画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EM68C16CWQG-25IH | 4.8100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | EM68C16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | EM6HC16EWKG-10IH | 2.5809 | ![]() | 1305 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | EM6HC16 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (9x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | EM639165BM-5H | 1.8198 | ![]() | 2846 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TFBGA | EM639165 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2174-EM639165BM-5HTR | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 200 MHz | 揮発性 | 128mbit | 4.5 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 10ns | |
![]() | EM6AA160BKE-4IH | 2.7826 | ![]() | 4162 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | EM6AA160 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-FBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2174-EM6AA160BKE-4IHTR | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 250 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | EM6AA160TSE-4G | 1.6819 | ![]() | 3264 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | EM6AA160 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2174-EM6AA160TSE-4GTR | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 250 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | EM68B08CWAH-25H | 3.1099 | ![]() | 2679 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 60-TFBGA | EM68B08 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga (8x10) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2174-EM68B08CWAH-25HTR | ear99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | EM6HC08EWUG-10H | 3.6828 | ![]() | 4928 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | EM6HC08 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2174-EM6HC08EWUG-10HTR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | EM6HC16EWKG-10H | 2.2538 | ![]() | 3693 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-VFBGA | EM6HC16 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2174-EM6HC16EWKG-10HTR | ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | EM6HD08EWUF-10H | 2.9953 | ![]() | 2800 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | EM6HD08 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (8x10.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2174-EM6HD08EWUF-10HTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | em6ge08ew8d-10h | 5.2066 | ![]() | 4319 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | em6ge08 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-FBGA (9x10.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2174-EM6GE08EW8D-10HTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | EM6GE16EWXD-10H | 5.2066 | ![]() | 5609 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | EM6GE16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA (9x13) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2174-EM6GE16EWXD-10HTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | EM6HE16EWXD-10H | 5.2066 | ![]() | 3438 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | EM6HE16 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (9x13) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2174-EM6HE16EWXD-10HTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | |
EM6GA16LCAEA-12H | 2.1700 | ![]() | 319 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 50-ufbga、wlcsp | EM6GA16 | DRAM-RPC | 1.425V〜1.575V | 50-wlcsp(1.96x4.63 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2174-EM6GA16LCAEA-12H | ear99 | 8542.32.0032 | 66 | 800 MHz | 揮発性 | 256mbit | 6 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | EM6HC16EWXC-12IH | 4.0102 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | EM6HC16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (9x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | EM6HC16EWXC-12H | 3.6828 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | EM6HC16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (9x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | EM6HD16EWBH-10H | 5.9374 | ![]() | 9536 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-VFBGA | EM6HD16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | EM6OE08NW9A-07IH | 8.2500 | ![]() | 2009年 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | EM6OE08 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (7.5x10.6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 1.333 GHz | 揮発性 | 4gbit | 18 ns | ドラム | 512m x 8 | ポッド | 15ns | ||
![]() | EM6HB16EWKA-12IH | 3.2261 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-VFBGA | EM6HB16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 667 MHz | 揮発性 | 512mbit | 20 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | EM6HD16EWBH-10IH | 9.0200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | EM6HD16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | EM6HE08EW9G-10H | 7.1250 | ![]() | 6136 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | EM6HE08 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (7.5x10.6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | EM6GD08EWAHH-10IH | 3.5028 | ![]() | 5807 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | EM6GD08 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-FBGA (7.5x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2174-EM6GD08EWAHH-10IHTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | EM6GE16EWAKG-10H | 5.2066 | ![]() | 1292 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | EM6GE16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA (7.5x13.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2174-EM6GE16EWAKG-10HTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | EM6HD08EWAHH-12H | 5.8500 | ![]() | 1008 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | EM6HD08 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (7.5x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2174-EM6HD08EWAHH-12HTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | EM6GD08EWAHH-10H | 2.9953 | ![]() | 6440 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | EM6GD08 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-FBGA (7.5x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2174-EM6GD08EWAHH-10HTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | EM6GE08EW9G-10H | 5.2066 | ![]() | 2839 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | em6ge08 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-FBGA (7.5x10.6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2174-EM6GE08EW9G-10HTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | em6ge16ewakg-10ih | 5.8500 | ![]() | 7168 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | EM6GE16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA (7.5x13.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2174-EM6GE16WAKG-10IHTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | EM6OE16NWAKA-07H | 7.5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | EM6OE16 | SDRAM | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA (7.5x13.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2174-EM6OE16NWAKA-07HTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 1.333 GHz | 揮発性 | 4gbit | 18 ns | ドラム | 256m x 16 | ポッド | 15ns | |
![]() | EM6AC160TSA-4G | - | ![]() | 1597 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | EM6AC160 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 1,000 | 250 MHz | 揮発性 | 1gbit | 700 ps | ドラム | 64m x 16 | SSTL_2 | 15ns | ||||
![]() | EM6GF16EW5A-10ISH | 20.0250 | ![]() | 1348 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | |||||||||||||||||
![]() | EM68D16CBQC-18IH | 9.5500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | EM68D16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 350 PS | ドラム | 128m x 16 | SSTL_18 | 15ns |
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