画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | thgbmhg8c4lbawr | - | ![]() | 6882 | 0.00000000 | Kioxia America | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 153-WFBGA | thgbmhg | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-wfbga(11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 52 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC | - | |||
![]() | thgbmhg7c1lbail | - | ![]() | 2861 | 0.00000000 | Kioxia America | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 153-WFBGA | thgbmhg | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-wfbga(11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 52 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC | - | |||
![]() | TC58NVG0S3HBAI6 | - | ![]() | 9238 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 67-VFBGA | TC58NVG0 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 67-VFBGA (6.5x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | TC58NVG0S3HBAI6JDH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 不揮発性 | 1gbit | 25 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 25ns | ||
![]() | TH58NVG3S0HBAI6 | - | ![]() | 6038 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 67-VFBGA | TH58NVG3 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 67-VFBGA (6.5x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | th58nvg3s0hbai6jdh | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 210 | 不揮発性 | 8gbit | 25 ns | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | 25ns | ||
![]() | TC58NVG0S3HBAI4 | - | ![]() | 8652 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | TC58NVG0 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 63-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 不揮発性 | 1gbit | 25 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 25ns | |||
THGAF8G8T23BAIL | - | ![]() | 7355 | 0.00000000 | Kioxia America | ufs | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 153-WFBGA | THGAF8 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-wfbga(11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | UFS | - | |||||
![]() | TC58BVG1S3HBAI4 | - | ![]() | 3401 | 0.00000000 | Kioxia America | Benand™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | TC58BVG1 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 63-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | TC58BVG1S3HBAI4JDH | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 210 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | - | 25ns | |||
![]() | TC58CVG0S3HRAIG | - | ![]() | 8953 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | TC58CVG0 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 155 µs | フラッシュ | 128m x 8 | spi | - | ||
![]() | TH58BVG3S0HTA00 | - | ![]() | 9817 | 0.00000000 | Kioxia America | Benand™ | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | TH58BVG3 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 8gbit | 25 ns | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | 25ns | |||
thgbmhg8c4lbau7 | - | ![]() | 3566 | 0.00000000 | Kioxia America | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 153-WFBGA | thgbmhg | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 153-wfbga(11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | EMMC | - | ||||
THGAF8T0T43BAIR | - | ![]() | 7083 | 0.00000000 | Kioxia America | ufs | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 153-VFBGA | THGAF8 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | THGAF8T0T43BAIRH2L | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | UFS | - |
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