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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 出力タイプ 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 関数 電圧 -供給( vcc/vdd) クロック周波数 出力数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ トポロジー 周波数 -切り替え 制御機能 出力構成 出力フェーズ デューティサイクル(最大) 同期整流器 時計同期 シリアルインターフェイス
MB85RC64PNF-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC64PNF-G-JNERE1 1.5749
RFQ
ECAD 1595 0.00000000 Kaga Fei America - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) MB85RC64 フラム(強誘電性ラム) 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 400 kHz 不揮発性 64kbit 900 ns フラム 8k x 8 i²c -
MB85R1001ANC-GE1 Kaga FEI America, Inc. MB85R1001ANC-GE1 10.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Kaga Fei America - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.488 "、幅 12.40mm) MB85R1001 フラム(強誘電性ラム) 3V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 128 不揮発性 1mbit 150 ns フラム 128k x 8 平行 150ns
MB85R256FPFCN-G-BNDE1 Kaga FEI America, Inc. MB85R256FPFCN-G-BNDE1 6.4066
RFQ
ECAD 5969 0.00000000 Kaga Fei America - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) MB85R256 フラム(強誘電性ラム) 2.7V〜3.6V 28-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 865-1170 ear99 8542.32.0071 128 不揮発性 256kbit 150 ns フラム 32k x 8 平行 150ns
MB85RC128PNF-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC128PNF-G-JNE1 -
RFQ
ECAD 2871 0.00000000 Kaga Fei America - チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) MB85RC128 フラム(強誘電性ラム) 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 400 kHz 不揮発性 128kbit 900 ns フラム 16k x 8 i²c -
MB85RC16PNF-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC16PNF-G-JNE1 1.1187
RFQ
ECAD 1064 0.00000000 Kaga Fei America - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) MB85RC16 フラム(強誘電性ラム) 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 865-1173 ear99 8542.32.0071 95 1 MHz 不揮発性 16kbit 550 ns フラム 2k x 8 i²c -
MB85RS256APNF-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS256APNF-G-JNE1 -
RFQ
ECAD 3703 0.00000000 Kaga Fei America - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) MB85RS256 フラム(強誘電性ラム) 3V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 25 MHz 不揮発性 256kbit フラム 32k x 8 spi -
MB39A214APFT-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB39A214APFT-G-JNERE1 -
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ECAD 2370 0.00000000 Kaga Fei America - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C(TA) 表面マウント 24-TFSOP (0.173 "、幅4.40mm) MB39A214 トランジスタドライバー 24-tssop ダウンロード 3 (168 時間) ear99 8542.39.0001 1,500 降圧 6V〜28V 2 バック 310kHz 電流制限、有効化、周波数制御、ソフトスタート ポジティブ 1 - はい いいえ -
MB85RC512TPNF-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC512TPNF-G-JNERE1 5.6800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Kaga Fei America - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) MB85RC512 フラム(強誘電性ラム) 1.8V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 3.4 MHz 不揮発性 512kbit 130 ns フラム 64k x 8 i²c -
MB85RS1MTPW-G-APEWE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS1MTPW-G-APEWE1 6.0900
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Kaga Fei America - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XFBGA 、WLCSP MB85RS1 フラム(強誘電性ラム) 1.8V〜3.6V 8-wlp(2.28x3.09) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 40 MHz 不揮発性 1mbit フラム 128k x 8 spi -
MB85RS512TPNF-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS512TPNF-G-JNERE1 5.6800
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Kaga Fei America - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) MB85RS512 フラム(強誘電性ラム) 1.8V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 30 MHz 不揮発性 512kbit フラム 64k x 8 spi -
MB85RC128APNF-G-JNE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC128APNF-G-JNE1 3.4300
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Kaga Fei America - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) MB85RC128 フラム(強誘電性ラム) 3V〜3.6V 8ソップ - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 95 1 MHz 不揮発性 128kbit 900 ns フラム 16k x 8 i²c -
MB85RC16VPNF-G-JNERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC16VPNF-G-JNERE1 -
RFQ
ECAD 6539 0.00000000 Kaga Fei America - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) MB85RC16 フラム(強誘電性ラム) 3V〜5.5V 8ソップ ダウンロード 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 1 MHz 不揮発性 16kbit 550 ns フラム 2k x 8 i²c -
MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 1.6900
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Kaga Fei America - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) MB85RC64 フラム(強誘電性ラム) 1.8V〜3.6V 8ソップ ダウンロード 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 3.4 MHz 不揮発性 64kbit 130 ns フラム 8k x 8 i²c -
MB85RQ4MLPF-G-BCERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RQ4MLPF-G-BCERE1 13.1900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Kaga Fei America - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) MB85RQ4 フラム(強誘電性ラム) 1.7V〜1.95V 16ソップ ダウンロード 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 108 MHz 不揮発性 4mbit フラム 512k x 8 spi -quad i/o -
MB85AS4MTPF-G-BCERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85AS4MTPF-G-BCERE1 -
RFQ
