画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 特徴 | 基本製品番号 | 入力タイプ | 電圧 -入力(最大) | 出力タイプ | 方向 | pll | 入力 | 出力 | 回路の数 | 比率 -入力:出力 | 微分 -入力:出力 | 周波数max | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | 仕切り/乗数 | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | ロジックタイプ | 要素の数 | 要素ごとのビット数 | 電流 -出力が高く、低い | 関数 | 現在 -静止(最大) | ビット数 | 入力数 | プロトコル | ドライバー/レシーバーの数 | 二重 | レシーバーヒステリシス | データレート | 電圧供給源 | リセット | タイミング | カウントレート | トリガータイプ | 出力関数 | Max Propagation Delay @ V | 現在 -静止(IQ) | 現在 -供給(最大) | 入力容量 | 入力ロジックレベル -低い | 入力ロジックレベル -高 | シュミットトリガー入力 | 回路 | 独立した回路 | 遅延時間 -伝播 | 制御機能 | 出力構成 | 現在 -出力 | 電圧 -min/固定) | 電圧 -出力(最大) | 規制当局の数 | 電圧ドロップアウト(最大) | psrr | 保護機能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MM74HC75MX | 0.1900 | ![]() | 6470 | 0.00000000 | 国立半導体 | 74hc | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 16-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 74HC75 | 相補的 | 2V〜6V | 16-SOIC | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | dタイプラッチ | 5.2ma 、5.2ma | 4:4 | 1 | 16NS @ 5V、15pf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 54ALS30AJ/883 | 0.6800 | ![]() | 1231 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 54als30 | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 100121DC | - | ![]() | 8157 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜85°C | 穴を通して | 24-CDIP (0.400 "、10.16mm) | - | 100121 | 9 | 4.2V〜5.7V | 24カーディップ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | インバーター | - | 9 | - | 1.49V | 0.88V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LP2985IBP-2.8 | - | ![]() | 7722 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 5-VFBGA | 16V | 修理済み | 5-µSMD(0.93x1.11) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 250 | 95 µA | 2.5 Ma | 有効にする | ポジティブ | 150ma | 2.8V | - | 1 | 0.58V @ 150ma | 45dB | 現在、温度を超えて、短絡 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LP3873et-3.3 | - | ![]() | 7206 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 穴を通して | TO-220-5はリードを形成しました | 7V | 修理済み | TO-220-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 9 Ma | 15 Ma | 有効にする | ポジティブ | 3a | 3.3V | - | 1 | 1.2V @ 3a | 73db〜57db(120Hz) | 現在、温度を超えて、短絡 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 100122FC | 3.3300 | ![]() | 981 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 24-cflatpack | - | - | - | -4.2V〜5.7V | 24-cflatpack | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | バッファー、非反転 | 1 | 9 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LP2988IMM-2.7 | 0.5400 | ![]() | 39 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 16V | 修理済み | 8-VSSOP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 150 µA | 3.7 Ma | 遅延、有効 | ポジティブ | 200mA | 2.7V | - | 1 | 0.35V @ 200mA | 65dB | 現在、温度を超えて、短絡 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 54F563DM | 11.2600 | ![]() | 129 | 0.00000000 | 国立半導体 | 54f | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 20-CDIP (0.300 "、7.62mm) | 54F563 | 三状態、反転 | 4.5v〜5.5V | 20-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | dタイプの透明ラッチ | 3MA 、20mA | 8:8 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74S15pc | 1.1400 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 国立半導体 | 74s | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C | 穴を通して | 14-dip (0.300 "、7.62mm) | オープンコレクター | 74S15 | 3 | 4.75v〜5.25V | 14-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | とゲート | 250µA 、20mA | 42 Ma | 3 | 8.5ns @ 5V 、50pf | 0.8V | 2V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74S20DCQR | - | ![]() | 6495 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 74S20 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT377PC | 2.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 国立半導体 | 74FCT | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 20-dip (0.300 "、7.62mm) | dタイプ | 74FCT377 | 非反転 | 4.75v〜5.25V | 20-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 | 8 | 15ma 、48ma | 標準 | ポジティブエッジ | 7NS @ 5V 、50pf | 40 µA | 6 pf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 54F533FMQB | 5.3400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 国立半導体 | 54f | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 20-cflatpack | 54F533 | 三状態、反転 | 4.5v〜5.5V | 20-CFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | dタイプの透明ラッチ | 3MA 、20mA | 8:8 | 1 | 14NS @ 5V 、50pf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DM74191N | 0.3600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 16-dip (0.300 "、7.62mm) | DM74191 | 上、ダウン | 4.75 V〜5.25 v | 16-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | バイナリカウンター | 1 | 4 | 非同期 | 同期 | 20 MHz | ポジティブエッジ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 100117FCQR | 3.0400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜85°C | 表面マウント | 24-cflatpack | 100117 | 微分 | 3 | -4.2V〜5.7V | 24-cflatpack | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | および/またはゲート | - | 12入力(2、2、2、2、2、2) | いいえ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LP2986ild-5.0 | 