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統合サーキット（ICS ）（2201）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	出力タイプ	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	ロジックタイプ	要素の数	要素ごとのビット数	電流 -出力が高く、低い	クロック周波数	メモリタイプ	電圧供給源	メモリサイズ	アクセス時間	回路	独立した回路	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
71V547XS100PF	1.6600	RFQ	598	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp		71V547		sram- sdr（zbt）		3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2A	8542.32.0041	1						揮発性		4.5mbit	10 ns			sram	128k x 36	平行	-
71v67603S166pf	4.5000	RFQ	5	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp		71v67603		sram- sdr		3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2A	8542.32.0041	1					166 MHz	揮発性		9mbit	3.5 ns			sram	256k x 36	平行	-
74FCT377PBCTQ	-	RFQ	9729	IDT、統合デバイステクノロジーInc	*	バルク	アクティブ					74FCT377						-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー				1
74FCT3244ZPG	0.2900	RFQ	14	IDT、統合デバイステクノロジーInc	*	バルク	アクティブ											-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1
74FCT377PCTSO	0.2900	RFQ	3	IDT、統合デバイステクノロジーInc	*	バルク	アクティブ					74FCT377						-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1
74ALVCH16260A4PA	0.2700	RFQ	4	IDT、統合デバイステクノロジーInc	*	バルク	廃止					74ALVCH16260						-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1
71V546S133PF	1.6600	RFQ	986	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp		71V546		sram- sdr（zbt）		3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2A	8542.32.0041	1					133 MHz	揮発性		4.5mbit	4.2 ns			sram	128k x 36	平行	-
71v546x5S133pfg	-	RFQ	5205	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp		71V546		sram- sdr（zbt）		3.135V〜3.465V	100-TQFP	-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー				1					133 MHz	揮発性		4.5mbit	4.2 ns			sram	128k x 36	平行	-
71V432S7PFG	1.6600	RFQ	661	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp		71V432		sram- sdr		3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A991B2B	8542.32.0041	1						揮発性		1mbit	7 ns			sram	32K x 32	平行	-
74LVC109AXTDC	0.1400	RFQ	9	IDT、統合デバイステクノロジーInc	*	バルク	廃止					74LVC109						-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1
IDT74FCT833AP	-	RFQ	3584	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	穴を通して	24-dip （0.300 "、7.62mm）		74FCT833	-		ドレインを開いてください	4.75v〜5.25V	24-pdip	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		ear99	8542.39.0001	1	トランシーバー、非反転	1	8	24ma 、48ma
74lvc4245apygegg	0.1400	RFQ	3417	IDT、統合デバイステクノロジーInc	74LVC	チューブ	アクティブ					74LVC4245						-	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2156-74LVC42455555555555555555555555	ear99	8542.39.0001	1
74LVCC3245AXF4PG	-	RFQ	1378	IDT、統合デバイステクノロジーInc	*	バルク	アクティブ					74LVCC3245						-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー				1
6116SA45TPG	2.8000	RFQ	8289	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	穴を通して	24-dip （0.300 "、7.62mm）		6116SA		sram-非同期		4.5v〜5.5V	24-pdip	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	1						揮発性		16kbit	45 ns			sram	2k x 8	平行	45ns
6116SA35TP	2.8000	RFQ	778	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	穴を通して	24-dip （0.300 "、7.62mm）		6116SA		sram-非同期		4.5v〜5.5V	24-pdip	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		ear99	8542.32.0041	1						揮発性		16kbit	35 ns			sram	2k x 8	平行	35ns
71016S15PHI	-	RFQ	9649	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		71016S		sram-非同期		4.5v〜5.5V	44-TSOP II	-	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		ear99	8542.32.0041	1						揮発性		1mbit	15 ns			sram	64k x 16	平行	15ns
74CBTLV3257SA4Q	0.2400	RFQ	2	IDT、統合デバイステクノロジーInc	*	バルク	アクティブ					74CBTLV3257						-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1
71016S12ph	1.3400	RFQ	373	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		71016S		sram-非同期		4.5v〜5.5V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		ear99	8542.32.0041	1						揮発性		1mbit	12 ns			sram	64k x 16	平行	12ns
71256L25YI	-	RFQ	4050	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm）		71256L		sram-非同期		4.5v〜5.5V	28-SOJ	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		ear99	8542.32.0041	1						揮発性		256kbit	25 ns			sram	32k x 8	平行	25ns
74LVC4245AQG	-	RFQ	9168	IDT、統合デバイステクノロジーInc	74LVC	チューブ	アクティブ		表面マウント	24-ssop （0.154 "、3.90mm 幅）		74LVC4245					24-QSOP	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1
74LVCH162244AXPA	0.2700	RFQ	1	IDT、統合デバイステクノロジーInc	*	バルク	アクティブ											-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー				1
71256SA12YI	-	RFQ	7687	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm）		71256SA		sram-非同期		4.5v〜5.5V	28-SOJ	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		ear99	8542.32.0041	1						揮発性		256kbit	12 ns			sram	32k x 8	平行	12ns
74FCT2257KATQ	0.2700	RFQ	18	IDT、統合デバイステクノロジーInc	*	バルク	アクティブ					74FCT2257						-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1
74LVCR162245AXPA	0.2700	RFQ	8880	IDT、統合デバイステクノロジーInc	*	バルク	アクティブ					74LVCR162245						-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー				1
74FCT2374KATQ	-	RFQ	4482	IDT、統合デバイステクノロジーInc	*	バルク	アクティブ					74FCT2374						-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー				1
IDT74FCT257TP	0.8500	RFQ	9	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C	穴を通して	48-dip（0.600 "、15.24mm）	マルチプレクサ	74FCT257				4.75v〜5.25V	48-pdip	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8542.39.0001	1				15ma 、48ma			単一の供給			4 x 2：1	1
71T75702S75PFG	-	RFQ	8106	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp		71T75702		sram- sdr（zbt）		2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A991B2A	8542.32.0041	1						揮発性		18mbit	7.5 ns			sram	512K x 36	平行	-
IDT74FCT245TQ	0.5400	RFQ	72	IDT、統合デバイステクノロジーInc	74FCT	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	20-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）		74FCT245	-		3状態	4.75v〜5.25V	20-tssop	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8542.39.0001	3,000	トランシーバー、非反転	1	8	15ma 、64ma
71V416VS10BEI	-	RFQ	1920	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA		71V416V		sram-非同期		3V〜3.6V	48-cabga （9x9）	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2A	8542.32.0041	1						揮発性		4mbit	10 ns			sram	256k x 16	平行	10ns
IDT74FCT2827BTQ	0.8500	RFQ	1	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	24-ssop （0.154 "、3.90mm 幅）		74FCT2827	-		3状態	4.75v〜5.25V	24-QSOP	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8542.39.0001	1	バッファー、非反転	1	10	15ma、12ma