ECAD 7055 0.00000000 Kaga Fei America - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) MB85AS4 レラム(抵抗ラム) 1.65v〜3.6V 8ソップ - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 5 MHz 不揮発性 4mbit ラム 512k x 8 spi 17ms
MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85R256GPF-G-BND-ERE1 -
RFQ
ECAD 1566 0.00000000 Kaga Fei America - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ - - MB85R256 フラム(強誘電性ラム) 2.7V〜3.6V - - 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,000 不揮発性 256kbit 150 ns フラム 32k x 8 平行 150ns
MB85RS128TYPNF-GS-BCERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS128TYPNF-GS-BCERE1 3.4300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Kaga Fei America aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) MB85RS128 フラム(強誘電性ラム) 1.8V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0071 1,500 33 MHz 不揮発性 128kbit フラム 16k x 8 spi -
MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 3.9700
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Kaga Fei America aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) MB85RS256 フラム(強誘電性ラム) 1.8V〜3.6V 8ソップ - ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0071 1,500 33 MHz 不揮発性 256kbit フラム 32k x 8 spi -
MB85R8M2TPBS-M-JAE1 Kaga FEI America, Inc. MB85R8M2TPBS-M-JAE1 27.2800
RFQ
ECAD 150 0.00000000 Kaga Fei America - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-VFBGA MB85R8 フラム(強誘電性ラム) 1.8V〜3.6V 48-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 865-1295 ear99 8542.32.0071 480 不揮発性 8mbit 150 ns フラム 512K x 16 平行 150ns
MB85RS4MTPF-G-JNERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS4MTPF-G-JNERE2 -
RFQ
ECAD 4131 0.00000000 Kaga Fei America - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) MB85RS4 フラム(強誘電性ラム) 1.8V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0071 2,000 40 MHz 不揮発性 4mbit フラム 512k x 8 spi -
MB85RC64TAPNF-G-BDE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC64TAPNF-G-BDE1 1.3102
RFQ
ECAD 4946 0.00000000 Kaga Fei America - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) MB85RC64 フラム(強誘電性ラム) 1.8V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0071 85 3.4 MHz 不揮発性 64kbit 130 ns フラム 8k x 8 i²c -
MB85R4M2TFN-G-JAE2 Kaga FEI America, Inc. MB85R4M2TFN-G-JAE2 13.0321
RFQ
ECAD 1312 0.00000000 Kaga Fei America - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MB85R4 フラム(強誘電性ラム) 1.8V〜3.6V 44-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1B1 8542.32.0071 126 不揮発性 4mbit 150 ns フラム 256k x 16 平行 150ns
MB85RS2MLYPNF-GS-AWERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MLYPNF-GS-AWERE2 5.4170
RFQ
ECAD 7226 0.00000000 Kaga Fei America aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) MB85RS2 フラム(強誘電性ラム) 1.7V〜1.95V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0071 1,500 50 MHz 不揮発性 2mbit フラム 256k x 8 spi -
MB85RS64VYPNF-GS-BCERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS64VYPNF-GS-BCERE1 1.6536
RFQ
ECAD 8197 0.00000000 Kaga Fei America aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) MB85RS64 フラム(強誘電性ラム) 2.7V〜5.5V 8ソップ - ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0071 1,500 33 MHz 不揮発性 64kbit フラム 8k x 8 spi -
MB85RS4MLYPF-G-BCE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS4MLYPF-G-BCE1 7.2374
RFQ
ECAD 8837 0.00000000 Kaga Fei America - チューブ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) MB85RS4 フラム(強誘電性ラム) 1.7V〜1.95V 8ソップ - ROHS3準拠 3 (168 時間) 865-MB85RS4MLYPF-G-BCE1 ear99 8542.32.0071 80 50 MHz 不揮発性 4mbit フラム 512k x 8 spi -
MB85RS2MTYPNF-G-AWERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MTYPNF-G-AWERE2 4.9893
RFQ
ECAD 7304 0.00000000 Kaga Fei America - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) MB85RS2 フラム(強誘電性ラム) 1.8V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0071 1,500 50 MHz 不揮発性 2mbit フラム 256k x 8 spi -
MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1 6.4148
RFQ
ECAD 4951 0.00000000 Kaga Fei America - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド MB85RS4 フラム(強誘電性ラム) 1.8V〜3.6V 8-dfn ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0071 1,500 50 MHz 不揮発性 4mbit フラム 512k x 8 spi -
MB85RS2MTYPN-GS-AWEWE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MTYPN-GS-AWEWE1 5.4170
RFQ
ECAD 1973年年 0.00000000 Kaga Fei America aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド MB85RS2 フラム(強誘電性ラム) 1.8V〜3.6V 8-dfn - ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0071 1,500 50 MHz 不揮発性 2mbit フラム 256k x 8 spi -
MB85RS2MTYPNF-GS-AWE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MTYPNF-GS-AWE2 7.5500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Kaga Fei America aec-q100 チューブ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) MB85RS2 フラム(強誘電性ラム) 1.8V〜3.6V 8ソップ - ROHS3準拠 3 (168 時間) 865-MB85RS2MTYPNF-GS-AWE2 ear99 8542.32.0071 85 50 MHz 不揮発性 2mbit フラム 256k x 8 spi -
MB85RS2MLYPN-GS-AWEWE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MLYPN-GS-AWEWE1 5.4170
RFQ
ECAD 6446 0.00000000 Kaga Fei America aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド MB85RS2 フラム(強誘電性ラム) 1.7V〜1.95V 8-dfn ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0071 1,500 50 MHz 不揮発性 2mbit フラム 256k x 8 spi -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