0.8000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | 16V | 修理済み | 8-wson (4x4) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 120 µA | 3.7 Ma | 有効にする | ポジティブ | 200mA | 5V | - | 1 | 0.35V @ 200mA | 65dB | 現在、温度を超えて、短絡 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LP2989ild-285 | 0.7500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | 16V | 修理済み | 8-wson (4x4) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 175 µA | 9 Ma | 有効にする | ポジティブ | 500mA | 2.85V | - | 1 | 0.65V @ 500MA | 60db (1kHz) | 現在、温度を超えて、短絡 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 100115sc | 9.1900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜85°C | 表面マウント | 16-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | クロックドライバー | 100115 | いいえ | クロック | クロック | 1 | 3:4 | はい/はい | - | 4.2V〜5.7V | 16ソップ | ダウンロード | ノー/ノー | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 54F521FMQB | 5.7600 | ![]() | 882 | 0.00000000 | 国立半導体 | 54f | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 20-cflatpack | アイデンティティコンパレータ | アクティブロー | 4.5v〜5.5V | 20-cflatpack | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 1ma 、20ma | 8 | a = b | 15NS @ 5V 、50pf | 32 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS481M | 0.9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | - | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | トランシーバー | 4.75v〜5.25V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | RS422 、RS485 | 1/1 | 半分 | 70 mv | 2Mbps | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DM7130J/883 | - | ![]() | 8165 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 24-CDIP (0.600 "、15.24mm) | マグニチュードコンパレータ | DM7130 | アクティブロー | 4.5v〜5.5V | 24-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 100µa 、16mA | 10 | a = b | 40ns @ 5V、15pf | 70 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 54H01FM | 5.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国立半導体 | 54H | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 14-cflatpack | オープンコレクター | 54H01 | 4 | 4.5v〜5.5V | 14-CFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2a (4 週間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ナンドゲート | 250µA 、20mA | 40 Ma | 2 | 15NS @ 5V 、25pf | 0.8V | 2V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS75113M | 1.4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 国立半導体 | tri-state® | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 16-dip (0.300 "、7.62mm) | ドライバ | 4.75v〜5.25V | 16-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 2/0 | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 54H00DM | 6.0400 | ![]() | 157 | 0.00000000 | 国立半導体 | 54s | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 14-CDIP (0.300 "、7.62mm) | - | 54h00 | 4 | 4.5v〜5.5V | 14-CDIP | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ナンドゲート | - | 40 Ma | 2 | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS36277TN | - | ![]() | 6450 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | トランシーバー | 4.75v〜5.25V | 8-mdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | RS422 、RS485 | 1/1 | 半分 | 80 mv | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DM54S257J-MIL | 3.0800 | ![]() | 513 | 0.00000000 | 国立半導体 | DM54S257 | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 16-CDIP (0.300 "、7.62mm) | データセレクター/マルチプレクサ | 4.5v〜5.5V | 16-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 2ma 、20ma | 単一の供給 | 4 x 2:1 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LP2985AIM5X-12 | 0.1800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | SC-74A 、SOT-753 | 16V | 修理済み | SOT-23-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 95 µA | 2.5 Ma | 有効にする | ポジティブ | 150ma | 12V | - | 1 | 0.575V @ 150ma | 45dB | 現在、温度を超えて、短絡 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 100102J-MIL | 12.6700 | ![]() | 650 | 0.00000000 | 国立半導体 | F100102 | バルク | アクティブ | 0°C〜85°C | 穴を通して | 24-CDIP | 100102 | 微分 | 5 | -4.2V〜5.7V | 24-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | また、/またはゲート | - | 10入力(2、2、2、2、2) | いいえ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LP2985AIBP-3.6 | 0.2200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 5-VFBGA | 16V | 修理済み | 5-USMD (0.93x1.11 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 250 | 95 µA | 2.5 Ma | 有効にする | ポジティブ | 150ma | 3.6V | - | 1 | 0.575V @ 150ma | 45dB | 現在、温度を超えて、短絡 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LP2985AIBPX-2.9 | 0.1800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 5-VFBGA | 16V | 修理済み | 5-USMD (0.93x1.11 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 95 µA | 2.5 Ma | 有効にする | ポジティブ | 150ma | 2.9V | - | 1 | 0.575V @ 150ma | 45dB | 現在、温度を超えて、短絡 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 100107dc | 2.1400 | ![]() | 247 | 0.00000000 | 国立半導体 | F100107 | バルク | アクティブ | 0°C〜85°C | 穴を通して | 24-CDIP | 100107 | 微分 | 5 | -4.2V〜5.7V | 24-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | XOR/XNORゲート | - | 10入力(2、2、2、2、2) | いいえ |
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