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS43R86400	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-1552	ear99	8542.32.0028	108	200 MHz	揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	64m x 8	平行	15ns
IS46TR16256B-107MBLA2-TR	9.2887	RFQ	2650	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS46TR16256B-107MBLA2-TR			1,500	933 MHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	256m x 16	平行	15ns
IS25LP064A-JMLE	2.1700	RFQ	2	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	sicで中止されました	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	IS25LP064	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-1586	3A991B1A	8542.32.0071	44	133 MHz	不揮発性	64mbit		フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o、qpi	800µs
IS42VM16800H-75BLI	4.4433	RFQ	2463	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	IS42VM16800	sdram-モバイル	1.7V〜1.95V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	348	133 MHz	揮発性	128mbit	6 ns	ドラム	8m x 16	平行	-
IS42VM16800G-6BL	-	RFQ	9531	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TFBGA	IS42VM16800	sdram-モバイル	1.7V〜1.95V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	348	166 MHz	揮発性	128mbit	5.5 ns	ドラム	8m x 16	平行	-
IS61DDP2B42M18A-400M3L	71.5551	RFQ	2910	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61DDP2	sram- ddr iip	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	105	400 MHz	揮発性	36mbit		sram	2m x 18	平行	-
IS71LD32160WP128-3BPLI	-	RFQ	4013	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	-	IS71LD32160	フラッシュ-DRAM -LPDDR2もありません	1.2V 、1.8V	168-BGA	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	Q9572210	3A991B1A	8542.32.0071	10	133 MHz	不揮発性、揮発性	128mbit（フラッシュ）、512mbit（ドラム）		フラッシュ、ラム	-	平行	-
IS26KL128S-DABLI00	6.7800	RFQ	2695	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	24-VBGA	IS26KL128	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	24-VFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS26KL128S-DABLI00	3A991B1A	8542.32.0071	338	100 MHz	不揮発性	128mbit	96 ns	フラッシュ	16m x 8	平行	-
IS42S16100E-6BL-TR	-	RFQ	7461	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	60-TFBGA	IS42S16100	SDRAM	3V〜3.6V	60-TFBGA （6.4x10.1	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,000	166 MHz	揮発性	16mbit	5.5 ns	ドラム	1m x 16	平行	-
IS61DDPB42M18A-400M3L	71.5551	RFQ	1982年年	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61DDPB42	sram- ddr iip	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	105	400 MHz	揮発性	36mbit		sram	2m x 18	平行	-
IS66WVH8M8DBLL-100B1LI-TR	3.0653	RFQ	5994	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	24-tbga		psram（pseudo sram	1.7V〜1.95V 、2.7V〜3.6V	24-tfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS66WVH8M8DBLL-100B1LI-TR			2,500	100 MHz	揮発性	64mbit	40 ns	psram	8m x 8	ハイパーバス	40ns
IS43TR82560C-15HBL	5.8712	RFQ	6958	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA	IS43TR82560	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	242	667 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	256m x 8	平行	15ns
IS62WV2568BLL-55TLI-TR	1.9342	RFQ	1131	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）	IS62WV2568	sram-非同期	2.5V〜3.6V	32-tsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,500		揮発性	2mbit	55 ns	sram	256k x 8	平行	55ns
IS63LV1024L-10HL	-	RFQ	2494	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	32-TFSOP （0.465 "、11.80mm 幅）	IS63LV1024	sram-非同期	3V〜3.6V	32 stsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2B	8542.32.0041	234		揮発性	1mbit	10 ns	sram	128k x 8	平行	10ns
IS25WX128-JHLE-TR	3.1230	RFQ	8705	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	24-tbga	IS25WX128	フラッシュ	1.7V〜2V	24-tfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS25WX128-JHLE-TR	3A991B1A	8542.32.0071	2,500	200 MHz	不揮発性	128mbit		フラッシュ	16m x 8	SPI -OCTAL I/O	-
IS25LQ080B-JKLE-TR	-	RFQ	1575	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-wdfn露出パッド	IS25LQ080	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	8-wson （6x5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	3,000	104 MHz	不揮発性	8mbit		フラッシュ	1m x 8	spi -quad i/o	1ms
IS42S16160D-75EBLI-TR	-	RFQ	1064	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	IS42S16160	SDRAM	3V〜3.6V	54-TW-BGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	2,500	133 MHz	揮発性	256mbit	5.5 ns	ドラム	16m x 16	平行	-
IS61LV5128AL-10BI-TR	-	RFQ	7344	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	36-tfbga	IS61LV5128	sram-非同期	3.135V〜3.6V	36-minibga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		揮発性	4mbit	10 ns	sram	512k x 8	平行	10ns
IS43LR32100C-6BLI-TR	-	RFQ	6438	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS43LR32100	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	揮発性	32mbit	5.5 ns	ドラム	1M x 32	平行	12ns
IS61LPS25618A-200B2I	-	RFQ	4683	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	119-BBGA	IS61LPS25618	sram- sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	84	200 MHz	揮発性	4.5mbit	3.1 ns	sram	256k x 18	平行	-
IS61WV2048888BLL-10MLI	22.9500	RFQ	812	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	IS61WV20488	sram-非同期	2.4V〜3.6V	48-minibga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	210		揮発性	16mbit	10 ns	sram	2m x 8	平行	10ns
IS42VM16800G-6BLI	-	RFQ	9301	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	IS42VM16800	sdram-モバイル	1.7V〜1.95V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	348	166 MHz	揮発性	128mbit	5.5 ns	ドラム	8m x 16	平行	-
IS46R16160F-5BLA1-TR	4.9174	RFQ	9741	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	60-TFBGA	IS46R16160	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	60-tfbga （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	2,500	200 MHz	揮発性	256mbit	700 ps	ドラム	16m x 16	平行	15ns
IS61NVF102418-7.5B3I-TR	-	RFQ	3812	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-TBGA	IS61NVF102418	sram- sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	117 MHz	揮発性	18mbit	7.5 ns	sram	1m x 18	平行	-
IS42S16320F-7TL	12.8300	RFQ	3	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S16320	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	108	143 MHz	揮発性	512mbit	5.4 ns	ドラム	32m x 16	平行	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（5712）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²