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メモリ（5712）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS66WVH16M8DALL-166B1LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH16M8DALL-166B1LI 5.0400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga IS66WVH16M8 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 166 MHz 揮発性 128mbit 36 ns psram 16m x 8 平行 36ns
IS43DR16320E-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-3DBL 3.4400
RFQ
 ECAD 388 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1555 ear99 8542.32.0028 209 333 MHz 揮発性 512mbit 450 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS43DR16320E-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-3DBLI 6.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1557 ear99 8542.32.0028 209 333 MHz 揮発性 512mbit 450 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS43DR16640C-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640C-25DBLI 6.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1564 ear99 8542.32.0032 209 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS43DR16128C-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128C-3DBL 9.5500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1567 ear99 8542.32.0036 209 333 MHz 揮発性 2Gbit 450 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS43DR82560C-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560C-3DBL 9.8300
RFQ
 ECAD 7888 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA IS43DR82560 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1571 ear99 8542.32.0036 242 333 MHz 揮発性 2Gbit 450 PS ドラム 256m x 8 平行 15ns
IS43DR82560C-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560C-25DBLI 17.1700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43DR82560 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1572 ear99 8542.32.0036 242 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 256m x 8 平行 15ns
IS43DR81280C-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280C-25DBL 4.2900
RFQ
 ECAD 242 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA IS43DR81280 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1574 ear99 8542.32.0032 242 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS43DR81280C-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280C-3DBLI 7.4100
RFQ
 ECAD 9419 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43DR81280 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1577 ear99 8542.32.0032 242 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS25LQ512B-JDLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512B-JDLE-TR -
RFQ
 ECAD 8195 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） IS25LQ512 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,500 104 MHz 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 spi -quad i/o 800µs
IS25LP080D-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25lp080d-jble 0.8200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） IS25LP080 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1578 ear99 8542.32.0071 90 133 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS25LP080D-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JKLE 1.0600
RFQ
 ECAD 1140 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド IS25LP080 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1579 ear99 8542.32.0071 570 133 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS25LP080D-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JNLE 0.8200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS25LP080 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1580 ear99 8542.32.0071 100 133 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS25LP080D-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JNLE-TR 0.8200
RFQ
 ECAD 142 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS25LP080 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 133 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS25LP080D-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JBLE-TR 0.8200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） IS25LP080 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS25LP080D-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JKLE-TR 0.7341
RFQ
 ECAD 8009 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド IS25LP080 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,500 133 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS66WVC4M16EALL-7010BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC4M16EALL-7010BLI-TR 4.2932
RFQ
 ECAD 8215 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 54-VFBGA IS66WVC4M16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 64mbit 70 ns psram 4m x 16 平行 70ns
IS43TR16512B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512B-125KBLI 26.1600
RFQ
 ECAD 658 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16512 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1657 ear99 8542.32.0036 136 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 -
IS62WV1288FBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288FBLL-45TLI 1.7723
RFQ
 ECAD 3352 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） IS62WV1288 sram-非同期 2.2V〜3.6V 32-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 156 揮発性 1mbit 45 ns sram 128k x 8 平行 45ns
IS62WV1288FBLL-45QLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288FBLL-45QLI 1.9868
RFQ
 ECAD 4900 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-SOIC （0.445 "、幅11.30mm） IS62WV1288 sram-非同期 2.2V〜3.6V 32ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 84 揮発性 1mbit 45 ns sram 128k x 8 平行 45ns
IS61VPS51236A-200B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236A-200B3-TR -
RFQ
 ECAD 4225 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA IS61VPS51236 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200 MHz 揮発性 18mbit 3.1 ns sram 512K x 36 平行 -
IS62WV12816ALL-70BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816ALL-70BI-TR -
RFQ
 ECAD 9278 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62WV12816 sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 2mbit 70 ns sram 128k x 16 平行 70ns
IS62WV12816ALL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816ALL-70BLI-TR -
RFQ
 ECAD 1917年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62WV12816 sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 2mbit 70 ns sram 128k x 16 平行 70ns
IS41LV16100C-50TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100C-50TI -
RFQ
 ECAD 6908 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅）、44のリード IS41LV16100 ドラム -江戸 2.97V〜3.63V 50-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 117 揮発性 16mbit 25 ns ドラム 1m x 16 平行 85ns
IS42S16160G-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6BI -
RFQ
 ECAD 5020 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 348 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS42S16160G-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-7BI -
RFQ
 ECAD 7376 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 348 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS42S32200L-7B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-7B -
RFQ
 ECAD 7440 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS42S32200 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 2m x 32 平行 -
IS42S32400F-6B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-6B -
RFQ
 ECAD 6205 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS42S32400 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 166 MHz 揮発性 128mbit ドラム 4m x 32 平行 -
IS42S32400F-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-7BI -
RFQ
 ECAD 8427 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42S32400 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 143 MHz 揮発性 128mbit ドラム 4m x 32 平行 -
IS43DR16640B-25EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-25EBL -
RFQ
 ECAD 9957 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 209 400 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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