画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 出力タイプ | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 関数 | 電圧 -供給( vcc/vdd) | クロック周波数 | 出力数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | トポロジー | 周波数 -切り替え | 制御機能 | 出力構成 | 出力フェーズ | デューティサイクル(最大) | 同期整流器 | 時計同期 | シリアルインターフェイス |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MB85RC64PNF-G-JNERE1 | 1.5749 | ![]() | 1595 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RC64 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 400 kHz | 不揮発性 | 64kbit | 900 ns | フラム | 8k x 8 | i²c | - | ||||||||||||||||
![]() | MB85R1001ANC-GE1 | 10.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.488 "、幅 12.40mm) | MB85R1001 | フラム(強誘電性ラム) | 3V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 128 | 不揮発性 | 1mbit | 150 ns | フラム | 128k x 8 | 平行 | 150ns | ||||||||||||||||
MB85R256FPFCN-G-BNDE1 | 6.4066 | ![]() | 5969 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | MB85R256 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜3.6V | 28-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 865-1170 | ear99 | 8542.32.0071 | 128 | 不揮発性 | 256kbit | 150 ns | フラム | 32k x 8 | 平行 | 150ns | ||||||||||||||||
![]() | MB85RC128PNF-G-JNE1 | - | ![]() | 2871 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RC128 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 400 kHz | 不揮発性 | 128kbit | 900 ns | フラム | 16k x 8 | i²c | - | |||||||||||||||
![]() | MB85RC16PNF-G-JNE1 | 1.1187 | ![]() | 1064 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RC16 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 865-1173 | ear99 | 8542.32.0071 | 95 | 1 MHz | 不揮発性 | 16kbit | 550 ns | フラム | 2k x 8 | i²c | - | ||||||||||||||
![]() | MB85RS256APNF-G-JNE1 | - | ![]() | 3703 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RS256 | フラム(強誘電性ラム) | 3V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 25 MHz | 不揮発性 | 256kbit | フラム | 32k x 8 | spi | - | ||||||||||||||||
![]() | MB39A214APFT-G-JNERE1 | - | ![]() | 2370 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C(TA) | 表面マウント | 24-TFSOP (0.173 "、幅4.40mm) | MB39A214 | トランジスタドライバー | 24-tssop | ダウンロード | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.39.0001 | 1,500 | 降圧 | 6V〜28V | 2 | バック | 310kHz | 電流制限、有効化、周波数制御、ソフトスタート | ポジティブ | 1 | - | はい | いいえ | - | ||||||||||||||
![]() | MB85RC512TPNF-G-JNERE1 | 5.6800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RC512 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 3.4 MHz | 不揮発性 | 512kbit | 130 ns | フラム | 64k x 8 | i²c | - | |||||||||||||||
![]() | MB85RS1MTPW-G-APEWE1 | 6.0900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XFBGA 、WLCSP | MB85RS1 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8-wlp(2.28x3.09) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 40 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラム | 128k x 8 | spi | - | ||||||||||||||||
![]() | MB85RS512TPNF-G-JNERE1 | 5.6800 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RS512 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 30 MHz | 不揮発性 | 512kbit | フラム | 64k x 8 | spi | - | ||||||||||||||||
![]() | MB85RC128APNF-G-JNE1 | 3.4300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RC128 | フラム(強誘電性ラム) | 3V〜3.6V | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 95 | 1 MHz | 不揮発性 | 128kbit | 900 ns | フラム | 16k x 8 | i²c | - | |||||||||||||||
![]() | MB85RC16VPNF-G-JNERE1 | - | ![]() | 6539 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RC16 | フラム(強誘電性ラム) | 3V〜5.5V | 8ソップ | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 16kbit | 550 ns | フラム | 2k x 8 | i²c | - | ||||||||||||||||
![]() | MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 | 1.6900 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RC64 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 3.4 MHz | 不揮発性 | 64kbit | 130 ns | フラム | 8k x 8 | i²c | - | ||||||||||||||||
![]() | MB85RQ4MLPF-G-BCERE1 | 13.1900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | MB85RQ4 | フラム(強誘電性ラム) | 1.7V〜1.95V | 16ソップ | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 108 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラム | 512k x 8 | spi -quad i/o | - | |||||||||||||||||
![]() | MB85AS4MTPF-G-BCERE1 | - | ![]() | 7055 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | MB85AS4 | レラム(抵抗ラム) | 1.65v〜3.6V | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 5 MHz | 不揮発性 | 4mbit | ラム | 512k x 8 | spi | 17ms | ||||||||||||||||
![]() | MB85R256GPF-G-BND-ERE1 | - | ![]() | 1566 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | - | - | MB85R256 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜3.6V | - | - | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 不揮発性 | 256kbit | 150 ns | フラム | 32k x 8 | 平行 | 150ns | ||||||||||||||||||
