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メモリ（5712）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS42SM32160E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32160E-6BLI -
RFQ
 ECAD 4764 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42SM32160 sdram-モバイル 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 240 166 MHz 揮発性 512mbit 5.5 ns ドラム 16m x 32 平行 -
IS42SM32400H-75BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32400H-75BI -
RFQ
 ECAD 7141 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42SM32400 sdram-モバイル 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 133 MHz 揮発性 128mbit 6 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS45VM16800H-75BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45VM16800H-75BLA2 -
RFQ
 ECAD 7111 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 54-TFBGA IS45VM16800 sdram-モバイル 1.7V〜1.95V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 348 133 MHz 揮発性 128mbit 5.5 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS45VM16800H-75BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45VM16800H-75BLA2-TR -
RFQ
 ECAD 8284 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 54-TFBGA IS45VM16800 sdram-モバイル 1.7V〜1.95V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 揮発性 128mbit 5.5 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS42RM16800H-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16800H-6BLI 4.6611
RFQ
 ECAD 1412 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42RM16800 sdram-モバイル 2.3V〜2.7V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 348 166 MHz 揮発性 128mbit 5.5 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS42RM32400H-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32400H-6BLI-TR 4.4454
RFQ
 ECAD 7358 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42RM32400 sdram-モバイル 2.3V〜2.7V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 揮発性 128mbit 5.5 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS42RM32800D-75TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800D-75TLI -
RFQ
 ECAD 1923年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42RM32800 sdram-モバイル 2.3V〜2.7V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 240 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 8m x 32 平行 -
IS42SM16160D-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16160D-7BLI-TR -
RFQ
 ECAD 3526 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42SM16160 sdram-モバイル 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS42SM16800G-75BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16800G-75BI-TR -
RFQ
 ECAD 1481 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42SM16800 sdram-モバイル 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 揮発性 128mbit 6 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS42SM32100C-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32100C-6BLI -
RFQ
 ECAD 6355 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42SM32100 sdram-モバイル 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 348 166 MHz 揮発性 32mbit 5.5 ns ドラム 1M x 32 平行 -
IS42SM32160C-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32160C-7BLI-TR -
RFQ
 ECAD 7627 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-lfbga IS42SM32160 sdram-モバイル 3V〜3.6V 90-WBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 16m x 32 平行 -
IS42SM32400G-75BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32400G-75BI -
RFQ
 ECAD 2457 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42SM32400 sdram-モバイル 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 133 MHz 揮発性 128mbit 6 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS42SM32800D-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32800D-75BLI -
RFQ
 ECAD 4084 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42SM32800 sdram-モバイル 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 240 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 8m x 32 平行 -
IS42VM16160D-8TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160D-8TLI -
RFQ
 ECAD 1948年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42VM16160 sdram-モバイル 1.7V〜1.95V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 240 125 MHz 揮発性 256mbit 6 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS42VM16200C-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16200C-75BLI -
RFQ
 ECAD 3608 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42VM16200 sdram-モバイル 1.7V〜1.95V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 348 133 MHz 揮発性 32mbit 6 ns ドラム 2m x 16 平行 -
IS42VM16200C-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16200C-75BLI-TR -
RFQ
 ECAD 8564 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42VM16200 sdram-モバイル 1.7V〜1.95V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 揮発性 32mbit 6 ns ドラム 2m x 16 平行 -
IS42VM32400E-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32400E-75BLI-TR -
RFQ
 ECAD 5365 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42VM32400 sdram-モバイル 1.7V〜1.95V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS45VM16800E-75BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45VM16800E-75BLA1 -
RFQ
 ECAD 7283 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS45VM16800 sdram-モバイル 1.7V〜1.95V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 348 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS43LD32320C-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32320C-25BLI 12.1900
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-TFBGA IS43LD32320 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.95V 134-TFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 171 400 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 平行 15ns
IS61LF51218B-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51218B-7.5TQLI 13.7940
RFQ
 ECAD 5489 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IS61LF51218 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1537 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 MHz 揮発性 9mbit 7.5 ns sram 512K x 18 平行 -
IS61WV204816BLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV204816BLL-10BLI 24.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS61WV204816 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1542 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 32mbit 10 ns sram 2m x 16 平行 10ns
IS66WVH16M8DALL-166B1LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH16M8DALL-166B1LI 5.0400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga IS66WVH16M8 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 166 MHz 揮発性 128mbit 36 ns psram 16m x 8 平行 36ns
IS43DR16320E-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-3DBL 3.4400
RFQ
 ECAD 388 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1555 ear99 8542.32.0028 209 333 MHz 揮発性 512mbit 450 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS43DR16320E-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-3DBLI 6.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1557 ear99 8542.32.0028 209 333 MHz 揮発性 512mbit 450 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS43DR16640C-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640C-25DBLI 6.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1564 ear99 8542.32.0032 209 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS43DR16128C-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128C-3DBL 9.5500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1567 ear99 8542.32.0036 209 333 MHz 揮発性 2Gbit 450 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS43DR82560C-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560C-3DBL 9.8300
RFQ
 ECAD 7888 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA IS43DR82560 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1571 ear99 8542.32.0036 242 333 MHz 揮発性 2Gbit 450 PS ドラム 256m x 8 平行 15ns
IS43DR82560C-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560C-25DBLI 17.1700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43DR82560 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1572 ear99 8542.32.0036 242 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 256m x 8 平行 15ns
IS43DR81280C-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280C-25DBL 4.2900
RFQ
 ECAD 242 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA IS43DR81280 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1574 ear99 8542.32.0032 242 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS43DR81280C-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280C-3DBLI 7.4100
RFQ
 ECAD 9419 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43DR81280 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1577 ear99 8542.32.0032 242 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
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    毎日の平均RFQボリューム

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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