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メモリ（5712）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS61QDPB42M36A2-550B4LI	-	RFQ	1734	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-lbga	IS61QDPB42	sram- クアッドポート、同期	1.71V〜1.89V	165-lfbga（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	550 MHz	揮発性	72mbit		sram	2m x 36	平行	-
IS43LR32100D-6BLI	3.0454	RFQ	3947	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS43LR32100	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	揮発性	32mbit	5.5 ns	ドラム	1M x 32	平行	15ns
IS42VM16400K-6BLI-TR	-	RFQ	4034	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	IS42VM16400	sdram-モバイル	1.7V〜1.95V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	揮発性	64mbit	5.5 ns	ドラム	4m x 16	平行	-
IS43TR85120AL-15HBLI	-	RFQ	6501	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （9x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	220	667 MHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	512m x 8	平行	15ns
IS61WV6416BLL-12KLI-TR	2.1753	RFQ	5718	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm）	IS61Wv6416	sram-非同期	3V〜3.6V	44-SOJ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2B	8542.32.0041	800		揮発性	1mbit	12 ns	sram	64k x 16	平行	12ns
IS25LD040-JNLE	-	RFQ	2228	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IS25LD040	フラッシュ	2.3V〜3.6V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	100	100 MHz	不揮発性	4mbit		フラッシュ	512k x 8	spi	5ms
IS49NLS93200-33BL	-	RFQ	1596	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	144-TFBGA	IS49NLS93200	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	104	300 MHz	揮発性	288mbit	20 ns	ドラム	32m x 9	平行	-
IS62WV5128DBLL-45HLI-TR	-	RFQ	7299	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-TFSOP （0.465 "、11.80mm 幅）	IS62WV5128	sram-非同期	2.3V〜3.6V	32 stsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		揮発性	4mbit	45 ns	sram	512k x 8	平行	45ns
IS46DR16640B-25DBLA1-TR	8.3100	RFQ	4733	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	84-TFBGA	IS46DR16640	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	2,500	400 MHz	揮発性	1gbit	400 PS	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS25WP032A-JKLE	-	RFQ	2824	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-wdfn露出パッド	IS25WP032	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	8-wson （6x5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	570	133 MHz	不揮発性	32mbit		フラッシュ	4m x 8	spi -quad i/o	800µs
IS43TR81280BL-125JBLI	-	RFQ	6041	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-TFBGA	IS43TR81280	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	242	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	128m x 8	平行	15ns
IS61LF51218A-7.5TQI	-	RFQ	3017	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	IS61LF51218	sram- sdr	3.135V〜3.6V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	揮発性	9mbit	7.5 ns	sram	512K x 18	平行	-
IS43DR16640C-25DBL	3.9700	RFQ	21	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	84-TFBGA	IS43DR16640	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-1562	ear99	8542.32.0032	209	400 MHz	揮発性	1gbit	400 PS	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS61WV6416DBLL-10TLI-TR	1.7660	RFQ	8176	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS61Wv6416	sram-非同期	2.4V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	1,000		揮発性	1mbit	10 ns	sram	64k x 16	平行	10ns
IS42S32200E-7TL	-	RFQ	1585	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S32200	SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	揮発性	64mbit	5.5 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
IS45S16800E-7BLA2-TR	-	RFQ	8198	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	54-TFBGA	IS45S16800	SDRAM	3V〜3.6V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	8m x 16	平行	-
IS65LV256AL-45TLA3-TR	2.7498	RFQ	9124	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅）	IS65LV256	sram-非同期	3V〜3.6V	28-tsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	2,000		揮発性	256kbit	45 ns	sram	32k x 8	平行	45ns
IS66WVE2M16ECLL-70BLI	4.8100	RFQ	410	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	IS66WVE2M16	psram（pseudo sram	1.7V〜1.95V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	480		揮発性	32mbit	70 ns	psram	2m x 16	平行	70ns
IS46TR16256ECL-125LB2LA2	-	RFQ	6142	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	バルク	アクティブ	-40°C〜105°C	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	-	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS46TR16256ECL-125LB2LA2			136	800 MHz	揮発性	4gbit		ドラム	512m x 8	平行	-
IS43LD16128B-18BL	10.5339	RFQ	1206	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	134-TFBGA	IS43LD16128	SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4	1.14V〜1.95V	134-TFBGA （10x11.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	171	533 MHz	揮発性	2Gbit		ドラム	128m x 16	平行	15ns
IS25WP080D-JBLE-TR	0.6025	RFQ	5785	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）	IS25WP080	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	2,000	133 MHz	不揮発性	8mbit		フラッシュ	1m x 8	spi -quad i/o	800µs
IS25WQ040-JKLE	-	RFQ	2951	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-wdfn露出パッド	IS25WQ040	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	8-wson （6x5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	570	104 MHz	不揮発性	4mbit		フラッシュ	512k x 8	spi	1ms
IS25CD512-JNLE-TR	-	RFQ	9672	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IS25CD512	フラッシュ	2.7V〜3.6V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	3,000	100 MHz	不揮発性	512kbit		フラッシュ	64k x 8	spi	5ms
IS61DDPB41M36A-400M3L	71.5551	RFQ	6684	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61DDPB41	sram- ddr iip	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	105	400 MHz	揮発性	36mbit		sram	1m x 36	平行	-
IS62WV5128EBLL-45QLI	4.3710	RFQ	1604	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-SOIC （0.445 "、幅11.30mm）	IS62WV5128	sram-非同期	2.2V〜3.6V	32ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	84		揮発性	4mbit	45 ns	sram	512k x 8	平行	45ns
IS42S32200C1-55T-TR	-	RFQ	7444	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S32200	SDRAM	3.15V〜3.45V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,500	183 MHz	揮発性	64mbit	5 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
IS43TR82560C-15HBL-TR	5.2507	RFQ	6806	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA	IS43TR82560	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	2,000	667 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	256m x 8	平行	15ns
IS61LV5128AL-10K-TR	-	RFQ	1301	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	36-bsoj（0.400 "、10.16mm 幅）	IS61LV5128	sram-非同期	3.135V〜3.6V	36-SOJ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	800		揮発性	4mbit	10 ns	sram	512k x 8	平行	10ns
IS43R86400F-5BL-TR	5.2800	RFQ	9959	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	60-TFBGA	IS43R86400	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	60-tfbga （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	2,500	200 MHz	揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	64m x 8	平行	15ns
IS43LR32800H-6BL	5.0865	RFQ	9645	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	90-TFBGA		sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43LR32800H-6BL			240	166 MHz	揮発性	256mbit	5.5 ns	ドラム	8m x 32	lvcmos	15ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（5712）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²