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メモリ（847）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
GD25WD20EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD20EKIGR 0.3167
RFQ
 ECAD 1678 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25WD テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65v〜3.6V 8-USON（1.5x1.5 ダウンロード 1970-GD25WD20EKIGRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 2mbit 6 ns フラッシュ 256k x 8 spi-デュアルi/o 100μs6ms
GD25S512MDYEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDYEGR 6.0164
RFQ
 ECAD 9308 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25S テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD25S512MDYEGRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 512mbit 7 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 60µs、2.5ms
GD25LD40CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25ld40ckigr 0.3640
RFQ
 ECAD 5718 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LD テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-USON（1.5x1.5 ダウンロード 1970-GD25LD40CKIGRTR 3,000 50 MHz 不揮発性 4mbit 12 ns フラッシュ 512k x 8 spi-デュアルi/o 97µs 、6ms
GD55LB01GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEBIRY 8.5364
RFQ
 ECAD 1428 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD55LB トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 24-tfbga ダウンロード 1970-GD55LB01GEBIRY 4,800 166 MHz 不揮発性 1gbit 6 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 70µs、1.2ms
GD25B512MEF2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEF2RY 6.7702
RFQ
 ECAD 9276 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25B トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 16ソップ - 1970-GD25B512MEF2RY 1,760 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
GD25LE80ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25le80esigr 0.4077
RFQ
 ECAD 1722 0.00000000 Gigadevice Semiconductor gd25le テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8ソップ - 1970-GD25LE80EGRTR 2,000 133 MHz 不揮発性 8mbit 6 ns フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD25WQ128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ128EYIGR 1.4385
RFQ
 ECAD 3490 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25WQ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65v〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD25WQ128EYIGRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 128mbit 8 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 120µs 、4ms
GD25Q20CEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20CEAGR 0.6080
RFQ
 ECAD 6661 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25Q テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-USON - 1970-GD25Q20CEAGRTR 3,000 80 MHz 不揮発性 2mbit 7 ns フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 60µs 、4ms
GD25LB256EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256EYIGR 2.3929
RFQ
 ECAD 2509 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LB テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD25LB256EYIGRTR 3,000 166 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 70µs、1.2ms
GD9FU1G8F2DMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU1G8F2DMGI 2.3296
RFQ
 ECAD 1747 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD9F トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード 1970-GD9FU1G8F2DMGI 960 不揮発性 1gbit 9 ns フラッシュ 128m x 8 onfi 12ns 、600µs
GD25LB32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB32ESIGR 0.6363
RFQ
 ECAD 2319 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LB テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8ソップ ダウンロード 1970-GD25LB32ESIGRTR 2,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD25WQ64ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64ENEGR 1.2544
RFQ
 ECAD 1709 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25WQ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-udfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65v〜3.6V 8-USON ダウンロード 1970-GD25WQ64ENEGRTR 3,000 84 MHz 不揮発性 64mbit 12 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 240µs 、8ms
GD25LQ16EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16EWIGY 0.5642
RFQ
 ECAD 5262 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2.1V 8-wson ダウンロード 1970-GD25LQ16EWIGY 5,700 133 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD25LQ128DW2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DW2GR 2.2408
RFQ
 ECAD 8751 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-wson - 1970-GD25LQ128DW2GRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 128mbit 6 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 2.4ms
GD25Q16ESJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16ESJGR 0.5515
RFQ
 ECAD 1990年 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25Q テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード 1970-GD25Q16ESJGRTR 2,000 133 MHz 不揮発性 16mbit 7 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 140µs 、4ms
GD5F2GQ5UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEYIGY 3.9235
RFQ
 ECAD 6089 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD5F2GQ5UEYIGY 4,800 104 MHz 不揮発性 2Gbit 9 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 600µs
GD25WD20EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wd20eeigr 0.2865
RFQ
 ECAD 4817 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25WD テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65v〜3.6V 8-USON ダウンロード 1970-GD25WD20EEGRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 2mbit 6 ns フラッシュ 256k x 8 spi-デュアルi/o 100μs6ms
GD25LQ64EY2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64EY2GR 1.3970
RFQ
 ECAD 7764 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-wson （6x8） - 1970-GD25LQ64EY2GRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD25WQ16EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ16EEIGR 0.5824
RFQ
 ECAD 6087 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25WQ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65v〜3.6V 8-USON ダウンロード 1970-GD25WQ16EEIGRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 16mbit 12 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 120µs 、4ms
GD25LQ32EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32EEAGR 1.2636
RFQ
 ECAD 3670 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-USON - 1970-GD25LQ32EEAGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 100µs 、4ms
GD25B512MEYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEYJGR 5.0813
RFQ
 ECAD 7468 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25B テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD25B512MEYJGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
GD5F2GQ5UEYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEYJGR 4.6874
RFQ
 ECAD 6614 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD5F2GQ5UEYJGRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 2Gbit 9 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 600µs
GD25F128FB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FB2RY 2.2364
RFQ
 ECAD 9481 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25F トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 24-tfbga - 1970-GD25F128FB2RY 4,800 200 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
GD25Q16CSJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CSJG -
RFQ
 ECAD 9569 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） GD25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 9,500 120 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25LQ64CQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CQIGR -
RFQ
 ECAD 9390 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XDFN露出パッド GD25LQ64 フラッシュ - 1.65V〜2V 8-USON （4x4） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 2.4ms
GD25LQ32EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lq32ewigy 0.6760
RFQ
 ECAD 2202 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-wson ダウンロード 1970-GD25LQ32EWIGY 5,700 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD25LT256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT256EFIRR 2.8704
RFQ
 ECAD 5571 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LT テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 16ソップ - 1970-GD25LT256EFIRRTR 1,000 200 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 70µs、1.2ms
GD25Q32EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32EWIGR 1.1100
RFQ
 ECAD 5940 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-wson ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 7 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 70µs、2.4ms
GD25Q128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128EYIGR 2.1300
RFQ
 ECAD 8352 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3,000 133 MHz 不揮発性 128mbit 7 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 70µs、2.4ms
GD25WQ64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wq64esigr 1.3900
RFQ
 ECAD 3498 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） フラッシュ - （slc） 1.65v〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 2,000 104 MHz 不揮発性 64mbit 12 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 120µs 、4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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