SIC
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統合サーキット（ICS ）（1624）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
AS4C128M8D3A-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3A-12BCN -
RFQ
 ECAD 7355 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
AS4C256M16D3L-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3L-12BAN -
RFQ
 ECAD 7930 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ sicで中止されました -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-VFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C256M8D3A-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3A-12BAN -
RFQ
 ECAD 4507 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-VFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
AS4C256M8D3A-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3A-12BCN 6.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 0°C〜90°C 表面マウント 78-VFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
AS4C256M8D3LA-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3LA-12BAN -
RFQ
 ECAD 8126 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-VFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
AS4C512M8D3A-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3A-12BAN -
RFQ
 ECAD 4476 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-VFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 220 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS4C64M16D3L-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3L-12BAN -
RFQ
 ECAD 4540 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ sicで中止されました -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
AS4C64M16D3A-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3A-12BCN -
RFQ
 ECAD 6468 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1368 ear99 8542.32.0032 209 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
AS4C64M16D3LA-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3LA-12BCN -
RFQ
 ECAD 2926 0.00000000 Alliance Memory - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1370 ear99 8542.32.0032 209 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
AS4C256M16D3A-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3A-12BAN -
RFQ
 ECAD 1375 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-VFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1378 ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C256M16D3A-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3A-12bin -
RFQ
 ECAD 3089 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1380 ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C256M16D3LA-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LA-12BCN -
RFQ
 ECAD 8062 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1381 ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C32M16MD1A-5BCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16MD1A-5BCN 5.4100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -30°C〜85°C（TJ 表面マウント 60-VFBGA AS4C32 sdram- lpddr 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1408 ear99 8542.32.0028 160 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
AS4C64M32MD2-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M32MD2-25BCN 6.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -30°C〜85°C（TA） 表面マウント 134-VFBGA AS4C64 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-FBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1413 ear99 8542.32.0036 128 400 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 64m x 32 平行 15ns
AS4C16M16SA-7TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SA-7TCNTR 3.3915
RFQ
 ECAD 4854 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS4C16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 14ns
AS4C4M16SA-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M16SA-6TINTR 2.4816
RFQ
 ECAD 9406 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS4C4M16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 2ns
AS4C8M16SA-6TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SA-6TCNTR 2.6470
RFQ
 ECAD 2715 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS4C8M16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 8m x 16 平行 12ns
AS4C8M16SA-7BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SA-7BCNTR 3.4484
RFQ
 ECAD 2912 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TFBGA AS4C8M16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 14ns
AS7C1024B-20TJINTR Alliance Memory, Inc. AS7C1024B-20TJINTR 3.4742
RFQ
 ECAD 5759 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） AS7C1024 sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 20 ns sram 128k x 8 平行 20ns
AS4C128M16D2A-25BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D2A-25BCNTR 9.9000
RFQ
 ECAD 9652 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA（10.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,500 400 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 128m x 16 平行 15ns
AS4C128M32MD2-18BIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M32MD2-18bin -
RFQ
 ECAD 2066 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA AS4C128 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-FBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 168 533 MHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 平行 15ns
AS4C32M16MS-7BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16MS-7BCNTR -
RFQ
 ECAD 5791 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA AS4C2M32 sdram- sdram 1.7V〜1.95V 54-BGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
AS4C32M8SA-7TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M8SA-7TCNTR 3.3915
RFQ
 ECAD 5815 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS4C32 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8523.51.0000 1,000 143 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 32m x 8 平行 -
AS4C64M16D2A-25BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D2A-25BINTR 4.7194
RFQ
 ECAD 8487 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,500 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
AS4C64M16D3B-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3B-12BCNTR 4.8717
RFQ
 ECAD 3412 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
AS4C64M16D3B-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3B-12bin 7.7500
RFQ
 ECAD 264 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
AS4C8M16SA-6BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SA-6BINTR 5.5100
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA AS4C8M16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 8m x 16 平行 12ns
AS6C6416-55TIN Alliance Memory, Inc. AS6C6416-55TIN 28.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） AS6C6416 sram-非同期 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 96 揮発性 64mbit 55 ns sram 4m x 16 平行 55ns
AS6C8016-55TIN Alliance Memory, Inc. AS6C8016-55TIN 7.0985
RFQ
 ECAD 8374 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） AS6C8016 sram-非同期 2.7V〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 96 揮発性 8mbit 55 ns sram 512K x 16 平行 55ns
AS6C8016-55TINTR Alliance Memory, Inc. AS6C8016-55TINTR 6.3941
RFQ
 ECAD 4906 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） AS6C8016 sram-非同期 2.7V〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 揮発性 8mbit 55 ns sram 512K x 16 平行 55ns
  • Daily average RFQ Volume

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    毎日の平均RFQボリューム

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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