MB85RS128TYPNF-GS-BCERE1 | 3.4300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Kaga Fei America | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RS128 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 33 MHz | 不揮発性 | 128kbit | フラム | 16k x 8 | spi | - | ||||||||||||||||||
MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 | 3.9700 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Kaga Fei America | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RS256 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 33 MHz | 不揮発性 | 256kbit | フラム | 32k x 8 | spi | - | ||||||||||||||||||
![]() | MB85R8M2TPBS-M-JAE1 | 27.2800 | ![]() | 150 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | MB85R8 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 48-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 865-1295 | ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 不揮発性 | 8mbit | 150 ns | フラム | 512K x 16 | 平行 | 150ns | ||||||||||||||||
MB85RS4MTPF-G-JNERE2 | - | ![]() | 4131 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | MB85RS4 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 40 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラム | 512k x 8 | spi | - | ||||||||||||||||||
![]() | MB85RC64TAPNF-G-BDE1 | 1.3102 | ![]() | 4946 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RC64 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 85 | 3.4 MHz | 不揮発性 | 64kbit | 130 ns | フラム | 8k x 8 | i²c | - | ||||||||||||||||
![]() | MB85R4M2TFN-G-JAE2 | 13.0321 | ![]() | 1312 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MB85R4 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 44-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1B1 | 8542.32.0071 | 126 | 不揮発性 | 4mbit | 150 ns | フラム | 256k x 16 | 平行 | 150ns | |||||||||||||||||
MB85RS2MLYPNF-GS-AWERE2 | 5.4170 | ![]() | 7226 | 0.00000000 | Kaga Fei America | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RS2 | フラム(強誘電性ラム) | 1.7V〜1.95V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 50 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラム | 256k x 8 | spi | - | ||||||||||||||||||
MB85RS64VYPNF-GS-BCERE1 | 1.6536 | ![]() | 8197 | 0.00000000 | Kaga Fei America | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RS64 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜5.5V | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 33 MHz | 不揮発性 | 64kbit | フラム | 8k x 8 | spi | - | ||||||||||||||||||
![]() | MB85RS4MLYPF-G-BCE1 | 7.2374 | ![]() | 8837 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | MB85RS4 | フラム(強誘電性ラム) | 1.7V〜1.95V | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 865-MB85RS4MLYPF-G-BCE1 | ear99 | 8542.32.0071 | 80 | 50 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラム | 512k x 8 | spi | - | ||||||||||||||||
MB85RS2MTYPNF-G-AWERE2 | 4.9893 | ![]() | 7304 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RS2 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 50 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラム | 256k x 8 | spi | - | ||||||||||||||||||
![]() | MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1 | 6.4148 | ![]() | 4951 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | MB85RS4 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8-dfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 50 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラム | 512k x 8 | spi | - | |||||||||||||||||
![]() | MB85RS2MTYPN-GS-AWEWE1 | 5.4170 | ![]() | 1973年年 | 0.00000000 | Kaga Fei America | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | MB85RS2 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8-dfn | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 50 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラム | 256k x 8 | spi | - | |||||||||||||||||
MB85RS2MTYPNF-GS-AWE2 | 7.5500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Kaga Fei America | aec-q100 | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RS2 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 865-MB85RS2MTYPNF-GS-AWE2 | ear99 | 8542.32.0071 | 85 | 50 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラム | 256k x 8 | spi | - | |||||||||||||||||
![]() | MB85RS2MLYPN-GS-AWEWE1 | 5.4170 | ![]() | 6446 | 0.00000000 | Kaga Fei America | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | MB85RS2 | フラム(強誘電性ラム) | 1.7V〜1.95V | 8-dfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 50 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラム | 256k x 8 | spi | - |
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