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メモリ（847）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | gd25wq128eyigy | 1.3445 |  | 4020 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WQ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD25WQ128EYIGY | 4,800 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 8 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 120µs 、4ms | |||||||
 | GD25VQ32CTIGR | - | | 6010 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | GD25VQ32 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 9,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | |||
 | GD25LQ10CEIGR | - | | 2790 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | GD25LQ10 | フラッシュ - | 1.65V〜2.1V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | |||
| gd25ve40ctigr | - | | 2992 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | GD25ve40 | フラッシュ - | 2.1V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | - | |||
| GD25WQ20ETIGR | 0.3515 | | 4882 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25WQ20ETIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 7 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 120µs 、4ms | |||||||
| gd25ve20ctig | 0.3045 | | 7104 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | gd25ve20 | フラッシュ - | 2.1V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 20,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | - | |||
| GD25Q16CSIGR | 0.8200 | | 40 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | GD25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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